此电子学习课程介绍了环境经济会计系统 - 生态系统会计(SEEA EA),这是收集和组织有关生态系统信息及其与人类活动的关系的商定统计框架。SEEA EA提供了一个综合统计框架,用于组织有关生态系统,测量生态系统服务,跟踪生态系统范围和状况的变化的生物物理信息,并将这些信息与经济和人类活动的度量联系起来。它支持了几个全球政策框架的指标汇编,包括2030年的可持续发展议程以及相关的可持续发展目标指标以及Kunming-Montreal全球生物多样性框架。
数千到数百万个敏感信号需要通过稀释制冷机的所有温度阶段进行传输,以操作由许多量子位组成的未来大规模量子处理器。导热同轴电缆数量的激增将超出制冷机的冷却能力,对量子核心造成不利影响。将控制电子设备降至低温允许使用现有的超导电缆,减轻低温阶段之间的热传导,并且似乎是实现操作量子位数可扩展性的明确途径。这项博士论文旨在探索在低温下将工业 CMOS 28nm 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术用于量子计算应用。我们的第一个目标是将有关低温下 FD-SOI 28nm 晶体管的稀疏现有知识扩展到电路设计的实际方面,然后用于开发紧凑模型。为了加快对具有长达一小时的固有冷却周期的单个器件的表征,我们设计了一个集成电路,该集成电路多路复用了数千个具有不同几何形状和栅极堆栈类型的晶体管,用于低频测量电流-电压特性和从 300 到 0.1K 的配对分析。我们讨论并分析了不同温度下电路设计中重要量的变化趋势,例如跨导、电导和单个晶体管的跨导与漏极电流比。其次,我们探索了半导体量子器件与经典电子器件的低温共积分和全片上集成,旨在实现低至毫开尔文范围的特定测量。我们首先通过设计和表征低功耗跨阻放大器 (TIA) 来关注量子点器件的亚纳安电流测量。高增益放大器成功应用于测量单量子点和双量子点器件的电流,这些器件分别通过引线键合几毫米或片上集成几微米。为了进一步利用集成到同一基板的优势,我们将 GHz 范围的压控振荡器连接到双点的其中一个栅极,以尝试观察完全集成设备中的离散电荷泵。最后,我们提出了一种新的测量方案,利用低温电子学功能作为众所周知的反射测量法的替代方案,解决了单个量子器件栅极电容的测量问题。通过在 200 MHz 范围内集成电压控制电流激励和电压感应放大器,两者都靠近连接到 LC 槽的量子器件,器件电容变化的读出电路变成纯集总元件系统,具有谐振电路的阻抗测量,而没有任何像反射法中那样的波传播。这种方法增加了测量装置的简单性和紧凑性。我们甚至用由晶体管和电容器组成的有源电感器取代了反射法中使用的笨重无源电感器,在相同电感下面积降低了 3 个数量级,从而提供了更好的可扩展性。由此产生的电路成功测量了 4.2K 下纳米晶体管的 aF 电容变化,揭示了栅极电容中随栅极和背栅极电压而变化的振荡量子效应。在这篇论文的最后,给出了一幅与电路架构和设计相关的挑战的图景,最终目标是进入大规模量子处理时代。
B.Dieny 1 , ILPrejbeanu 1 , K.Garello 2 , P.Gambardella 3 , P.Freitas 4,5 , R.Lehndorff 6 , W.Raberg 7 , U.Ebels 1 , SODemokritov 8 , J.Akerman 9 , 10 , APir 11 , P.Ac . delmann 2 , A.Anane 13 , AVChumak 12, 14 , A.Hiroata 15 , S.Mangin 16 , M.Cengiz Onbaşlı 17 , Md'Aquino 18 , G.Prenat 1 , G.Finocchio 19 , L.Lopez Diaz , R.C. esenko 22 , P.Bortolotti 13 1. Univ. 1. 格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CEA、CNRS、格勒诺布尔 INP、IRIG、SPINTEC,法国格勒诺布尔 2. 比利时鲁汶 Imec 3. 苏黎世联邦理工学院材料系磁学与界面物理实验室,瑞士苏黎世。 4. 国际伊比利亚纳米技术实验室(INL),葡萄牙布拉加 5. 系统与计算机微系统与纳米技术工程研究所(INESC MN),葡萄牙里斯本 6. Sensitec GmbH,德国美因茨 7. 德国英飞凌科技股份公司,德国应用科学研究所,德国明斯特 9. 瑞典哥德堡大学物理系 10. 瑞典皇家理工学院工程科学学院应用物理系 11. 德累斯顿—罗森多夫亥姆霍兹中心,离子束物理和物理研究所,德国迈兴 12. 凯泽斯劳滕工业大学和州立研究中心 OPTIMAS,德国凯泽斯劳滕 13. 法国国家科学研究中心泰雷兹公司巴黎南大学巴黎-萨克雷,帕莱索,法国 14. 维也纳大学物理学院,维也纳,奥地利 15. 约克大学电子工程系,赫斯灵顿,英国 16. 洛林大学让·拉穆尔研究所,南锡,法国 17. 科克大学,伊斯坦布尔,18. 佩科维奇,那不勒斯,意大利 19. 墨西拿大学数学与计算机科学系、物理科学与地球科学系,墨西拿,意大利 20. 萨拉曼卡大学应用物理系,萨拉曼卡,西班牙 21. 约克大学物理系,马德里材料研究所,英国 22 CSIC,西班牙
3 格勒诺布尔阿尔卑斯大学,CNRS IMEP-LAHC,F-38000 格勒诺布尔,法国 通讯作者电子邮件:mikael.casse@cea.fr 我们概述了 FDSOI CMOS 晶体管在深低温下的性能,特别强调了背偏带来的好处。FDSOI 晶体管可在室温到低至 100mK 的温度下工作。测量和分析了主要的直流电特性、可变性和可靠性。我们还指出了在低温下出现的特定行为,并讨论了它们的物理起源和建模。 介绍 为了设计高效的量子计算机,需要将传统电子器件尽可能靠近量子比特 (qubit) 设备,考虑超导或 Si-spin 量子比特,以便读出和控制,从而减少对室温布线的需求 (1)。这种需求凸显了探索和开发低温 CMOS 技术的广泛重要性,其工作温度范围从 4.2K 到远低于 1K。此外,Si-spin 量子比特工艺也与 CMOS 工艺兼容,原则上可以将两者单片集成在单个芯片上 (2)、(3)。这可以为任何大规模量子处理器提供基本构建模块,通过设计可扩展的近量子比特低温电子器件来实现大规模量子比特矩阵索引,并最终开发容错通用门量子计算机 (4)。
1 (0XVD(OHNWURQLN'HYUH(OHPDQODUÕ8OXGD÷ hQLYHUVLWHVL(OHNWURQLN0KHQGLVOL÷L%|OP%XUVD 2009. 2 '/HEOHELFL6Ho
摘要 我们简要总结了 15 多年来对基于二维材料 (2DM) 的自旋电子学的深入研究,这些研究使我们深入了解了基本的自旋传输机制、磁隧道结和自旋轨道扭矩器件中的新功能,以及使石墨烯成为自旋活性材料的强大而前所未有的邻近效应能力。尽管基于 2DM 的功能性器件和相关异质结构的组合不断增加,但我们概述了仍然阻碍自旋电子学在自旋逻辑和非易失性存储器技术中的实际应用的关键技术挑战。最后,我们提到了当前和未来的方向,这些方向将保持基于 2DM 和范德华异质结构的超紧凑自旋电子学领域的发展势头。
广告号SETS/Chn/Rec/2024-25/32 Date: 16.01.2025 Society for Electronic Transactions and Security [SETS] is a Society under Societies Registration Act, XXI of 1860, dedicated to carry-out Research and Development in the field of Information Security focusing on the key verticals, namely, Cryptology and Computing, Hardware Security, Quantum Security and Network Security.On-line applications are invited from enthusiastic Indian researchers having excellent academic record and proven scientific achievements along with requisite experience and a high degree of motivation and desire to take up research and development as a career in the field of Information Security focusing on the key verticals, namely, Cryptology and Computing, Hardware Security, Quantum Security and Network Security to fill up the posts (1 No) of Scientist-F on Direct Recruitment / Deputation Mode as detailed below: Post代码:2025-F-001薪水和津贴:薪资13A:1,31,100-2,16,600卢比,以及根据套装规范的规定/福利/福利。详细资格的描述,经验要求如下:用于直接招聘A.基本资格i)B.E./ B.Tech。具有60%或更高的标记或电子通信/计算机科学和工程/信息技术/信息系统 div>的标记或同等CGPA
项目名称:二维量子材料和超导电子学。描述:研究重点是 Nb 基二维材料,特别是二硫化铌 (NbS₂) 和二硒化铌 (NbSe₂),以及它们在超导场效应晶体管 (FET) 中的应用。这些材料因其独特的特性而处于材料科学的前沿,包括单层超导性[1]。超导性的特点是零电阻和排除磁场,是现代材料科学的基本原理。虽然已经提出了许多利用超导性的设备并付诸实施,但在创造可扩展的高质量材料和设备方面仍然存在挑战[2-4]。传统的制造方法,如溅射,通常会导致材料质量不理想,特别是对于需要精确控制厚度和纯度的应用[5]。该项目旨在通过利用二维过渡金属二硫属化物 (TMDC) 的卓越特性来解决这些限制,这些特性可以精确控制材料厚度和晶体纯度。在本研究中,候选人将专注于合成基于 Nb 的 2D 材料并将其集成到器件架构中以创建超导 FET。这些器件将利用电场来调节超导性,实现新功能并为超导电子学的潜在突破铺平道路。这项工作将涉及在洁净室环境中进行先进的材料合成、广泛的特性描述和器件制造,以及传输测量以研究器件在不同条件下的行为。该项目提供了为材料科学的变革领域做出贡献的机会,并有可能产生重大的技术影响。成功的候选人将加入一个充满活力的跨学科研究团队,该团队配备了最先进的设施,并受益于该领域领先研究人员的指导和合作。外部参考:[1] Xi 等人,《自然物理》,12(2):139–143 (2016) [2] Puglia 等人,《应用物理快报》,116(25) (2020)。 [3] De Simoni 等人,Nature Nanotechnology, 13(9):802–805 (2018) [4] Paolucci 等人,Nano letters, 19(9):6263–6269 (2019) [5] Durrell 等人,Reports on Progress in Physics, 74(12):124511 (2011). 主要指导老师:Camilla Coletti ( 2D 材料工程 ) 其他指导老师:Antonio Rossi ( 2D 材料工程 ) 关键专业知识: