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World File Search System电气特性
基于氧化锌薄膜晶体管的多模态皮层脑电图有源电极阵列
图 2. ZnO-TFTs 阵列的电气、机械和光学特性。 (A) VD = 5V 时具有不同 W/L 比的 TFT 的传输曲线。 (B) W/L = 80/5 的 TFT 的输出特性，显示漏极电流 (ID) 与 VD 的关系，VG 从 -1 V 变化至 5 V（步长 = 1 V）。 (C) 一个阵列的十二个 ZnO-TFTs 电极的传输特性。红线为平均值。 (D) 来自同一阵列的十二个 ZnO-TFTs 电极的跨导。蓝线为平均值。 (E) ZnO-TFTs 电极在弯曲半径为 15 cm 的情况下经过 10 次弯曲循环后仍保持稳定的电气特性。 (F) ZnO-TFTs 阵列的透射光谱。插图是 3 × 4 ZnO-TFTs 阵列的光学图像，显示了其高透明度。白色框架标记电极阵列。比例尺：2 毫米。
美国国家半导体公司及其位于格里诺克的首个晶圆制造区
连接世界的硅集成电路制造半导体芯片在概念上很简单。硅是基本的半导体，你必须在不同区域改变它地电气特性才能制造二极管、电阻器和晶体管。通过定义想要改变的地方，然后只改变这个区域，然后定义想要改变的另一个区域并进行改变，依此类推。这可以重复十到二十次。定义过程称为“掩蔽”，硅改变过程称为“扩散”。所有这些都是在晶圆制造区完成的，1971 年的晶圆是一个圆形、薄的 3 英寸硅盘。在晶圆制造区，你会穿着特殊的衣服来保护晶圆不被你伤害，而不是你被晶圆伤害。必须将污染水平保持在非常低的水平才能使电路正常工作。
TECH. CORP.
1.规格 1.1 特点 1.2 机械规格 1.3 绝对最大额定值 1.4 DC 电气特性 1.5 光学特性 1.6 背光特性 1.7 触摸屏特性 2.模块结构 2.1 计数器图 2.2 接口引脚说明 2.3 时序特性 2.3.1 SPI 写入 2.3.2 SPI 时序表 2.4 颜色数据分配 2.5 参考初始代码 3.质量保证体系 3.1 质量保证流程图 3.2 检验规范 4.可靠性测试 4.1 可靠性测试条件 5.产品处理注意事项 5.1 安全 5.2 处理 5.3 存储5.4 质保条款 附录：LCM 图纸 LCM 包装规格 注：详细信息请参考 IC 数据手册： Primacy(TFT LCD): Himax: HX8257-A
AC岛的微电网中的功率质量-Revistas unal
近年来，由于分布式发电源（DGS）的连接增加，分配系统中的操作和控制策略发生了变化。带有电力用户和DGS的小型本地网络称为微电网。这些微电网可以独立运行（岛化）或与主网络或其他微电网合作（互连）。相互联系的微电网的一些优势包括减少损失，可靠性的提高以及在断层条件下的分散操作。尽管如此，当微电网以岛形模式运行时，其电气特性会发生变化，因此，功率质量干扰的严重程度可能会增加，以及它们对电子设备（负载和DG设备）的负面影响。本文介绍了有关岛状微电网电力质量干扰的现有研究的全面文献综述，并确定了对此主题的未来研究的最相关需求。详细信息，以比较互连和岛的微电网中干扰水平之间的差异。在谐波干扰的情况下，还分析了不同微电网构型的影响。
![arXiv:2304.12744v1 [physics.app-ph] 2023 年 4 月 25 日](/simg/2\2d47c9702df5e64ff8be37fa34114b3fc2d6f749.webp)
arXiv:2304.12744v1 [physics.app-ph] 2023 年 4 月 25 日
与共面波导 (CPW) 谐振器相比，紧凑型电感电容 (LC) 谐振器具有简单的集总元件电路表示，但通常需要复杂的有限元法 (FEM) 模拟才能进行精确建模。这里，我们为一系列共面 LC 谐振器提供了一种简单的分析模型，其中的电气特性可以直接从电路几何形状中获得，并且具有令人满意的精度。我们对 10 个高内部品质因数谐振器（Q i ≳ 2 × 10 5）进行的实验结果，频率范围大约从 300 MHz 到 1 GHz，与推导的分析模型和详细的 FEM 模拟都显示出良好的一致性。这些结果展示了设计谐振频率偏差小于 2% 的亚千兆赫谐振器的能力，这具有直接的应用，例如，在超灵敏低温探测器的实现中。所实现的平方毫米量级的紧凑谐振器尺寸表明在单个芯片上集成数百个微波谐振器以实现光子晶格的可行方法。
重掺杂磷注入 4H-SiC 上的 Ni 肖特基势垒
意大利微电子与微系统研究所 (CNR_IMM)，第 VIII 大街，5 号工业区，95121 卡塔尼亚，意大利摘要研究了在重掺杂（ND >10 19 cm -3 ）n 型磷注入碳化硅 (4H-SiC) 上形成的 Ni 肖特基势垒的电行为，重点研究了正向和反向偏压下的电流传输机制。肖特基二极管的正向电流-电压特性表明，主要的电流传输是热电子场发射机制。另一方面，反向偏压特性不能用独特的机制来描述。事实上，在中等反向偏压下，注入引起的损伤是导致漏电流温度升高的原因，而随着偏压的增加，纯场发射机制趋近于。讨论了重掺杂层上的金属/4H-SiC 接触在实际器件中的潜在应用。关键词：4H-SiC，电气特性，电流传输，肖特基器件
一种改善电特性的环栅场效应晶体管扇形结构
从 I on /I off 电流比、跨导、亚阈值斜率、阈值电压滚降和漏极诱导势垒降低 (DIBL) 等方面评估了一种新型栅极全场效应晶体管 (GAA-FET) 方案的可靠性和可控性。此外，借助物理模拟，全面研究了电子性能指标的缩放行为。将提出的结构的电气特性与圆形 GAA-FET 进行了比较，圆形 GAA-FET 之前已使用 3D-TCAD 模拟在 22 nm 通道长度下用 IBM 样品进行了校准。我们的模拟结果表明，与传统的圆形横截面相比，扇形横截面 GAA-FET 是一种控制短沟道效应 (SCE) 的优越结构，并且性能更好。2020 作者。由 Elsevier BV 代表艾因夏姆斯大学工程学院出版。这是一篇根据 CC BY 许可 ( http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ ) 开放获取的文章。
Algan/GaN高电子的制备和表征...
4.1 简介 ................................................................................................................ 58 4.2 最先进的氮化镓衬底 ................................................................................ 59 4.2.1 块状单晶 GaN 衬底 ........................................................................ 59 4.2.2 异质衬底上的 GaN：蓝宝石和碳化硅 ........................................................ 61 4.2.3 硅衬底上 GaN 技术与块状硅和绝缘体上硅 (SOI) 衬底的集成 ............................................................................................................................. 63 4.3 SOI 和块状 Si 衬底上 AlGaN/GaN 异质结构的生长和特性 ............................................................................................................. 66 4.3.1 实验细节 ........................................................................................................ 66 4.3.2 AlGaN/GaN 异质结构的生长 ............................................................................................. 66 4.3.3 结果与讨论 ............................................................................................................. 69 4.4 制备和特性体硅和 SOI 衬底上的 HEMT ...................................................................................... 78 4.4.1 实验细节 ...................................................................................................... 78 4.4.2 AlGaN/GaN HEMT 电气特性 ...................................................................... 78 4.4.3 使用微拉曼分析探测 AlGaN/GaN HEMT 通道温度 ............................................................................................................. 82 4.5 章节摘要 ............................................................................................................. 96
1553B总线技术简介及应用
随着计算机技术、通信技术和集成电路技术的发展，多种总线标准应运而生。其中1553B（MIL-STD-1553B）是美国于1978年发布的串行多路复用数据总线标准，是有关数据总线电气特性和通信协议规范的军用标准，规定了飞机内部数字命令/响应时间多路复用数据总线的技术要求，以及多路复用数据总线的操作、总线上信息流的格式和电气要求，提供了在不同系统之间传输数据和信息的介质。1553B总线作为第一代军用数据总线，最初是为战斗机内部电子系统联网标准而提出的，以其可靠性高、速度快、技术成熟、易于扩展等特点，已从飞行控制系统逐步推广到导弹、舰船、航空航天等领域，历经30多年无故障运行，被誉为军队的一张防护网。近年来，1553B总线已成为我国现役空军最重要的先进航空电子系统数据总线，在舰船车辆、坦克舰艇等武器装备技术水平提高中发挥了重要作用[1]。
1553B总线技术简介及应用
随着计算机技术、通信技术和集成电路技术的发展，多种总线标准应运而生。其中1553B（MIL-STD-1553B）是美国于1978年发布的串行复用数据总线标准。它是关于数据总线电气特性和通信协议规范的军用标准。它规定了飞机内部数字命令/响应时间复用数据总线的技术要求，以及复用数据总线的操作、总线上信息流的格式和电气要求，提供了在不同系统之间传递数据和信息的媒介。1553B总线作为第一代军用数据总线，最初是为战斗机内部电子系统联网标准而提出的，以其可靠性高、速度快、技术成熟、易于扩展等特点，已从飞控系统逐步推广到导弹、舰船、航空航天等领域，历经30多年无一故障。被誉为“三军之网”。近年来，1553B总线已成为我国现役空军最重要的先进航电系统数据总线，在舰船车辆、坦克舰艇等武器装备技术水平的提高中发挥了重要作用[1] 。