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World File Search System电气特性
BGA焊点疲劳寿命预测研究综述
摘要：随着科技的发展，消费者对各类电子设备的要求呈现出功能多样化、机身轻薄化的趋势，这使得装载在电子产品中的集成电路及其封装对于满足上述要求显得至关重要。球栅阵列（BGA）封装以其丰富的I/O容量和优异的电气特性被广泛应用于微电子制造业领域。然而，在其生产和使用过程中由于振动、冲击等环境载荷的作用，BGA焊点缺陷不可避免地会出现，从而导致电子产品的失效。本文综述了BGA芯片疲劳失效的影响因素、分析方法和模型的研究现状，并在对研究进行严格讨论后，对BGA封装可靠性分析和评价标准的制定提供了一些理论建议。
耐久性下降后的 1T-NOR 闪存
a 意法半导体，法国鲁塞 b 艾克斯-马赛大学，CNRS，IM2NP，13451 马赛，法国 摘要 在本文中，我们对 100 万次编程/擦除 (P/E) 操作后的 1T-NOR 闪存电气特性进行了 TCAD 模拟。由于 TCAD 模拟，提出了空间缺陷分布来解释耐久性下降的原因。工艺模拟基于意法半导体生产的 90 nm 节点嵌入式非易失性存储器技术 (eNVM)。编程和擦除期间使用热载流子注入 (HCI) 和高级隧道模型，而闪存性能下降则通过位于 Si/SiO 2 界面和 SiO 2 内部的缺陷来考虑。获得的循环前后编程窗口以及消耗电流的结果与实验结果高度一致。此外，在此框架内，可以正确重现 100 万次循环后无应力闪存侧的 IV 特性，如文献中先前报道的那样。 1. 引言电荷存储浮栅存储器Flash-EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）或简称Flash，可以说是迄今为止市场上最成功的非易失性存储器之一，每年仍有数十亿个单元被处理，预计到2028年，复合年增长率（CGAR）将达到14.4% [1]。它的可靠性（主要包括耐用性和数据保留率）在过去几十年中得到了广泛的研究[2-4]。在本文中，我们使用技术计算机辅助设计（TCAD）来模拟100万次循环后的1T-NOR闪存编程窗口关闭。TCAD是一种基于物理的数值建模方法，用于精确模拟微电子器件的制造工艺和电气特性，该工具已成功用于器件性能优化和可靠性提高[5,6,7]。与[8]类似，Flash耐用性是通过缺陷建模的；然而，在本文中，我们采用了 Si/SiO 2 界面和 SiO 2 体氧化物中的非均匀缺陷分布以及不同类型的缺陷。这种方法与 [4] 中报道的实验结果一致。
自动驾驶实验室的未来：从人机交互 AI 到游戏化
材料发现自古以来就一直推动着技术的发展，早在 20 世纪 60 年代材料科学正式确立之前就已存在。1 了解材料特性是生物学、化学、物理学和工程学等多个科学领域的交叉点。2 材料发现和优化包括合成和制造与特性测量的协同作用，无论是机械、化学还是电气特性。1,2 传统上，该过程的所有阶段都是由人类科学家构思和实施的，自动化方法仅用于明确定义的简单操作。机器学习 (ML) 的引入引发了科学家们的好奇心浪潮，他们以全新的视角看待科学方法——无论是在理论和计算领域，还是在实际应用中。创造下一个最佳技术突破的竞赛不仅关乎人类的毅力，也关乎人工智能 (AI) 的运用。3,4 几十年来，计算方法
产品表 HRV Solo 2.4.indd - 新鲜空气通风系统
• 型号：HRV Solo 2.4 • 外壳：预涂钢 • 风扇速度控制： • 零件编号：45928 • 绝缘：1 英寸铝箔贴面玻璃纤维 - 低速、增低速和高速 • 总组装重量（包括 • 安装：链条和弹簧悬挂 - 用户聚丙烯芯有两种速度可供选择）：73 磅。- 选择低速或增低速 • 圆形端口；适合 6 英寸圆形管道 • 供气和排气鼓风机电机：安装时 • 排水管：1/2 英寸配件，带 10 英尺 PVC 排水管 - 轴承：套筒轴承 - 类型：PSC • 装置电气特性： • 过滤器：2 个可清洗 30 ppi 网状泡沫 伏特 频率 安培 瓦特 11.75” x 16.75” x 0.75” 120 60 Hz 1.9 202
VLSI 设计 (R20A0419)
第一单元简介：集成电路技术简介——摩尔定律、微电子演进、制造：NMOS、CMOS（n 阱、p 阱、双管）MOS 晶体管的基本电气特性：I DS - V DS 关系、MOS 晶体管阈值电压-V T 、品质因数-ω 0 、跨导- gm 、g ds ；传输晶体管、NMOS 反相器、由另一个 NMOS 反相器驱动的 NMOS 反相器的上拉与下拉比（Z=4:1）、各种上拉、CMOS 反相器的分析和设计。第二单元 VLSI 电路设计流程：VLSI 设计流程（Y 图）、MOS 层、棒图、设计规则和布局、基于 Lambda(λ) 的导线、触点和晶体管设计规则、NMOS 和 CMOS 反相器和门的布局图 MOS 电路的缩放、缩放的局限性
高 k 电介质材料对电气的影响...
摘要：本文介绍了使用不同高介电常数 (高 k) 栅极介电材料的双栅极 (DG) 和栅极环绕纳米线 (GAA) MOSFET 的电气行为。为了研究高 k 介电材料对 DG 和 GAA 的影响，使用 Atlas Silvaco TCAD 工具模拟器件并确定电气特性。本研究选择的高 k 材料是氮化硅 (Si3N4)、氧化铝 (Al2O3)、氧化锆 (ZrO2) 和氧化铪 (HfO2)。栅极介电材料在设计新型高性能纳米级电气器件方面发挥了重要作用。可以观察到，当接近更高的介电常数值时，导通电流增加，而亚阈值斜率 (SS) 阈值电压 (Vth) 和漏电流减少。可以观察到，与其他模拟介电材料相比，HfO2 对 DG 和 GAA MOSFET 都表现出最佳性能。
p型门的低温传输特性 -
摘要：基于主流的块状结局效果晶体管（Finfet）技术，制造了16 nm-L G P型栅极栅极硅纳米线（Si NW）金属氧化物半氧化物晶体管效应晶体管（MOSFET）。已系统地研究了正常MOSFET的电气特性以及低温时的量子运输的温度依赖性。我们证明了GAA SI NW MOSFET的低温栅极控制能力和身体效应的免疫力，并观察纳米线（110）通道方向子频段结构的两倍退化孔子带的运输。此外，在GAA SI NW MOSFET中证明了明显的弹道传输特性。由于存在典型MOSFET的间隔物，因此在较低的偏差下也成功实现了量子干扰。
拜杜法案要求 ETA 授予期限
(1) 承包商应在发明人以书面形式向负责专利事务的承包商人员披露每项发明后两个月内向联邦机构披露。向机构披露应采用书面报告的形式，并应标明发明所依据的合同和发明人。披露应在技术细节上足够完整，以便在披露时清楚了解发明的性质、目的、操作以及物理、化学、生物或电气特性。披露还应标明发明的任何出版物、销售或公开使用，以及描述发明的手稿是否已提交出版，如果已提交，则在披露时是否已被接受出版。此外，在向机构披露后，承包商应立即通知机构描述发明的任何手稿是否已接受出版或承包商计划的任何销售或公开使用。
玛丽亚·海伦娜·卡斯坦·拉娜斯帕
日期：2024 年 1 月 12 日 姓名：MARÍA HELENA CASTÁN LANASPA 机构：大学教授 大学或中心：巴利亚多利德大学 知识分支：工程和建筑 知识领域：电子学 六年期限（RD 1086/89）：5 研究活动、知识转移和交流：在她的整个科学生涯中，她的研究兴趣一直是电子设备和集成电路领域的结构和材料的电气特性。他在贝尔实验室（美国新泽西州默里山）从事博士后研究期间巩固了自己的专业领域。她是公认研究小组 (GIR) 电子设备和材料特性组 (GCME) (gcme.uva.es) 的创始人和协调员，自 2010 年成立以来直至 2018 年，她目前是上述 GIR 和卡斯蒂利亚和莱昂政府综合研究单位 (UIC) #051 的成员。他已完成 5 项为期六年的研究资助，其中最后一项于 2018 年获得认可。他在国家和国际联盟内开展研究工作，研究方向为高介电常数电介质和功能氧化物，用于电阻和多铁性存储器以及电子突触的开发。由于他的团队的研究工作主要集中在电气特性方面，他与其他团队保持着密切而持续的合作，以互补的视野共同获得全球视野；为此，它参与了协调研究项目，采用多学科方法解决所涉及的所有方面：制造技术、电气、物理和化学特性、物理建模和电路模拟。她作为成员或首席研究员参与了 20 个竞争性研究项目和 2 份研究合同。他在电子领域的国际期刊上发表了 163 篇论文（Google Scholar 数据），全部被 JCR 索引，并参加了该领域的 170 次参考科学会议，其中多次受邀参加（过去 5 年中有 3 次）。她是高影响力科学期刊的审稿人、科学协会的成员、博士论文委员会的参与者以及迄今为止 2 次国际会议的组织者。
IPTV 指南：网络运营商的实用部署策略 - 102481AE
久负盛名的 RCA 连接器仍然是视频卡座、DVD、视频投影仪和高清显示器等专业消费类产品中音频和视频信号同轴电缆端接的普遍接受方法。ADC 的新型精密 RCA 连接器专为要求苛刻的专业环境而设计，提供性能驱动的产品，具有出色的机械和电气特性以及简单的 BNC 型组装。精密模制绝缘体带有锁定镀金中心导体，可确保标称 75 欧姆特性阻抗。ADC 专有的几何模制绝缘体设计等创新功能可显著减少阻抗失配并提高数字应用的传输可靠性。ADC 的 RCA 连接器使用与 ADC BNC 和 F 连接器产品相同的剥线和压接工具，使安装变得简单快捷。