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回顾——辐射单粒子效应中的机会……
辐射效应对 SiC 和 GaN 电力电子器件的可靠性有着至关重要的影响，必须了解辐射效应对于涉及暴露于各种电离和非电离辐射的太空和航空电子应用的影响。虽然这些半导体表现出对总电离剂量和位移损伤效应的出色辐射硬度，但 SiC 和 GaN 功率器件容易受到单粒子效应 (SEE) 的影响，这种效应是由无法屏蔽的高能重离子空间辐射环境 (银河宇宙射线) 引起的。这种性能下降发生在额定工作电压的 50% 以下，需要在降额电压下操作 SiC MOSFET 和整流器。业界还将陆地宇宙辐射 (中子) 引起的 SEE 确定为在飞机上使用 SiC 基电子产品的限制因素。在本文中，我们回顾了对这些材料进行全面系统评估的前景和机会，以了解这些影响的起源和可能的缓解措施。© 2021 电化学学会 (“ ECS ”)。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI：10.1149/2162-8777/ ac12b8]
比较电离类型和前体离子，用于在TSQ Altis MD质谱仪上对25-羟基维生素D进行定量分析
体外诊断医疗装置*液相色谱串联质谱系统可以在生物基质中进行各种化合物的体外定量。本文提供的绩效数据仅是出于说明目的，可能不能代表实验室将获得的绩效。Thermo Fisher Scientific不建议使用其系统对本文描述的分析物进行分析。在单个实验室中的性能可能与由于因素，包括但不限于实验室方法，使用的材料，操作员技术和系统状况的因素可能不同。实验室有责任验证其打算在其设施中使用并遵守所有适用法律和政策的任何测定法。
标题：等离子体-半导体界面处的电离波 名字：David 姓名：PAI 实验室：等离子体物理实验室 (LPP) Ema
标题：等离子体-半导体界面处的电离波 名字：戴维 姓名：PAI 实验室：等离子体物理实验室 (LPP) 电子邮件：david.pai@lpp.polytechnique.fr 网页：https://www.lpp.polytechnique.fr/-David-Pai- 研究领域： 主要领域：激光和等离子体物理 次要领域：材料科学 方法：大气压等离子体、表面等离子体、纳秒放电、等离子体诊断（例如光发射光谱、电场诱导的二次谐波产生、汤姆逊散射）、材料化学诊断（例如拉曼和光致发光光谱） 博士课程主题：等离子体-表面相互作用是许多类型等离子体物理学的关键要素。对于非平衡等离子体，其中电子的温度比原子和分子的温度高得多，一种常见的现象是表面电离波 (IW)。使用复合材料代替块体金属/电介质作为电极或传播表面可能会产生新的相互作用。特别是，与半导体相关的光电效应可以使基于微电子中常用的绝缘体上硅 (SOI) 技术的 IW 沿表面传播均匀化。我们的假设是气相和电子空穴 IW 沿 SOI 界面相邻地共同传播。
ASEN 5335 航空航天环境：教学大纲
近地空间环境从地球表面一直延伸到弓形激波，弓形激波是磁层的外边界。在这个环境中，有不同的重叠区域：由中性分子和原子组成的大气层；电离层，大气中的气体被电离；等离子层，气体完全电离并被困在地球磁场中；以及辐射带，其中包含高能电子和质子。这些区域受到地球磁场的影响，而这种磁场占主导地位的区域称为磁层。磁层内有不同种类的粒子、不同的电流以及各种复杂的等离子体和电磁波。此外，环境中还包含我们太阳系中的尘埃和流星体，以及我们直接负责的航天器和轨道碎片。
翻译 辐射防护条例
第 1 节 放射性物质的处理 § 7 需要批准的放射性物质的处理 § 8 未经批准的处理；未经许可持有核燃料 § 9 处理放射性物质的许可要求 § 10 免除提供财务保障的义务 第 2 节 产生电离辐射的设施 § 11 建造和运营产生电离辐射的设施需要批准 § 12 需要通知的电离辐射操作 产生电离辐射的系统 § 12a 批准第 13 节 建造电离辐射系统的审批要求 第 14 节 运行电离辐射系统的审批要求 第 3 节 第三方雇佣系统或设施 第 15 节 在需要批准或设施的外国系统中就业 第 4 节 放射性物质的运输 § 16 需要授权的运输 § 17 无需许可证的运输 § 18 运输的许可要求 第 5 节 放射性物质的跨境运输 § 19 需要授权的跨境运输 § 20 需要通知的跨境运输 § 21 有关跨境运输的例外情况和其他规定 § 22 许可跨境运输要求
厚 Al0.85Ga0 中的异常过量噪声行为。...
Al 0.85 Ga 0.15 As 0.56 Sb 0.44 由于其电子和空穴电离系数之间的比率非常大，因此作为 1550 nm 低噪声短波红外 (SWIR) 雪崩光电二极管 (APD) 的材料最近引起了广泛的研究兴趣。这项工作报告了厚 Al 0.85 Ga 0.15 As 0.56 Sb 0.44 PIN 和 NIP 结构的新实验过剩噪声数据，测得的噪声在比以前报告的乘法值高得多的倍增值下（F = 2.2，M = 38）。这些结果与经典的 McIntyre 过剩噪声理论不一致，该理论高估了基于该合金报告的电离系数的预期噪声。即使添加“死区”效应也无法解释这些差异。解释观察到的低过量噪声的唯一方法是得出结论，即使在相对较低的电场下，该材料中电子和空穴碰撞电离的空间概率分布也遵循威布尔-弗雷歇分布函数。仅凭电离系数的知识已不足以预测该材料系统的过量噪声特性，因此需要提取该合金的电场相关电子和空穴电离概率分布。
状态选择性准备和无限制检测O + 2 Ambesh Pratik Singh，1 Michael Mitchell，1 Will Henshon，1 Addison Hartma
在选定的量子状态下制备分子离子的能力可以在化学，计量学，光谱，量子信息和精度测量等领域进行研究。在这里，我们在分子束和离子陷阱中演示了（2 + 1）氧气增强的多光电离（REMPI）。REMPI频谱中的两光子转变是旋转分辨的，从而使从O 2的选定的Rovintarational态电离。拟合在此频谱上确定O 2 D1πg状态的光谱参数，并解决有关其带源的文献中的差异。被捕获的分子离子被共捕获的原子离子冷却。荧光质谱法非损坏性证明了光电离O + 2的存在。我们讨论了最大化地面旋转状态产生离子比例的策略。对于（2 + 1）通过d1πg状态，我们表明，在低于50 K的旋转温度下，Q（1）过渡是中性O 2的首选，而在较高温度下，O（3）过渡更适合。状态选择性负载和对捕获分子离子的无损检测的组合具有光学时钟，基本物理测试以及化学反应的控制中的应用。
