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高级固态锂电池及其安全性
作为下一代电池，全稳态电池（ASSB）吸引了广泛的关注。通常，ASSB包括无机固体电解电池，聚合物固体电解电池，复合聚合物/陶瓷固体电解电池等。但是，在Assb的设计和制造中仍然存在令人生畏的挑战。ASSB的最大挑战是接口问题，这导致ASB的容量，骑自行车和速率表现远低于传统LIB的能力。通常，界面问题非常复杂，可以在[24]中找到详细的讨论。图2（b）显示了ASSB的典型接口问题[25]。通常，空间电荷层和界面层会导致较大的界面阻抗，从而降低反应动力学并限制电池的性能。此外，充电和放电将进一步加剧接口问题。在
接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846
铜 - 终止复合材料中的电子传输
我们使用密度功能理论（DFT）框架研究了铜 - 甘油（CU – G）复合材料的电子传输性能。通过改变铜/石墨烯/铜（Cu/g/cu）界面模型的界面距离来研究复合材料中的传导。使用kubo-greenwood公式计算的模型的电子电导率表明，电导率随Cu – g的降低而增加，并且饱和以下是阈值Cu – g g距离。基于DFT的BADER电荷分析表明，在界面层和石墨烯的Cu原子之间的电荷转移增加，Cu – G距离降低。状态的电子密度揭示了铜和碳原子在费米水平附近的贡献，而Cu – G界面距离降低。通过计算Cu/g/cu模型的空格电导率，我们表明石墨烯在小Cu – G距离处形成了电子传导的桥梁，从而增强了电导率。
身份管理高级设计
第 1 章。高级设计概述 .............................3 1.1 了解系统架构。..........................4 1.1.1 逻辑组件架构 ..............................4 1.1.2 Web 用户界面层 .......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。....5 1.1.3 应用层。................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 1.1.4 服务层。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 1.1.5 LDAP 目录。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。11 1.1.6 数据库。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。11 1.1.7 资源连通性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 1.2 应用程序编程接口 (API) 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 1.2.1 应用程序 API 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。15 1.2.2 身份验证 API。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。17 1.2.3 数据服务。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。19 1.2.4 日志记录。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。39 1.2.5 邮件。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。40 1.2.6 政策。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。41 1.2.7 密码规则 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。43 1.2.8 远程服务.。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。46 1.2.9 工作流程。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。47 1.2.10 FESI 扩展。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。55 1.3 工作流程。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。55 1.3.1 脚本节点。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。56 1.3.2 工作流程扩展。。。。。。。。。。。。。。。。。。。......................56 1.4 自定义服务提供商 ......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。........57 1.5 自定义报告。............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。58 1.6 结论。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。58
界面工程对低功率应用的 MgO 基电阻开关器件的影响
这项工作报道了基于 MgO/Al 2 O 3 的电阻随机存取存储器 (ReRAM) 器件的电阻开关特性。分析表明，由于加入了 Al 2 O 3 插入层，主要导电机制从空间电荷限制导电变为肖特基发射。与单层器件相比，MgO/Al 2 O 3 双层 ReRAM 器件表现出更低的功率运行（降低 50.6%）和更好的开关均匀性，具体取决于堆栈配置。这可归因于 MgO/Al 2 O 3 界面处较低的氧空位积累和细丝限制，从而导致更可控的开关操作。对双层器件的进一步 X 射线光电子能谱 (XPS) 深度剖面分析表明，开关动力学与氧空位浓度直接相关。这些发现表明界面层工程对于改善 MgO 基存储器件的电阻开关特性的重要性，从而可以实现低功耗应用。
界面对环氧树脂-SiO2 复合材料中有效水分扩散的影响
环氧树脂模塑料 (EMC) 用于保护集成电路 (IC) 免受环境影响，其中之一就是水分侵入，从而导致腐蚀。为了获得所需的热性能和机械性能，EMC 需要大量 (二氧化硅) 填料，从而引入大量界面。虽然硅烷偶联剂可以促进良好的粘合，但它们已证明会引入界面体积，从而在玻璃纤维填充的环氧树脂中表现出环氧树脂和 SiO 2 之间更快的水分传输。在这项工作中，我们研究了 EMC 中的填料颗粒是否也引入了这种界面体积，以及它是否会影响复合材料的水分扩散系数。我们将动态蒸汽吸附 (DVS) 进行的水分吸收测量与有效介质理论的预测进行比较，以及基于我们的样品的微 CT 扫描的数值模拟，用于包含不同填料水平的模型环氧树脂系统和具有两种不同填料水平的商业 EMC 样品。从测量的 DVS 数据中，我们观察到有效扩散系数高于 EMC 和模型系统不存在任何界面时的预测值。这表明应该存在一个界面层。
开发了基于形态学的预测模型，用于考虑界面效应的二元信用聚合物混合物的机械性能
这项研究旨在开发一种基于形态学的模型，以预测聚合物与相分离结构的聚合物混合物的模量和拉伸强度。分析模型采用了打结和互连的骨骼结构（KISS）模型的几何方法，结合了不混合聚合物混合物的形态变化和组件的渗透阈值。通过假设各个形态态的特定厚度的薄界面层，可以解释聚合物/聚合物界面对机械性能的影响。使用IPP/PA，PP/PET和LDPE/PP聚合物混合物的实验数据评估了所提出的模型的预测能力，这些数据来自现有文献。结果在预测数据和观察到的数据之间建立了合理的规定。该模型的预测也与已建立的抗拉强度和杨氏混合物混合物模量的模型的预测进行了比较，这表明了其有效性。将界面区域纳入机械性能的建模过程中代表了所提出的模型的关键区别特征，从而增强了其与聚合物混合物的实际微结构的兼容性。此外，该模型对相对简单的数学计算的依赖提出了另一个关键优势。
不完美界面特性对各向同性多层结构反射系数影响的建模和数值研究。
A.Loukkal 1*、M.Lematre 1、M.Bavencoffe 1、M.Lethiecq 1 1 GREMAN UMR 7347，图尔大学，INSA Centre Val de Loire，3 rue de la Chocolaterie，布卢瓦，法国 abderrahmane.loukkal@univ-tours.fr 摘要 微电子行业对于开发用于多层结构健康控制和诊断的无损工具和方法的需求日益增加。这些工具的目的是检测诸如分层、夹杂和微裂纹等问题。本文的目的是研究不完美界面对多层结构中波传播的影响。这种结构类型代表了许多微电子元件的典型架构。这项研究将基于反射系数和导波色散曲线的计算。所研究的结构是各向同性的三层，其中两个金属层通过环氧树脂制成的粘合层粘合在一起。进行了比较，以便从数字上评估粘合层的几种特性对导波行为的影响。此外，还实施了不完美粘弹性界面层模型 [1]，以模拟金属层之间的不同粘附质量。关键词：反射系数；多层；不完美界面；导波；色散曲线；V(z,f) 方法；建模。
使用 KNN 算法评估学习者能力的有效通用评估框架
摘要。如今，在线评论和推荐系统在维护各种领域任何产品的质量方面发挥着重要作用。客户必须评估产品并根据自己的兴趣提供正面和负面评论。教育领域有各种评估阶段，即与员工相关、与学生相关和与组织相关等。通常，由于他们自己的协议和系统，评论仅限于特定的学院或大学。提出的框架是根据各自的配置实现通用评论系统。引入了各种模板以获得准确的评论和良好的评估结果。该框架使用抽象层建模。用户界面层为使用定制设计系统的用户提供完整支持。审查层通过检索和存储凭证以进行进一步审查处理来处理不同的所有数据。应用程序配置层用于提供模板，用于分配凭证和授权，并完成系统配置。最终报告用于评估过程，以采取纠正措施进一步改进。对评论进行分类是为了实现高水平的准确性。该框架的主要目标是使用 KNN（K 最近邻）算法对学生评论进行高效分类。
Si（100）热氧化动态建模
自 20 世纪 50 年代以来，硅及其原生氧化物 SiO 2 就已用于半导体技术，并且对于当今新型器件技术的开发仍然至关重要。最近的理论和实验研究表明，制造高质量的界面层对于现代纳米级器件的可靠运行至关重要。本文提出了一种基于第一性原理的方法，从理论上评估 2 纳米以下超薄层范围内技术相关的 Si(100) 表面的热氧化过程。通过从头算分子动力学和基于密度泛函的紧密结合模拟动态模拟氧化过程。我们定性地解释了实验上众所周知但理解甚少的初始氧化阶段氧化速率下降，这是各种氧化机制之间的复杂相互作用，例如表面的快速 O 2 解离、由分子前体状态介导的较慢氧结合以及 O 2 通过氧化物的扩散。我们的模型结合了以前报告的实验见解，形成了 Si 氧化物生长的全面图像。发现氧化物表面层立即非晶化的有力证据，并确定这是晶格振动的直接结果。此外，我们的建模方法是一种基于晶体硅表面的逐步氧化来生成逼真的非晶界面结构的新方法，也可以扩展到其他材料系统。