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World File Search System瞬态电流
离子迁移和金属卤化物钙壶中的空间充电区通过短路瞬态电流和数值模拟
已知金属卤化物钙钛矿材料中的固有离子迁移可引起基于偏置应用时这些化合物的X和𝜸射线检测器中有害且高度不稳定的深色电流。深色电流随着时间的流逝而缓慢漂移被确定为满足工业需求的这些设备的主要缺点之一。因为暗电流建立可检测性极限，电流演化和最终生长可能会掩盖通过传入的X射线光子产生的光电流信号。检测器评估的相关信息是离子相关参数，例如离子浓度，离子迁移率和离子空间充电区，这些区域最终在检测器偏置的外部接触附近建立。使用单晶和微晶毫米 - 毫米 - 甲基铵铅溴化物，允许在μ离子≈10-7cm 2 v - 1 s-1 s-ion univers outiation in I In ion umiention in I I Onion In ion In I IM ion umigiation 之后，使用单晶和微晶毫米 - 甲基铵铅溴化物，然后使用单晶和微晶毫米 - 甲基铵铅溴化物进行。钙钛矿结晶度。之后，使用单晶和微晶毫米 - 甲基铵铅溴化物，然后使用单晶和微晶毫米 - 甲基铵铅溴化物进行。钙钛矿结晶度。。钙钛矿结晶度。
集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
图 11 不同配置层偏压下 CSOI 器件瞬态电流典型曲线 （ a ） 和 CSOI SRAM 电路的单粒子翻转截面变化 （ b ） Fig. 11 Typical transient current curve of CSOI device (a) and single event upset cross-section variation of CSOI SRAM circuit (b) under different configuration layer biases
N型衬底超快三维沟槽电极硅探测器的抗辐射性能
摘要：ATLAS 和 CMS 实验预测高亮度大型强子对撞机（HL-LHC）最内层像素探测器的辐射注量高达 1 × 10 16 1 MeV n eq /cm 2。辐射剂量的增加将导致探测器性能下降，例如漏电流和完全耗尽电压增加，信号和电荷收集效率降低，这意味着有必要开发用于甚高亮度对撞机的抗辐射半导体器件。在我们前期对超快三维沟槽电极硅探测器的研究中，通过模拟不同最小电离粒子（MIP）撞击位置下的感应瞬态电流，验证了从 30 ps 到 140 ps 的超快响应时间。本工作将利用专业软件有限元技术计算机辅助设计（TCAD）软件框架，模拟计算探测器在不同辐射剂量下的全耗尽电压、击穿电压、漏电流、电容、加权场和MIP感应瞬态电流（信号）。通过分析模拟结果，可以预测探测器在重辐射环境下的性能。像素探测器的制作将在中国科学院微电子研究所的CMOS工艺平台上进行，采用超纯高电阻率（高达10 4 ohm·cm）硅材料。
基于人工神经网络的工具在电力电子可再生能源高渗透电力系统中的短路电流估计应用
摘要 基于电力电子 (PE) 的可再生能源越来越多地融入电力系统，与以同步发电机组为主的电力系统中的故障电流相比，对故障电流的传统水平和特性产生了重大影响。可再生能源丰富的电力系统的安全运行需要对高可再生能源份额的各种场景中的故障电流进行适当的估计。虽然使用详细而复杂的时域动态模拟可以计算故障电流，但从操作角度来看，由此产生的建模复杂性和计算负担可能不够。因此，有必要开发替代的更快的数据驱动故障电流估计方法来支持系统操作员。为此，本文利用基于人工神经网络 (ANN) 的工具来估计电力电子可再生能源渗透率高的电力系统中的短路电流特性。使用 DIgSILENT PowerFactory 离线生成针对不同可再生能源渗透率的短路，同时考虑可再生能源的控制要求（例如，故障穿越要求）。生成的数据集用于训练 ANN，以提供渗透水平与短路电流特性之间的映射。使用改进的 IEEE 9 总线测试系统应用该方法证明了其有效性，可以仅基于基于电力电子的可再生能源的渗透率高精度地估计短路电流（亚瞬态电流、瞬态电流和峰值电流）的分量。
Liebert® EXS 10-20kVA - Vertiv
在将设备连接到交流电源输入和电池电源之前，必须先接地。本设备配有 EMC 滤波器。接地漏电流范围为 0 至 1000 mA。在选择瞬时 RCCB 或 RCD 设备时，应考虑设备启动时可能出现的瞬态和稳态接地漏电流。必须选择对单向直流脉冲 (A 类) 敏感且不受瞬态电流脉冲影响的 RCCB 设备。还必须考虑到负载接地漏电流将由 RCCB 或 RCD 承担。设备必须按照当地电气规范接地。
AN-13-0001-Isolation Failure Modes in Capacitive Isolated Devices
电容性隔离产品（例如隔离器，隔离放大器，隔离电源产品等）是将输出与输入分开的设备，避免了两个系统之间的不需要直接和瞬态电流，而信号和功率可以正确传输。例如，隔离器可以将引用不同水平引用的信号，保护敏感的控制模块免受高压的影响，并在发生电气故障时最小化故障覆盖率。对于这些孤立的产品，隔离屏障的故障会导致系统故障和潜在的操作员安全危害。在这里，我们讨论了隔离失效模式的机制以及推荐的电容隔离设备以避免隔离失败的方法。
有限时间内跨越量子相变时的功分布量子性和不可逆性
有限时间动力学中非平衡量子系统的热力学行为包括能量涨落的描述，这决定了一系列系统的物理特性。此外，多体系统中的强相互作用显著影响非平衡动力学中的能量涨落统计。通过驱动瞬态电流来对抗各种动力学状态下的金属-莫特绝缘体转变的前兆，我们展示了增加多体相互作用如何显著影响能量涨落的统计，从而影响有限哈伯德链的可提取功分布。此类分布的统计特性，如其偏度及其在转变过程中的显著变化，可能与不可逆性和熵产生有关。即使对于缓慢的驱动速率，准量子相变也会阻碍平衡，增加过程的不可逆性，并在功分布中引起强烈的特征。在莫特绝缘相中，功涨落-耗散平衡被修改，不可逆熵产生主导功涨落。因此，在设计用于量子技术的小规模设备协议时，必须考虑相互作用驱动的量子相变对热力学量和不可逆性的影响。最终，这种多体效应也可以用于量子尺度的功提取和制冷协议。
智能电网光伏储能环境中的电动汽车
摘要——本研究介绍了一种新型混合滑模控制器，该控制器集成了人工神经网络 (SMC-ANN)，用于使用智能电源管理系统 (IPMS) 进行实际电力交换。本文的目的是探索电动汽车的瞬态和稳态电压、瞬态电流、瞬态功率以及电动汽车扭矩和电动汽车速度。在给出一个非线性信号来模拟网络在其正常行为的横截面上“滑动”时，滑模控制是一种影响非线性系统动态的非线性控制策略。该设置包括公用电网、集成光伏电源 (PV) 能量和电池存储系统 (BSS)。实施高增益 DC/DC 升压转换器以将 BSS 连接到 DC 总线。电源调节系统从 PV 面板 (PCS) 接收直流输出电压。这些转换器的双向特性提供了存储系统、负载和 PV 系统之间电力传输的好处。将新开发的算法得到的结果与传统滑模控制器 (SMC) 进行比较，发现新开发的算法比传统算法产生的结果更好。使用 MATLAB 软件进行仿真。索引术语 — 电池存储系统 (BSS)、光伏系统 (PV)、滑模控制 (SMC)、人工神经网络 (ANN) 和 MATLAB。
阐明微电子封装材料中离子扩散率的巨大变化
腐蚀风险对满足在恶劣环境下使用的微电子设备的严格可靠性要求构成挑战。微电子设备通常封装在聚合物封装材料中，以防止腐蚀。然而，这些聚合物并非完全密封，因此允许少量离子和水分进入设备，这可能会导致微电子电路腐蚀。为了提高和预测设备的可靠性，量化这些材料中的离子扩散率非常重要。以前报告的离子扩散率值对于同一类材料来说相差多个数量级。在这里，我们使用三种实验方法调查这种差异的原因：(i) 盐水浸泡、(ii) 扩散池测量和 (iii) 瞬态电流测量。测试了几种材料，例如硅树脂、环氧树脂和聚酰胺，以涵盖微电子行业使用的广泛聚合物。我们发现，差异可能是由于离子扩散率对聚合物中的水分含量以及溶质的盐浓度和 pH 值有很强的依赖性。此外，我们发现，极低的离子扩散率会导致测量时间过长，因此样品中因污染、泄漏或微小缺陷而导致误差的风险很大。
使用3D数值设备仿真
在垂直旋转的大型MOSFET上形成了一个铃声，其浓缩缸充当源，门和排水区域。通过将轻微掺杂的区域集成到常规的铃声结构中，可以设计三种不同类型的LDD植入铃声，其中植入位置定义了每种类型。如果仅将LDD植入源侧，则会产生SLDD铃声，并且仅将LDD植入排水侧，则会导致DLDD铃声。最后，在排水管和源侧植入LDD时，它形成了LDD铃声结构。使用3D TCAD模拟评估重离子辐射对三种不同类型的LDD铃声结构的影响，并将其与正常入射率下对常规铃声结构的影响进行比较。离子打击的位置，入射角以及所得的瞬态电流和收集的电荷都会影响设备的灵敏度，可用于识别其脆弱区域。已经发现，在源和排水侧植入LDD的铃声结构对辐射诱导的损坏更具弹性，因为它表现出98.271 FC的较低收集费用与常规铃声（106.768 fc）相比，SLDD（101.768 fc），SLDD Ringfet（101.549 fc）和DLD Ringfet（100 fc）（100 fc）（100）。 MEV/（mg/cm²）。此外，与其他两个LDD结构和常规铃声结构相比，LDD植入的铃声表现出优异的I ON /I OFF比率。