机构名称：
¥ 1.0
在垂直旋转的大型MOSFET上形成了一个铃声，其浓缩缸充当源，门和排水区域。通过将轻微掺杂的区域集成到常规的铃声结构中，可以设计三种不同类型的LDD植入铃声，其中植入位置定义了每种类型。如果仅将LDD植入源侧，则会产生SLDD铃声，并且仅将LDD植入排水侧，则会导致DLDD铃声。最后，在排水管和源侧植入LDD时，它形成了LDD铃声结构。使用3D TCAD模拟评估重离子辐射对三种不同类型的LDD铃声结构的影响，并将其与正常入射率下对常规铃声结构的影响进行比较。离子打击的位置，入射角以及所得的瞬态电流和收集的电荷都会影响设备的灵敏度，可用于识别其脆弱区域。已经发现，在源和排水侧植入LDD的铃声结构对辐射诱导的损坏更具弹性，因为它表现出98.271 FC的较低收集费用与常规铃声（106.768 fc）相比，SLDD（101.768 fc），SLDD Ringfet（101.549 fc）和DLD Ringfet（100 fc）（100 fc）（100）。 MEV/（mg/cm²）。此外，与其他两个LDD结构和常规铃声结构相比，LDD植入的铃声表现出优异的I ON /I OFF比率。
使用3D数值设备仿真
主要关键词
相关文件推荐
