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直拉硅中氧化物沉淀过程中 Si 自填隙发射的实验测定
我们采用了 Torigoe 和 Ono [ J. Appl. Phys. , 121 , 215103 (2017)] 的方法来研究直拉硅中氧化物沉淀过程中 β 的动力学，β 是每个沉淀氧原子发射的自间隙子数量。为此，我们使用了具有埋入式高 B 掺杂外延层的 pp 外延晶片，并在 950 °C 下进行和未进行热预处理进行退火。根据结果，我们得出结论，在没有热预处理的氧化物沉淀的初始阶段，β 非常高，然后下降到较低的值。在 800 °C 下进行 2 小时的热预处理后，β 的初始值会稍低，然后也会下降。如果在 950 °C 热处理之前进行成核退火，β 值从一开始就很低。所有这些结果都通过实验证实了我们之前发表的理论预测。这项研究还表明，晶体拉制过程会影响初始 β 值，因为生长的氧化物沉淀物核可以通过空位吸收来降低其应变。因此，在氧化物沉淀物成核时晶体冷却过程中的高空位过饱和会导致初始 β 值略低。© 2024 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款分发（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/ ），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，前提是对原始作品进行适当引用。[DOI：10.1149/ 2162-8777/ad670d ]
硅中腔增强单个人工原子
固体中的人造原子是量子网络、可扩展量子计算和传感的主要候选者，因为它们将长寿命自旋与移动光子量子比特结合在一起。最近，硅已经成为一种很有前途的主体材料，其中可以可控地制造具有长自旋相干时间并发射到电信波段的人造原子。该领域利用硅光子学的成熟度将人造原子嵌入到世界上最先进的微电子和光子学平台中。然而，目前的一个瓶颈是这些原子天生较弱的发射率，这可以通过耦合到光腔来解决。在这里，我们展示了在电信波长下腔增强的硅中单个人造原子（G 中心）。我们的结果表明它们的零声子线强度增强以及高纯度的单光子发射，而它们的寿命在统计上保持不变。我们提出可能存在两种不同类型的 G 中心，这对硅发射极的特性提供了新的见解。
硅中的分布式量子计算：
• T 中心分布式纠缠背景下的 Hong-Ou-Mandel (HOM) 协议：可以通过要纠缠的量子位发射的两个光子的干涉来建立远程纠缠。要使此过程成功，两个通信量子位（每个位于 T 中心）发射的光子必须是无法区分的——无论是波长、相位还是到达时间。成功发射两个无法区分的光子的能力可以用 HOM 协议来表征。此步骤是关键的系统校准检查，可确保未来尝试运行 Barrett-Kok 等纠缠协议时可能取得成功。
硅中可编程的量子发射机形成
基于硅的量子发射器是大规模量子集成的候选物，这是由于其单光子发射特性和具有长的自旋相干时间的自旋光子接口的潜力。在这里，我们使用飞秒激光脉冲与基于氢的缺陷激活和单个中心水平的钝化相结合，展示了本地写作和擦除选定的发光缺陷。通过在碳植入硅的热退火过程中选择形成气体（n 2 /h 2），我们可以选择一系列氢和碳相关的量子发射器的形成，包括T和C I中心，同时钝化了更常见的G-Centers。C I Center是一种电信S波段发射器，具有有希望的光学和自旋特性，由硅晶格中的单个间隙碳原子组成。密度功能理论计算表明，在存在氢的情况下，C I CENTER亮度通过几个数量级增强。fs-laser脉冲在局部影响量子发射量的钝化或激活，以氢的氢，以形成所选量子发射器的程序。
硅中可编程量子发射器的形成
硅基量子发射器因其单光子发射特性和在长自旋相干时间的自旋光子界面中的潜力而成为大规模量子比特集成的候选者。在这里，我们展示了使用飞秒激光脉冲结合基于氢的缺陷激活和钝化在单中心水平上对选定的发光缺陷进行局部写入和擦除。通过在碳注入硅的热退火过程中选择合成气体（N 2 /H 2 ），我们可以选择形成一系列与氢和碳相关的量子发射器，包括T 和C i 中心，同时钝化更常见的G 中心。C i 中心是一种电信S波段发射器，具有良好的光学和自旋特性，由硅晶格中的单个间隙碳原子组成。密度泛函理论计算表明，在氢存在的情况下，C i 中心亮度提高了几个数量级。 Fs 激光脉冲局部影响量子发射器的氢钝化或活化，从而可编程形成选定的量子发射器。
在硅中鉴定出的抗真菌植物类黄酮，其可能控制由Magnaporthe oryzae引起的水稻爆炸
1概念系生物科学系遗传工程和生物技术系，吉大港大学，纽约市，孟加拉国，2个生物技术和遗传工程学院，Sylhet农业大学，Sylhet，Sylhet，Sylhet，Bangladesh，Bangladesh，3印度，美国西弗吉尼亚大学，美国西弗吉尼亚大学，美国摩根镇4计算机科学与电气工程系，美国，美国科学技术科技大学的生物化学和生物技术系5研究（BCSIR），孟加拉国纽约市8号应用化学与化学工程系，吉大港大学，吉大港，孟加拉国吉大港大学，孟加拉国9，孟加拉国研究所9，孟加拉国加西普尔，孟加拉国10，生物技术学院，生物技术学院和基因工程研究所（IBGE）孟加拉国加兹普尔
神经：一种多模式的方法，用于生成硅中的新蛋白质变体
。cc-by-nc-nd 4.0国际许可证（未经同行评审证明）获得的是作者/资助者，他授予Biorxiv授予Biorxiv的许可，以永久显示预印本。这是该版本的版权持有人，该版本于2024年3月14日发布。 https://doi.org/10.1101/2024.03.12.584504 doi：Biorxiv Preprint
多晶硅中的压力诱导超导性...
高温超导体由于其在变革性技术应用方面的巨大潜力，一直处于科学探索的前沿。铜酸盐高温超导体 [1,2] 的突破性发现（通过掺杂具有强电子关联的莫特绝缘体可实现超导 [3,4]）在过去的几十年中激发了人们的无数努力，以揭示其机制并寻找更多具有高 T c 的超导家族。具有 Ni +（3 d 9 ）电子结构的镍酸盐与铜酸盐在结构和电子方面具有惊人的相似性，为发现新的高温超导体提供了一条诱人的途径。然而，直到 2019 年，无限层 Nd 1-x Sr x NiO 2 薄膜被发现具有 T c 约 9-15 K 的超导性 [5]，才在镍酸盐中实验实现超导。此后，人们致力于寻找更多具有更高 T c 的镍酸盐超导体 [6,7]。后来研究表明，在 12.1 GPa 下，Pr 0.82 Sr 0.18 NiO 2 薄膜的 T c 可以提高到 30 K 以上 [8]。然而，在镍酸盐薄膜中观察到的超导性在块体样品中不再出现 [9]。
通过辐照在非晶硅中制备的纳米粒子尺寸越小，越软……
“越小越软”是强度的逆尺寸依赖性，违背了“越小越强”的原则。它通常由表面介导的位移或扩散变形引起，主要存在于一些超小尺度（几十纳米以下）的金属材料中。在这里，利用离子束辐照的表面改性，我们在更大尺寸范围（< ∼ 500 纳米）的共价键、硬而脆的材料非晶硅（a-Si）中实现了“越小越软”。它表现为从准脆性破坏到均匀塑性变形的转变，以及在亚微米级范围内随着样品体积的减小而屈服应力的降低。提出了一个硬核/超塑性壳的分析模型来解释人为可控的尺寸相关软化。这种通过离子辐照的表面工程途径不仅对于调整小尺寸非晶硅或其他共价结合非晶态固体的强度和变形行为特别有用，而且对于非晶硅在微电子和微机电系统中的实用性也具有实际意义。© 2023 由 Elsevier Ltd 代表《材料科学与技术杂志》编辑部出版。
在低温下氮化硅中固有的单光子发射器的光物理
图1。多价逻辑薄膜元素带有加密。（a）蒸发诱导的自组装（EISA）CNC膜上iTO/玻璃基板上。通过精确降低NaCl溶液，CNC的手性螺距通过相对湿度控制（比例尺为1mm）调节。（b）由光子带隙（相对湿度，H和盐浓度，S）和光子能量（波长，W和极化状态，P）触发的生物多值逻辑系统的图形符号，并通过以下转换后的字母字母来解码电信号。（c）基于集成电路的光通信启用了主动手性生物介电层。特定的输入提供了光学通信，并通过在系统中调整H通过加密传输“制造”信号。