机构名称：
¥ 1.0
我们采用了 Torigoe 和 Ono [ J. Appl. Phys. , 121 , 215103 (2017)] 的方法来研究直拉硅中氧化物沉淀过程中 β 的动力学，β 是每个沉淀氧原子发射的自间隙子数量。为此，我们使用了具有埋入式高 B 掺杂外延层的 pp 外延晶片，并在 950 °C 下进行和未进行热预处理进行退火。根据结果，我们得出结论，在没有热预处理的氧化物沉淀的初始阶段，β 非常高，然后下降到较低的值。在 800 °C 下进行 2 小时的热预处理后，β 的初始值会稍低，然后也会下降。如果在 950 °C 热处理之前进行成核退火，β 值从一开始就很低。所有这些结果都通过实验证实了我们之前发表的理论预测。这项研究还表明，晶体拉制过程会影响初始 β 值，因为生长的氧化物沉淀物核可以通过空位吸收来降低其应变。因此，在氧化物沉淀物成核时晶体冷却过程中的高空位过饱和会导致初始 β 值略低。© 2024 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款分发（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/ ），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，前提是对原始作品进行适当引用。[DOI：10.1149/ 2162-8777/ad670d ]
直拉硅中氧化物沉淀过程中 Si 自填隙发射的实验测定
主要关键词
相关文件推荐
