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固体中的人造原子是量子网络、可扩展量子计算和传感的主要候选者，因为它们将长寿命自旋与移动光子量子比特结合在一起。最近，硅已经成为一种很有前途的主体材料，其中可以可控地制造具有长自旋相干时间并发射到电信波段的人造原子。该领域利用硅光子学的成熟度将人造原子嵌入到世界上最先进的微电子和光子学平台中。然而，目前的一个瓶颈是这些原子天生较弱的发射率，这可以通过耦合到光腔来解决。在这里，我们展示了在电信波长下腔增强的硅中单个人造原子（G 中心）。我们的结果表明它们的零声子线强度增强以及高纯度的单光子发射，而它们的寿命在统计上保持不变。我们提出可能存在两种不同类型的 G 中心，这对硅发射极的特性提供了新的见解。
硅中腔增强单个人工原子
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