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基于硅的量子发射器是大规模量子集成的候选物，这是由于其单光子发射特性和具有长的自旋相干时间的自旋光子接口的潜力。在这里，我们使用飞秒激光脉冲与基于氢的缺陷激活和单个中心水平的钝化相结合，展示了本地写作和擦除选定的发光缺陷。通过在碳植入硅的热退火过程中选择形成气体（n 2 /h 2），我们可以选择一系列氢和碳相关的量子发射器的形成，包括T和C I中心，同时钝化了更常见的G-Centers。C I Center是一种电信S波段发射器，具有有希望的光学和自旋特性，由硅晶格中的单个间隙碳原子组成。密度功能理论计算表明，在存在氢的情况下，C I CENTER亮度通过几个数量级增强。fs-laser脉冲在局部影响量子发射量的钝化或激活，以氢的氢，以形成所选量子发射器的程序。
硅中可编程的量子发射机形成
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