XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System钝化
对硒扩散和钝化太阳能电池中硒扩散和钝化的定量评估
在CDSETE/CDTE太阳能电池中引入硒已导致归因于散装缺陷的钝化的设备性能。在这项工作中，对具有不同SE浓度的一系列CDSETE/CDTE薄膜进行高分辨率的阴极发光实验，以量化SE的机理和钝化作用。我们证明了SE浓度和辐射效率之间的普遍依赖性，以及CDTE和CDSE 0.4 TE 0.6之间发光的10倍。原始的发光图被转换为SE浓度的地图，揭示了其在堆栈中的分级轮廓。我们证明了SE沿氯化镉退火处理引起的CDTE晶界的扩散并确定扩散系数，在晶界，在晶界的扩散系数是晶粒内部的八倍以上。这些结果为SE分布及其对CDSETE/CDTE太阳能电池的钝化的影响提供了微观见解。
多层膜钝化提高功率半导体器件的可靠性
汽车对设备在高应力和恶劣工作条件下运行的要求越来越严格。在这种情况下，钝化层在确定电气性能和可靠性方面起着根本性的作用。本研究重点关注应用于最先进功率器件的一次和二次钝化层及其对可靠性的影响。使用标准模块封装中组装的功率二极管作为测试载体，并进行高压温度湿度偏置测试以对结构施加应力。完整的故障模式分析突出了钝化层退化背后的现象。通过应用特定的无机和有机层组合来评估不同的钝化方案。最后，总结了典型的退化机制和相互作用。
多孔硅纳米结构和阳极 SiO2 表面钝化可提高多孔硅太阳能电池效率
摘要：研究了多孔硅 (PS) 表面二氧化硅 (SiO 2 ) 阳极形成过程中的光伏效应，旨在开发一种潜在的钝化技术，实现高效的纳米结构硅太阳能电池。PS 层是在含氢氟酸 (HF) 的电解质中通过电化学阳极氧化制备的。在室温下，在 HCl/H 2 O 溶液中通过自下而上的阳极氧化机制在 PS 表面形成阳极 SiO 2 层。通过调节阳极氧化电流密度和钝化时间来精确控制表面钝化的氧化层厚度，以在 PS 层上实现最佳氧化，同时保持其原始纳米结构。PS 层微观结构的 HRTEM 表征证实了 PS/Si 界面处的原子晶格匹配。研究了光伏性能、串联电阻和分流电阻对钝化时间的依赖关系。由于 PS 表面钝化充分，阳极氧化时间为 30 秒的样品实现了 10.7% 的最佳转换效率。外部量子效率 (EQE) 和内部量子效率 (IQE) 表明由于 PS 的抗反射特性，反射率显著下降，而由于 SiO 2 表面钝化，则表明性能优越。总之，PS 太阳能电池的表面可以通过电化学阳极氧化成功钝化。
通过序列特异性化学钝化的2D WS2中的同步光致发光和电动迁移率增强
摘要：二维（2D）半导体二进制二进制对下一代电子和光子设备的非凡希望。尽管存在这种潜力，但在2D二分法中存在缺陷的存在导致载体的迁移率和光致发光（PL），而理论预测明显不足。尽管缺陷钝化提供了潜在的解决方案，但其影响并不一致。这是由于缺乏对2D材料表面化学的化学理解。In this work, we uncover new binding chemistry using a sequence-specific chemical passivation (SSCP) protocol based on 2-furanmethanothiol (FSH) and bis(trifluoromethane) sulfonimide lithium salt (Li-TFSI), which demonstrates a synchronized 100-fold enhancement in both carrier mobility and PL in WS 2 monolayers.我们提出了一种由超快瞬态吸收光谱（TA），硬X射线光电学光谱镜（HAXPES）和密度功能理论（DFT）钙化支持的中性和带电硫空位（SV）的原子水平协同缺陷钝化机制。我们的结果为2D WS 2建立了一个新的半导体质量基准，为开发可持续2D半导体技术铺平了道路。■简介
通过脉冲激光软沉积 TCO 以获得高质量的超薄多晶硅钝化接触
本文探讨了脉冲激光沉积 (PLD) 透明导电氧化物 (TCO) 在高质量超薄多晶硅基钝化接触上的适用性。通过减小多晶硅层厚度，可以最大限度地减少多晶硅层引起的寄生吸收。然而，多晶硅触点上的 TCO 沉积（通常通过溅射）会导致严重的沉积损伤，并进一步加剧较薄多晶硅层（<20 纳米）的表面钝化。虽然可以使用高温（约 350 摄氏度）热处理来部分修复表面钝化质量，但由于在多晶硅/ITO 界面形成了寄生氧化层，接触电阻率严重增加。或者，我们表明 PLD TCO 可用于减轻超薄（约 10 纳米）多晶硅层的损伤。通过增加沉积压力可以进一步改善多晶硅触点钝化，同时通过在高质量超薄多晶硅（n+）触点上使用 PLD 掺杂铟的氧化锡 (ITO) 层可实现低触点电阻率（约 45 m Ω cm 2）和良好的热稳定性（高达 350 °C）。通过将 PLD ITO 膜的出色光电特性与 10 nm 薄多晶硅触点相结合，可以实现高度透明的正面触点。
扫描电化学显微镜表明，模型硅阳极在日历老化期间展示了全局固体电解质中相钝化降解
摘要：硅是一种有希望的下一代阳极，可在商业石墨阳极上增加能量密度，但日历寿命仍然有问题。在这项工作中，使用扫描电化学显微镜来跟踪硅薄膜表面随时间表面的位点特异性反应性，以确定在形成的固体电解质相位相（SEI）（SEI）是否发生了不良的法拉达反应（SEI），在日历中，在四个情况下，在四个情况下，在1.5 v和100 mV之间的形式和1.1的形成（1）。 V和100 mV，随后的休息从（3）0.75 V和（4）100 mV开始。在所有情况下，硅的电钝化在3天的时间内随时间和潜力的增加而降低。随着钝化的减少，在500μm2面积上钝化的均匀性随时间降低。尽管反应性有一些局部“热点”，但钝化的面积均匀性表明全局SEI失败（例如，SEI溶解），而不是局部化（例如，破裂）失败。The silicon delithiated to 1.5 V vs Li/Li + was less passivated than the lithiated silicon (at the beginning of rest, the forward rate constants, k f , for ferrocene redox were 7.19 × 10 − 5 and 3.17 × 10 − 7 m/s, respectively) and was also found to be more reactive than the pristine silicon surface ( k f of 5 × 10 − 5 m/s).这种反应性可能是SEI氧化的结果。仅将细胞与li/li +截然不同时，表面仍在钝化（k f为6.11×10-6 m/s），但仍然比岩性表面（k f的3.03×10-9 m/s）少。这表明阳极的电势应保持在或低于〜0.75 v vs li/li +以防止SEI钝化。此信息将有助于调整电压窗口，以进行SI Half Half细胞和SI完整单元的操作电压以优化日历寿命。所提供的结果应鼓励研究界在日历老化期间研究化学而不是机械的故障模式，并停止使用1.5 V的典型惯例作为半细胞中循环SI的截止潜力。关键字：日历老化，硅，电池，SECM，钝化，SEI■简介
对硒扩散和钝化太阳能电池中硒扩散和钝化的定量评估
在CDSETE/CDTE太阳能电池中引入硒已导致归因于散装缺陷的钝化的设备性能。在这项工作中，对具有不同SE浓度的一系列CDSETE/CDTE薄膜进行高分辨率的阴极发光实验，以量化SE的机理和钝化作用。我们证明了SE浓度和辐射效率之间的普遍依赖性，以及CDTE和CDSE 0.4 TE 0.6之间发光的10倍。原始的发光图被转换为SE浓度的地图，揭示了其在堆栈中的分级轮廓。我们证明了SE沿氯化镉退火处理引起的CDTE晶界的扩散并确定扩散系数，在晶界，在晶界的扩散系数是晶粒内部的八倍以上。这些结果为SE分布及其对CDSETE/CDTE太阳能电池的钝化的影响提供了微观见解。
2D/3D卤化物钙钛矿膜的控制结晶的综合沉积和钝化策略
这项工作引入了简化的沉积程序，用于多维（2D/3D）钙钛矿薄膜，在形成3D perovskite时，将氯化苯乙林（PEACL）处理整合到反提供的步骤中。这种同时沉积和钝化策略减少了合成步骤的数量，同时稳定卤化物钙钛矿纤维，并将所得太阳能电池设备的光伏性能提高到20.8％。使用多模式原位和其他原位特征的组合，证明PEACL在钙钛矿纤维纤维形成过程中的引入减慢了晶体生长过程，从而导致晶粒尺寸较大，从而导致较大的晶粒尺寸和较窄的晶粒尺寸，从而减少晶粒边界处的载载流量，并提高设备的性能和设备的性能和稳定性。数据表明，在退火过程中，PEACL差用于膜的表面，形成疏水（Quasi）2D结构，可保护大部分钙钛矿纤维中的perove胶剂免受湿度诱导的降解。
ADHD患者的灵活奖励学习受损与腹侧纹状体和顶叶皮质中的钝化敏感性和神经信号有关
基于奖励的学习和决策是了解注意力缺陷多动障碍（ADHD）的症状的主要候选人。但是，只有有限的证据可用于多动症中所见变化的神经计算基础。这涉及动态变化的环境中的灵活行为适应，这对于患有多动症的人来说是具有挑战性的。先前的一项研究表明，青少年多动症的选择转换升高，伴随着内侧前额叶皮层中的学习信号。在这里，我们使用概率逆转学习实验（fMRI）研究了与年龄和性别匹配的对照（n = 17）相比，我们研究了ADHD（n = 17）的年轻人（n = 17）。任务需要持续学习，以指导灵活的行为适应变化的奖励意外事件。为了解开行为数据的神经计算基础，我们使用了加固学习（RL）模型，该模型为fMRI数据的分析提供了信息。ADHD患者的表现比对照组较差，尤其是在逆转之前的试验中，即奖励调解稳定时。这种模式是由“嘈杂”选择切换产生的，无论先前的反馈如何。RL建模显示，ADHD患者的负反馈降低了增强敏感性和增强的学习率。在神经水平上，这反映在ADHD中左后顶叶皮层中选择概率的降低表示。由于样本量相对较小，这些神经计算发现仍然是初步的。建模显示了对未选择选项的学习的边缘降低，这与学习信号的边缘减少相似，该学习信号纳入了左侧腹侧纹状体中的未选择选项。在一起，我们表明，多动症中的灵活行为受损是由于选择过度切换（“超灵活性”），这取决于学习环境，这可能是有害的或有益的。在计算上，这是由于对加强的敏感性而引起的，我们检测到了注意力控制网络中的神经相关性，特别是在顶叶皮层中。
通过多功能两性离子钝化工程实现高性能、稳定的纯蓝色准二维钙钛矿发光二极管
罗云汉 b,d, * 杨仁强 e 和侯林涛 a, * a 暨南大学物理与光学工程学院，广东省真空镀膜技术与新能源材料工程技术研究中心，广州市真空镀膜技术与新能源材料重点实验室，广州，中国 b 暨南大学物理与光学工程学院，广东省光纤传感与通信重点实验室，广州，中国 c 郑州大学物理与微电子学院，材料物理教育部重点实验室，郑州，中国 d 暨南大学，广东普通高校光电信息与传感技术重点实验室，广州，中国 e 江汉大学，光电材料与技术学院，光电化学材料与器件教育部重点实验室，武汉，中国