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氧析出反应导致 Ni-Cr-Mo 合金钝化破坏
腐蚀是限制金属材料寿命的主要因素，由于控制钝化的金属-液体界面处的薄氧化膜极难研究，因此很难从根本上了解其控制机理和表面过程。在这项工作中，我们结合同步加速器技术和电化学方法来研究 Ni-Cr-Mo 合金的钝化膜击穿，该合金在很多工业应用中都有使用。我们发现该合金对氧析出反应 (OER) 具有活性，OER 的开始与钝化的丧失和严重的金属溶解同时发生。OER 机制涉及氧化膜中 Mo 4 + 位点的氧化为可溶解的 Mo 6 +，从而导致钝化击穿。这与典型的含 Cr 合金的跨钝化击穿有着根本的不同，在含 Cr 合金中，Cr 6 + 被认为在高阳极电位下溶解，但本文并未观察到这种现象。在高电流密度下，OER 还会导致表面附近溶液酸化，进一步引发金属溶解。由于 Ni-Cr-Mo 合金具有催化活性，OER 在其钝化破坏机制中起着重要作用，在研究催化活性合金的腐蚀时需要考虑这种影响。
柔性CMUT微加工的结构和钝化膜的介电表征
电容性微机械超声传感器（CMUT）技术在过去十年中一直在迅速发展。在制造和集成方面的进步，再加上改进的建模，使CMUT能够进入主流超声成像。与常规技术相比，CMUT超声传感器传达了许多优势，例如大带宽和效率[1]，[2]，易于制造大型阵列和较低的成本。CMUT是一种高电场设备，通过通过充电和分解等问题来控制高电场，可以具有具有优越的带宽和敏感性的超声传感器，可以与电子设备集成并使用传统的集成电路制造技术制造，并具有所有优势。可以使CMUT设备灵活地包裹在圆柱体甚至人体组织上，并且由于使用Su-8 [3]，[4]，[8]或Polyirimide [5]，[8]，所有这些都可能使所有这些可能。在本文中，我们介绍了两种具有基本重要性的电介质材料的电气表征，以制造具有提及的特征的设备：氧化硅（SIO 2）在电荷注入和击穿方面对高电场具有出色的响应，以及具有优化且具有优化结构和
通过脉冲激光软沉积 TCO 以获得高质量的超薄多晶硅钝化接触
本文探讨了脉冲激光沉积 (PLD) 透明导电氧化物 (TCO) 在高质量超薄多晶硅基钝化接触上的适用性。通过减小多晶硅层厚度，可以最大限度地减少多晶硅层引起的寄生吸收。然而，多晶硅触点上的 TCO 沉积（通常通过溅射）会导致严重的沉积损伤，并进一步加剧较薄多晶硅层（<20 纳米）的表面钝化。虽然可以使用高温（约 350 摄氏度）热处理来部分修复表面钝化质量，但由于在多晶硅/ITO 界面形成了寄生氧化层，接触电阻率严重增加。或者，我们表明 PLD TCO 可用于减轻超薄（约 10 纳米）多晶硅层的损伤。通过增加沉积压力可以进一步改善多晶硅触点钝化，同时通过在高质量超薄多晶硅（n+）触点上使用 PLD 掺杂铟的氧化锡 (ITO) 层可实现低触点电阻率（约 45 m Ω cm 2）和良好的热稳定性（高达 350 °C）。通过将 PLD ITO 膜的出色光电特性与 10 nm 薄多晶硅触点相结合，可以实现高度透明的正面触点。
体罚与对错误的神经反应更大，对青春期的奖励的神经反应率钝化
抽象背景：尽管体罚是一种常见的惩罚形式，对健康和行为产生了已知的负面影响，但这种惩罚如何影响神经认知系统是相对未知的。方法：为了解决这个问题，我们检查了体罚如何影响149名11至14岁青少年男孩和女孩的错误和奖励处理的神经测度（平均年龄[SD] = 11.02 [1.16]）。使用压力和逆境清单评估了一生中经历的体罚。此外，分区完成了一项艰巨的任务和奖励任务，以分别衡量与误差有关的负效率和奖励阳性，以及焦虑和抑郁症状的措施。结果：如上所述，经历过终身体罚的参与者报告了更多的焦虑和抑郁症状。体会惩罚也与更大的与错误相关的消极情绪和钝性的奖励积极性有关。重要的是，体罚与更大的与错误相关的消极情绪和更钝的奖励积极性独立相关，超出了严厉的育儿和终身压力源的影响。结论：体罚似乎会增强对错误的神经反应，并减少对奖励的神经反应，这可能会增加焦虑和抑郁症状的风险。
带有 Ag/AlOx 钝化背反射器的超薄 Cu(In,Ga)Se2 太阳能电池
摘要：在 Ag/AlO x 堆栈上生长了 550 nm 的超薄 Cu(In,Ga)Se 2 (CIGS) 吸收层。堆栈的添加使太阳能电池的填充因子、开路电压和短路电流密度得到改善。效率从 7% 提高到近 12%。光致发光 (PL) 和时间分辨 PL 得到改善，这归因于 AlO x 的钝化特性。由于光散射和表面粗糙度增加，测量到的电流增加了近 2 mA/cm 2。利用飞行时间-二次离子质谱法测量了元素分布。发现 Ag 贯穿整个 CIGS 层。Mo 背面的二次电子显微镜图像显示了 Ag/AlO x 堆栈的残留物，这通过能量色散 X 射线光谱测量得到了证实。这被认为是导致表面粗糙度和散射特性增加的原因。在正面，可以看到带有 Ag/AlO x 背接触的电池有大片污渍。因此，在裸露的吸收层上应用了氨硫化物蚀刻步骤，将效率进一步提高到 11.7%。它显示了在背面使用 Ag/AlO x 堆栈来改善超薄 CIGS 太阳能电池的电气和光学特性的潜力。
硅介电层不同钝化参数的电容电压曲线模拟
摘要：表面钝化是一种广泛使用的技术，可减少半导体表面的复合损失。钝化层性能主要可以通过两个参数来表征：固定电荷密度（𝑄ox）和界面陷阱密度（𝐷it），它们可以从电容-电压测量（CV）中提取。在本文中，使用模拟钝化参数开发了高频电容-电压（HF-CV）曲线的模拟，以检查测量结果的可靠性。𝐷it 由两组不同的函数建模：首先，代表不同悬空键类型的高斯函数之和和应变键的指数尾部。其次，采用了由指数尾部和常数值函数之和表示的更简单的 U 形模型。使用基于晶体硅上的二氧化硅（SiO 2 /c-Si）的参考样品的实验测量来验证这些模拟。此外，还提出了一种使用简单 U 形 𝐷 it 模型拟合 HF-CV 曲线的方法。通过比较近似值和实验提取的 𝐷 it 的平均值，发现相对误差小于 0.4%。近似 𝐷 it 的常数函数表示在复合效率最高的中隙能量附近实验提取的 𝐷 it 的平均值。
钙钛矿太阳能电池的超薄血浆聚合物钝化，以提高稳定性和可重复性
在人类行为引起的气候危机的情况下，[1,2]由于基于杂种金属卤化物钙钛矿配合的太阳能设备的发展，光电场在过去几年中经历了快速行为。[3]当前，这些设备已经达到了商业硅细胞的竞争效率。[4]迄今为止，使用中孔TIO 2（M -Tio 2）作为电子传输层（ETL），通过中端架构实现了最高效的钙钛矿太阳能电池（PSC）。介孔支架与吸湿化合物（如锂盐）相掺杂，以增强其电子迁移率。[5–8]尽管Li-Greatment主要改善了钙钛矿设备的性能，因为它主要改善了细胞的开路电压和填充因子，但它也会导致太阳能设备针对环境水分的不稳定性以及其光伏参数的低可重复性。[9,10]的确，如今为PSC实际开发而要克服的一些最重要的瓶颈与记录效率无关，而与两者都没有有关：1）他们缺乏可复制的制造方法； 2）固有的低稳定性在逼真的室外条件下（水分，紫外线照明，温度等）。在第一种情况下，PSC的效率分散率在更公认的实验室中远非狭窄，因为它已经在有关该主题的参考文章中进行了彻底讨论，因为Saliba等人，[9] Jimenez-López等人，[11] Qiu等。[12]和许多其他。[19-21]在第二位，PSC对环境条件的敏感性，尤其是对钙钛矿材料的敏感性，施加了使用干燥大气盒的使用，这阻碍了这些太阳能设备的大规模生产。[13–18]在这种情况下，许多研究人员致力于寻找钝化材料，以修改不利于设备的性能但会提高其稳定性的层中层。到目前为止，用于钝化界面的材料包括2D钙钛矿，金属氧化物化合物或绝缘有机材料。这些报道的方法通常使用解决方案方法，但是，尚未探索任何可扩展到工业制造的替代真空工艺。
隧道结钝化接触概念在柔性 CIGS 太阳能电池中的实现
在众多可再生能源技术中，铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）、有机和钙钛矿太阳能电池是技术成熟且经过现场验证的技术。[1–6] 这些技术用于各种场合，如光伏发电厂、光伏建筑一体化、室内能源、电动汽车和小型移动电源。[7–11] 自20世纪50年代初以来，c-Si一直是全球光伏产业的主流产品。[12–14] c-Si太阳能电池的核心结构是在p（或n）型硅衬底上扩散n（或p）型发射极形成的pn同质结。 [15] 在 c-Si 太阳能电池中，这种 pn 同质结至今仍在使用，并且可以通过众所周知的钝化发射极和背面电池及相关架构（例如钝化发射极局部扩散电池和钝化发射极背面全扩散电池）实现约 25% 的高功率转换效率 (PCE)。[16–18] 与 c-Si 太阳能电池不同，CIGS 太阳能电池器件基于 p 型 CIGS 和 n 型 CdS 层之间形成的 pn 异质结。[19–22]
钙钛矿太阳能电池的超薄等离子体聚合物钝化可提高稳定性和可重复性
在人类活动导致的气候危机背景下[1,2]，由于基于混合金属卤化物钙钛矿材料的太阳能装置的发展，光伏领域在过去几年中取得了迅速发展。 [3] 目前，这些装置的效率已经与商业硅电池相媲美。 [4] 迄今为止，最高效的钙钛矿太阳能电池 (PSC) 是通过使用介孔 TiO 2 (m-TiO 2) 作为电子传输层 (ETL) 的介观结构实现的。介孔支架通常掺杂吸湿化合物如锂盐以增强其电子迁移率。 [5–8] 虽然锂处理提高了钙钛矿装置的性能，因为它主要提高了电池的开路电压和填充因子，但它也导致太阳能装置对环境湿度的不稳定性更大，以及其光伏参数的低可重复性。 [9,10] 事实上，目前 PSC 实际应用面临的一些最重要瓶颈与创纪录的效率无关，而是与以下两个方面有关：1) 缺乏可重复的制造方法；2) 在实际室外条件下（湿度、紫外线照射、温度等）固有的低稳定性。在第一种情况下，PSC 的效率分散性在更受认可的实验室中并不狭窄，正如 Saliba 等人 [9] Jimenez-López 等人 [11] Qiu 等人 [12] 等许多学者在该主题的参考文章中对此进行了彻底讨论。其次，PSC 对环境条件的敏感性，尤其是钙钛矿材料，要求使用干气氛手套箱，这阻碍了这些太阳能装置的大规模生产。 [13–18] 在此背景下，许多研究人员致力于寻找钝化材料来修改中间层，这些材料不会损害器件的性能，但可以提高器件的稳定性。到目前为止，用于钝化界面的材料包括二维钙钛矿、金属氧化物化合物或绝缘有机材料。这些报道的方法通常使用溶液法，然而，尚未探索可扩展到工业制造的替代真空工艺。[19–21]
钙钛矿太阳能电池的超薄血浆聚合物钝化，以提高稳定性和可重复性
在人类行为引起的气候危机的情况下，[1,2]由于基于杂种金属卤化物钙钛矿配合的太阳能设备的发展，光电场在过去几年中经历了快速行为。[3]当前，这些设备已经达到了商业硅细胞的竞争效率。[4]迄今为止，使用中孔TIO 2（M -Tio 2）作为电子传输层（ETL），通过中端架构实现了最高效的钙钛矿太阳能电池（PSC）。介孔支架与吸湿化合物（如锂盐）相掺杂，以增强其电子迁移率。[5–8]尽管Li-Greatment主要改善了钙钛矿设备的性能，因为它主要改善了细胞的开路电压和填充因子，但它也会导致太阳能设备针对环境水分的不稳定性以及其光伏参数的低可重复性。[9,10]的确，如今为PSC实际开发而要克服的一些最重要的瓶颈与记录效率无关，而与两者都没有有关：1）他们缺乏可复制的制造方法； 2）固有的低稳定性在逼真的室外条件下（水分，紫外线照明，温度等）。在第一种情况下，PSC的效率分散率在更公认的实验室中远非狭窄，因为它已经在有关该主题的参考文章中进行了彻底讨论，因为Saliba等人，[9] Jimenez-López等人，[11] Qiu等。[12]和许多其他。[19-21]在第二位，PSC对环境条件的敏感性，尤其是对钙钛矿材料的敏感性，施加了使用干燥大气盒的使用，这阻碍了这些太阳能设备的大规模生产。[13–18]在这种情况下，许多研究人员致力于寻找钝化材料，以修改不利于设备的性能但会提高其稳定性的层中层。到目前为止，用于钝化界面的材料包括2D钙钛矿，金属氧化物化合物或绝缘有机材料。这些报道的方法通常使用解决方案方法，但是，尚未探索任何可扩展到工业制造的替代真空工艺。