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World File Search System钝化
多孔硅纳米结构和阳极 SiO2 表面钝化可提高多孔硅太阳能电池效率
摘要：研究了多孔硅 (PS) 表面二氧化硅 (SiO 2 ) 阳极形成过程中的光伏效应，旨在开发一种潜在的钝化技术，实现高效的纳米结构硅太阳能电池。PS 层是在含氢氟酸 (HF) 的电解质中通过电化学阳极氧化制备的。在室温下，在 HCl/H 2 O 溶液中通过自下而上的阳极氧化机制在 PS 表面形成阳极 SiO 2 层。通过调节阳极氧化电流密度和钝化时间来精确控制表面钝化的氧化层厚度，以在 PS 层上实现最佳氧化，同时保持其原始纳米结构。PS 层微观结构的 HRTEM 表征证实了 PS/Si 界面处的原子晶格匹配。研究了光伏性能、串联电阻和分流电阻对钝化时间的依赖关系。由于 PS 表面钝化充分，阳极氧化时间为 30 秒的样品实现了 10.7% 的最佳转换效率。外部量子效率 (EQE) 和内部量子效率 (IQE) 表明由于 PS 的抗反射特性，反射率显著下降，而由于 SiO 2 表面钝化，则表明性能优越。总之，PS 太阳能电池的表面可以通过电化学阳极氧化成功钝化。
标题 Times New Roman，粗体，18 号，左对齐
不锈钢钝化对很多人来说是一个神秘的过程，但在海洋工业中却非常重要，可以确保充分发挥耐腐蚀钢合金的优势。它是恢复不锈钢罐表面活力、最大限度提高灵活性和装载机会的重要工具。本文讨论了不锈钢在油轮建造中的应用。解释了钝化的原理和过程。将传统的硝酸基钝化方法与最近的柠檬酸基方法进行了比较，包括在安全性、处置问题、易用性和由此产生的防腐保护等方面的差异。重点关注在高腐蚀性暴露（如海洋环境）中所涉及的挑战、保持良好的表面以及发生腐蚀后的恢复。本文讨论了不锈钢钝化的钝化测试方法和行业规范和标准。
通过序列特异性化学钝化的2D WS2中的同步光致发光和电动迁移率增强
摘要：二维（2D）半导体二进制二进制对下一代电子和光子设备的非凡希望。尽管存在这种潜力，但在2D二分法中存在缺陷的存在导致载体的迁移率和光致发光（PL），而理论预测明显不足。尽管缺陷钝化提供了潜在的解决方案，但其影响并不一致。这是由于缺乏对2D材料表面化学的化学理解。In this work, we uncover new binding chemistry using a sequence-specific chemical passivation (SSCP) protocol based on 2-furanmethanothiol (FSH) and bis(trifluoromethane) sulfonimide lithium salt (Li-TFSI), which demonstrates a synchronized 100-fold enhancement in both carrier mobility and PL in WS 2 monolayers.我们提出了一种由超快瞬态吸收光谱（TA），硬X射线光电学光谱镜（HAXPES）和密度功能理论（DFT）钙化支持的中性和带电硫空位（SV）的原子水平协同缺陷钝化机制。我们的结果为2D WS 2建立了一个新的半导体质量基准，为开发可持续2D半导体技术铺平了道路。■简介
NiN 钝化 NiO 空穴传输层改善卤化物钙钛矿基太阳能电池
摘要：无机选择性接触和卤化物钙钛矿 (HaPs) 之间的界面可能是使用这些材料制造稳定且可重复的太阳能电池的最大挑战。NiO x 是一种具有吸引力的空穴传输层，因为它适合 HaPs 的电子结构，而且高度稳定且可以低成本生产。此外，NiO x 可以通过可扩展且可控的物理沉积方法（如射频溅射）制造，以促进可扩展、无溶剂、真空沉积的基于 HaP 的太阳能电池 (PSC) 的探索。然而，NiO x 和 HaPs 之间的界面仍然无法得到很好的控制，这有时会导致缺乏稳定性和 V oc 损失。在这里，我们使用射频溅射来制造 NiO x，然后在不破坏真空的情况下用 Ni y N 层覆盖它。Ni y N 层在 PSC 生产过程中对 NiO x 进行双重保护。首先，Ni y N 层保护 NiO x 免受 Ar 等离子体将 Ni 3+ 物种还原为 Ni 2+ 的影响，从而保持 NiO x 的导电性。其次，它钝化了 NiO x 和 HaPs 之间的界面，保持了 PSC 的长期稳定性。这种双重效应将 PSC 效率从平均 16.5%（创纪录电池 17.4%）提高到平均 19%（创纪录电池 19.8%），并提高了器件稳定性。关键词：卤化物钙钛矿、太阳能电池、氧化镍、氮化镍、钝化、界面■简介
课程vitae
有关C-SI太阳能电池的相关过程技术”（SCI，影响因子3）53，60（2021）。https://doi.org/10.1007/s11082-020-020-02689-8 6。 Sudipta Banerjee，Mukul Kr Das，“使用不同的过程技术对钝化发射机后部细胞（PERC）的后表面钝化的回顾”，IEEE赞助了全国性的可持续技术和工程应用新兴趋势（NCETSTEA），2020https://doi.org/10.1007/s11082-020-020-02689-8 6。Sudipta Banerjee，Mukul Kr Das，“使用不同的过程技术对钝化发射机后部细胞（PERC）的后表面钝化的回顾”，IEEE赞助了全国性的可持续技术和工程应用新兴趋势（NCETSTEA），2020
InAs 胶体量子点固体中的顺序共钝化可实现高效的近红外光电探测器
III-V 族胶体量子点 (CQDs) 是用于光电应用的有前途的材料，因为它们避免了重金属，同时实现了从可见光到红外 (IR) 的吸收。然而，III-V CQDs 的共价性质要求开发新的钝化策略来制造用于光电器件的导电 CQD 固体：这项工作表明，先前在 II-VI 和 IV-VI 量子点中开发的使用单个配体的配体交换不能完全钝化 CQD，并且这会降低设备效率。在密度泛函理论 (DFT) 模拟的指导下，这项工作开发了一种共钝化策略来制造砷化铟 CQD 光电探测器，该方法采用 X 型甲基乙酸铵 (MaAc) 和 Z 型配体 InBr 3 的组合。这种方法可保持电荷载流子迁移率并改善钝化效果，斯托克斯位移减少 25%，第一激子吸收线宽随时间推移的增宽率降低四倍，并使光致发光 (PL) 寿命增加一倍。所得器件在 950 nm 处显示 37% 的外部量子效率 (EQE)，这是 InAs CQD 光电探测器报告的最高值。
2D/3D卤化物钙钛矿膜的控制结晶的综合沉积和钝化策略
这项工作引入了简化的沉积程序，用于多维（2D/3D）钙钛矿薄膜，在形成3D perovskite时，将氯化苯乙林（PEACL）处理整合到反提供的步骤中。这种同时沉积和钝化策略减少了合成步骤的数量，同时稳定卤化物钙钛矿纤维，并将所得太阳能电池设备的光伏性能提高到20.8％。使用多模式原位和其他原位特征的组合，证明PEACL在钙钛矿纤维纤维形成过程中的引入减慢了晶体生长过程，从而导致晶粒尺寸较大，从而导致较大的晶粒尺寸和较窄的晶粒尺寸，从而减少晶粒边界处的载载流量，并提高设备的性能和设备的性能和稳定性。数据表明，在退火过程中，PEACL差用于膜的表面，形成疏水（Quasi）2D结构，可保护大部分钙钛矿纤维中的perove胶剂免受湿度诱导的降解。
改善了具有内在血浆治疗的ALD ALD AL2O3/SIO2多层的硅表面钝化
总固定负电荷密度q tot≈1×10 13 cm - 2结合使用，低界面缺陷密度D IT为≈1×10 11 ev -1 cm -2。[4-9]虽然低d表示相当好的化学表面钝化，但高负q tot会导致表面上的电子密度降低，从而导致重要的田间效应对C-SI表面钝化产生了贡献。因此，这种高负q TOT诱导n型Si表面上的反转层，而在P型表面上形成了积累层。n型Si表面上的内部层使其易于使用n型金属触点处的寄生分流作用。[10] There- fore, Al 2 O 3 is predominantly applied to p -type c-Si surfaces, such as the rear surface of passivated emitter and rear cell (PERC) passivated emitter and rear cell solar cells – the current mainstream cell design in high-volume production [11,12] – or the front-side boron-doped p + emitter of n -type c-Si tunneling oxide passivating接触（TopCon）太阳能电池，由于其效率更高，目前变得越来越有吸引力。[11,13–15] Al 2 O 3对于高级细胞设计的效率也非常相关，范围为26％，例如后部发射极（TopCon）细胞[16]或在氧化物相互作用的背部接触（polo-ibc）细胞（Polo-ibc）细胞上的聚晶体中的多层si，但有效的效果（均为有效的）（未经跨度） - 未经有效的态度（未经） - 未经有效的态度 - 不及格（Untercive）。 必需的。与单层相比，厚度只有几个纳米层的多层层为在纳米尺度上修改材料特性的机会。[19]最近，对不同表面钝化方案的直接比较表明，Al 2 O 3 [3]仍然有改进的余地，随着设备的效果的改善，这变得越来越重要。一个有趣的例子是所谓的界面偶极层，目前对其进行了强烈的侵略，尤其是用于在金属 - 氧化物 - 氧化导管现场效应晶体管（MOSFET）中的应用以调整所需的平板电压。[18-20]它们是由两个或三个不同的介电层组成的多层，可以简单地通过改变双层或三层的数量来提供增加平坦电压的可能性。这种平流电压偏移的起源是偶极子，仅在该多层的特定接口处形成，仅具有一个极性。例如，已经报道了SIO 2 /Al 2 O 3堆栈，其中仅在一个极性的SiO 2 /Al 2 O 3接口处形成偶极子，但在Al 2 O 3 /SiO 2界面上却没有相反的极性。
钴四苯基卟啉在氧钝化 Fe(001) 上的有序组装：从单层到多层薄膜
摘要。四苯基卟啉 (TPP) 是一类有趣的有机分子，其特征是环状结构，中心有金属离子。通过适当修改反应界面，即使在金属基底上也可以获得此类分子的有序生长，正如我们对与氧钝化的 Fe(001) 偶联的 ZnTPP 分子所展示的那样 [G. Bussetti 等人。Appl. Surf. Sci. 390, 856 (2016)]。最近，我们专注于 CoTPP 分子，其特征是磁矩不为零，因此对磁性应用具有潜在意义。与 ZnTPP 的情况一样，我们对一个单层覆盖的结果报告了平躺分子的有序组装的形成。然而，在堆积方案和与基底的电子相互作用程度方面，观察到两种分子物种之间存在一些差异。为了对 CoTPP 也获得对 Fe 上分子组织的全面了解，我们在此补充了我们之前的研究，通过跟踪 CoTPP 薄膜的生长以增加覆盖率，表明确实实现了此类分子的有序堆叠，至少最多四个分子层。