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World File Search System发射特性
摘要：在本文中，我们通过实验比较了基于聚丙烯硝基纤维的两个不同阴极的场发射特性（PAN
摘要：在本文中，我们通过实验性地比较了基于聚丙烯硝基烯纤维（PAN纤维）和碳纳米管纤维（CNT丝）的两个不同阴极的场发射特性。研究的主要目的是比较阴极发光灯的阴极单元的材料的现场发射特性。测量了制造的阴极的电流 - 电压，电流和瓦特特性。A comparison of the current-voltage characteristics of cathodes made of the two studied materials shows that the minimum field for the occurrence of field emission current for a cathode made of a CNT filament (accelerating voltage in the diode version of measurements is about 625 V) is approximately 3 times lower than for a cathode made of PAN fibers (accelerating voltage is about 1850 V. Accordingly, the current value of about 100基于CNT丝的阴极的μa在约1300 V的加速电压下实现，并且基于锅纤维的阴极，使用了约2630 V.使用扫描电子显微镜方法研究了阴极的结构变化基于结果的整体，可以得出结论，最好将CNT丝作为阴极材料。在施加恒定的高压时，基于CNT细丝的阴极的发射电流在过渡期间显示出增加，并达到稳定值超过75μA，显然是由于施加高加速电压时的其他发射中心的激活。本文还分析了根据工作中研究的材料创建的光源效率的因素。2022; 7（1）：46-57。关键字：现场发射；碳材料；现场发射阴极；锅纤维； CNT细丝，dododoluminest的光源。引用：Taikin Ayu，Savichev IA，Popov MA，Anokhin EM，Kireev VB，Kosarev in，Sheeshin EP。基于锅纤维和CNT丝的碳阴极的现场发射特性的比较和分析。高级材料和技术杂志。doi：10.17277/jamt.2022.01.pp.046-057基于锅纤维的碳阴极的自身出入特征的比较和分析，以及UNN Neti A. A. A. A. A. A. A. A. A. A. A. A. Popov，M。A.物理与技术研究所（国家研究大学），
HDR 发射特性的光学表征...
简介现在，许多采用不同技术制造的高动态范围 (HDR) 和宽色域 (WCG) 显示器都已在市场上销售。 HDR10、杜比视界和混合对数伽马 (HLG) [1-2] 等新高清视频标准均将 ITU-R BT.2020 作为默认色域。 此外，HDR 不仅需要广泛的色域，还需要比标准动态范围 (SDR) 高得多的亮度动态范围。 例如，HDR10 [2] 的最大白色亮度为 1000cd/m2，而杜比视界 [3] 的最大白色亮度高达 10000cd/m2。 色域始终是一种与亮度范围无关的限制性属性。 相反，色彩体积同时涉及色域和亮度范围，并且似乎是比较应该具有大色域和扩展亮度范围的显示器的更好的描述符。 我们已经提出使用色彩体积来分析显示器的视角色彩测量 [4-6]。在这些研究中，使用了标准 L*a*b* CIE 1976 和 L*u*v* 色彩空间，并计算了不同显示器的色彩体积的几个参数。国际显示器计量委员会也对该方法进行了标准化 [7]。在本文中，我们使用杜比实验室最近提出的 ICtCp 色彩空间，该空间非常适合 HDR 和 WCG 内容 [8]。我们将这个新色彩空间与标准 L*a*b* CIE 1976 色彩空间 [9] 进行了比较，分析了在两个 HDR 显示器上测得的色彩视角属性：一台 QLED 电视和一台 OLED 电视。使用最大角度孔径为 ±80° 的 EZContrast 傅里叶光学视角系统在白色、黑色、红色、绿色、蓝色、洋红色、黄色和青色状态下进行色彩测量。
NEA-GAAS的光发射特性
我们已经研究了通过重复热预处理和负电子亲和力（NEA）激活周期制备的GAAS表面的光发射特性。表明，光发射效率随预处理序列发生了巨大变化。我们已经用两个具有不同量子效率的GAAS样品讨论了光发射特性，并发现量子效率随预处理序列的变化与量子效率的绝对值无关。此结果表明电子的发电和传递和发射是独立的过程。我们还讨论了新型的NEA激活方法，该方法有望改善光发射特性。I.引言碱金属在半导体表面上的吸附是从科学和实践的角度来看的重要系统，并且多年来已经对许多人进行了研究。例如，当电子亲和力的GaAS半导体大约为4 eV，因为大量条件会通过CS的交替供应和O 2（或NF 3）的交替激活，其表面的真空水平位于大量导带以下，并且该条件定义为负电子亲和力（NEA）。当光子能量在GAAS带隙能（E G = 1.4 eV）附近的激发灯照亮表面时，Valence Electron会激发到最小的传导带，并可以轻松逃脱到真空中。NEA-GAA具有很大的优势，例如自旋极化，低发射率，短束和高量子效率（QE）电子束，并且NEA-GAAS表面已被用作1970年代1的加速器的光（1）。碱金属在GAAS表面上的吸附已被广泛应用于各种场，但尚未详细阐明其吸附结构和光发射机制。将光发射过程的定性或现象学解释提出为Spicer的三个步骤模型2），并且吸附结构由多种模型（例如Hetero Junction，cluster或偶极模型3,4）预测。很难用碱金属和氧原子的几个单层观察到实际的NEA结构，因为在真空中，热环境和残留气体很容易降解NEA-GAAS表面。这些结构变化降低了NEA-GAAS光电的性能。最后，我们将简要提出新型的NEA激活方法。有可能改善光发性属性。