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World File Search System发射特性
摘要：在本文中，我们通过实验比较了基于聚丙烯硝基纤维的两个不同阴极的场发射特性（PAN
摘要：在本文中，我们通过实验性地比较了基于聚丙烯硝基烯纤维（PAN纤维）和碳纳米管纤维（CNT丝）的两个不同阴极的场发射特性。研究的主要目的是比较阴极发光灯的阴极单元的材料的现场发射特性。测量了制造的阴极的电流 - 电压，电流和瓦特特性。A comparison of the current-voltage characteristics of cathodes made of the two studied materials shows that the minimum field for the occurrence of field emission current for a cathode made of a CNT filament (accelerating voltage in the diode version of measurements is about 625 V) is approximately 3 times lower than for a cathode made of PAN fibers (accelerating voltage is about 1850 V. Accordingly, the current value of about 100基于CNT丝的阴极的μa在约1300 V的加速电压下实现，并且基于锅纤维的阴极，使用了约2630 V.使用扫描电子显微镜方法研究了阴极的结构变化基于结果的整体，可以得出结论，最好将CNT丝作为阴极材料。在施加恒定的高压时，基于CNT细丝的阴极的发射电流在过渡期间显示出增加，并达到稳定值超过75μA，显然是由于施加高加速电压时的其他发射中心的激活。本文还分析了根据工作中研究的材料创建的光源效率的因素。2022; 7（1）：46-57。关键字：现场发射；碳材料；现场发射阴极；锅纤维； CNT细丝，dododoluminest的光源。引用：Taikin Ayu，Savichev IA，Popov MA，Anokhin EM，Kireev VB，Kosarev in，Sheeshin EP。基于锅纤维和CNT丝的碳阴极的现场发射特性的比较和分析。高级材料和技术杂志。doi：10.17277/jamt.2022.01.pp.046-057基于锅纤维的碳阴极的自身出入特征的比较和分析，以及UNN Neti A. A. A. A. A. A. A. A. A. A. A. A. Popov，M。A.物理与技术研究所（国家研究大学），
dirac fermion光学和单个单个
高动力石墨烯托管带有线性色散的无质量电荷载体为电子光学现象提供了有希望的平台。受到介电光学微腔物理学的启发，在这些物理学中，可以通过腔形形状对光子发射特性进行有效调节，因此我们研究了在变形的微型货币圆柱柱中捕获的DIRAC DIRAC费米子谐振状态的相应机制，并将其定向发射。在此类石墨烯设备中，后门电压为模拟不同的有效屈光指标提供了附加的可调参数，从而在边界处提供相应的菲涅尔定律。此外，基于单层和双层石墨烯的腔分别表现出klein-和抗Klein隧道，导致相对于居住时间和导致的空腔状态的发射率明显差异。此外，我们发现各种不同的排放特性，具体取决于源载体进入空腔的位置。将量子机械模拟与光射线跟踪和相应的相空间分析相结合，我们证明了在单层石墨烯系统中部端部中发射的电荷载体的强烈结合，并且可以将其与镜头效应相关联。对于双层石墨烯而言，谐振态的捕获更有效，并且发射特性确实取决于源位置。
Samina Husain博士助理教授
2003 - 2008年：哲学博士，电子科学博士论文标题为“多壁碳纳米管（MWNTS）的综合，表征和现场发射特性”，德里南校园（UDSC）电子科学系（UDSC），新德里，印度2001年 - 2003年 - 2003年：M.Sc.（物理学），米兰达之家，具有电子技术专业，德里大学，北校区的物理与天体物理学系，印度新德里，1998年 - 2001年：B.Sc.（物理），米兰达·豪斯（Miranda House），德里大学，新德里北部校园的物理系
通过锯齿状碳纳米管的选择性芳基功能化实现窄带单光子发射
获得纳米级光发射器的响应均匀性对于它们在传感和成像剂以及发光二极管 (LED)、激光器等中的光子源中的应用至关重要。在低维纳米发射器（包括胶体和外延量子点 1、2、2D 过渡金属二硫属化物 3 – 6、六方氮化硼 7 和单壁碳纳米管 (SWCNT) 8 – 12 ）作为量子计量和量子信息处理 13 的单光子源的新兴角色的背景下，需要对允许的发射能量变化进行更严格的限制，最终目标是实现光子不可区分性。在这些用于量子发射的多样化材料平台中，SWCNT 提供了多种优势，这些优势源于能够通过化学操控控制光发射特性。由于 SWCNT 发射能量对特定纳米管结构（用手性指数 (n,m) 表示，图1）14 具有很强的依赖性，因此其发射能量具有广泛的可调性。对非共价结合包裹剂（如表面活性剂、聚合物和 DNA）表面结构的化学控制为高产率、高纯度分离特定 SWCNT 结构提供了高效途径，从而对发射特性具有显著的选择性 15 。这种表面化学还提供了一种控制周围环境以优化光致发光的途径。最近通过低水平共价功能化引入光致发光缺陷态扩展了 SWCNT 发射行为，为发射特性提供了额外的合成可调性并赋予了量子发射功能，同时也充当了光谱多样性的来源。
利用三角碳化硅结构中的光子带隙实现高效的量子纳米光子硬件
碳化硅因其色心缺陷的长自旋相干性和单光子发射特性而成为领先的量子信息材料平台之一。碳化硅在量子网络、计算和传感中的应用依赖于将色心发射有效收集到单一光学模式中。该平台的最新硬件开发专注于角度蚀刻工艺，以保留发射器特性并产生三角形设备。然而，人们对这种几何结构中的光传播知之甚少。我们探索了三角形横截面结构中光子带隙的形成，这可以作为开发碳化硅中高效量子纳米光子硬件的指导原则。此外，我们提出了三个领域的应用：TE 通滤波器、TM 通滤波器和高反射光子晶体镜，可用于高效收集和传播光发射模式选择。
来自二维材料的可调谐单光子发射器...
量子通信背景：二维材料中的单光子发射器 (SPE) 已成为量子技术和量子通信的有前途的平台。这些发射器能够产生单个光子，这对于安全通信、量子计算和其他需要操纵量子态的应用至关重要。过渡金属二硫属化物 (TMD) 等二维材料由于其原子级薄性质、强激子效应以及与其他量子器件集成的潜力，为实现 SPE 提供了独特的环境。在这些材料中，缺陷、应变和局部激子可以捕获电子和空穴，从而导致单光子的发射。此外，二维材料提供可调的电子和光学特性，可以更好地控制发射特性，例如波长和偏振。此外，基于二维材料的 SPE 的可扩展性和与现有光子和光电器件的集成使其成为未来量子技术的有力候选者。
利用三角碳化硅结构中的光子带隙实现高效的量子纳米光子硬件
由于其色心缺陷具有长自旋相干性和单光子发射特性，碳化硅成为领先的量子信息材料平台之一。碳化硅在量子网络、计算和传感中的应用依赖于将色心发射高效收集到单一光学模式中。该平台的最新硬件开发专注于角度蚀刻工艺，以保留发射极特性并产生三角形器件。然而，人们对这种几何结构中的光传播知之甚少。我们探索了三角形横截面结构中光子带隙的形成，这可以作为在碳化硅中开发高效量子纳米光子硬件的指导原则。此外，我们提出了三个领域的应用：TE 通滤波器、TM 通滤波器和高反射光子晶体镜，它们可用于高效收集和传播光发射模式选择。
Eu 掺杂的 Bi12GeO20 (BGO) 的光学研究...
摘要：研究了采用低热梯度提拉技术（LTG Cz）生长的 Eu 3 + 掺杂 Bi 12 GeO 20（BGO）硅铅矿块状晶体的光谱特性。测量了室温（300 K）和 10 K 下的吸收光谱和发射特性。观察到由 Eu 3 + 离子直接激发和由 Bi 3 + 和 Eu 3 + 离子之间的能量转移引起的紫外激发下的发光。研究了 Eu 3 +：BGO 掺杂基质中 Bi 3 + → Eu 3 + 的能量转移机制。基于 Judd-Ofelt 形式计算了 Ω λ 参数和辐射寿命。基于获得的实验结果，还确定了分支比和电偶极跃迁概率。已观察到 Eu 3 + 的 5 D 0,1,2 能级发出的发光，其中 5 D 0 能级的发光最强。观察到的最强发光带对应于 578.7 nm 处的 5 D 0 → 7 F 0 跃迁。研究了理论上被禁止的 5 D 0 → 7 F 0 发光强烈存在的原因。
成像生物和死鼠的超视光子发射以及压力下的植物
在200-1000 nm的光谱范围内，在所有已检查的生物系统中都观察到了在200-1000 nm的频谱范围内的极低强度发射（10-10-10 3光子 /cm 2 /sec）的现象。在这里，我们报告了实验，这些实验体现了新型成像系统检测一组生理上重要方案的UPE变化的能力。我们使用EMCCD和CCD摄像机来捕获低噪声和量子效率低于90％的单个可见波长光子。我们的调查揭示了Live与死鼠的UPE之间的显着对比。在植物中，我们观察到温度和伤害的升高都会引起UPE强度的增加。此外，化学处理修饰了植物的UPE发射特性，尤其是麻醉剂（苯佐卡因）在损伤中的应用，这在测试的化合物中显示出最高的发射。因此，UPE成像提供了对动物活力的无创成像以及植物对压力的反应的可能性。
检测硅中的单W-中心
控制硅中各个荧光缺陷的量子特性是对高级量子光子设备容易伸缩的关键挑战。迄今为止，研究的重点是基于硅晶格中纳入的杂质的外部缺陷。在这里，我们证明了硅中单个固有缺陷的检测，该缺陷与称为W-Center的三个互化络合物相关，在1.218 µm处的零孔子线。研究其单光子发射特性揭示了有关该常见辐射损伤中心的新信息，例如其偶极取向及其光物理学。我们还确定了其显微镜结构，并表明，尽管此缺陷不具有带隙中的电子状态，但库仑相互作用导致硅带隙下方的激子辐射重组。这些结果可能会基于硅的固有发光缺陷（例如综合量子光子学和量子通信）的固有发光缺陷为多种量子观点树立阶段。