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World File Search System发射特性
自发发射的时尚控制
我们提出了一种旨在在四级原子光耦合系统中与携带轨道角动量（OAM）相互作用的四级原子光耦合系统中自发发射系统中的时尚控制的方案。原子包含一个地面和两个激发态，并与两个激光场相结合，形成了一个V子系统，其中上部状态仅通过两个通道腐烂到共同的第四个状态。通过研究原子的各种初始状态，并考虑自发发射通道中的量子干扰的存在或不存在，我们分析了如何在发射光谱上携带OAM的涡流束烙印的特征。光学涡流与量子系统（包括其环境模式）之间的相互作用会引起各种各样的时尚行为，包括二维光谱狭窄，光谱峰增强，光谱峰抑制和空间azimuthal平面中的自发发射或淬火。我们的发现阐明了原子 - 涡流光束相互作用的动力学，并提供了对量子水平上发射特性操纵的见解。
硅中可编程的量子发射机形成
基于硅的量子发射器是大规模量子集成的候选物，这是由于其单光子发射特性和具有长的自旋相干时间的自旋光子接口的潜力。在这里，我们使用飞秒激光脉冲与基于氢的缺陷激活和单个中心水平的钝化相结合，展示了本地写作和擦除选定的发光缺陷。通过在碳植入硅的热退火过程中选择形成气体（n 2 /h 2），我们可以选择一系列氢和碳相关的量子发射器的形成，包括T和C I中心，同时钝化了更常见的G-Centers。C I Center是一种电信S波段发射器，具有有希望的光学和自旋特性，由硅晶格中的单个间隙碳原子组成。密度功能理论计算表明，在存在氢的情况下，C I CENTER亮度通过几个数量级增强。fs-laser脉冲在局部影响量子发射量的钝化或激活，以氢的氢，以形成所选量子发射器的程序。
硅中可编程量子发射器的形成
硅基量子发射器因其单光子发射特性和在长自旋相干时间的自旋光子界面中的潜力而成为大规模量子比特集成的候选者。在这里，我们展示了使用飞秒激光脉冲结合基于氢的缺陷激活和钝化在单中心水平上对选定的发光缺陷进行局部写入和擦除。通过在碳注入硅的热退火过程中选择合成气体（N 2 /H 2 ），我们可以选择形成一系列与氢和碳相关的量子发射器，包括T 和C i 中心，同时钝化更常见的G 中心。C i 中心是一种电信S波段发射器，具有良好的光学和自旋特性，由硅晶格中的单个间隙碳原子组成。密度泛函理论计算表明，在氢存在的情况下，C i 中心亮度提高了几个数量级。 Fs 激光脉冲局部影响量子发射器的氢钝化或活化，从而可编程形成选定的量子发射器。
与一组耗散量子发射器的完美光子不可区分性
摘要：由于存在强烈的失相过程，基于半导体量子点 (QD) 平台的单光子源 (SPS) 仅限于低温 (T) 操作。尽管 QD 在光腔中的集成可以增强其发射特性，但在高 T 下保持高不可区分性 (I) 的技术要求仍然超出了当前技术水平。最近，新的理论方法通过实现双偶极耦合发射系统已经显示出有希望的结果。在这里，我们提出了一个基于优化的五偶极耦合发射系统平台，该系统耦合到腔体，可在高 T 下实现完美的 I。在我们的方案中，使用完善的光子平台可以实现具有耗散 QD 的完美 I 单光子发射。对于优化过程，我们开发了一种新颖的机器学习方法，该方法可以显着减少高要求优化算法的计算时间。我们的策略为优化不同光子结构用于量子信息应用开辟了有趣的可能性，例如减少耦合的两级量子系统簇中的量子退相干。
利用亚带隙激发飞秒激光剥离技术生产独立 GaN 发光二极管芯片
激光剥离 (LLO) 通常用于将功能薄膜与下面的基板分离，特别是将基于氮化镓 (GaN) 的发光二极管 (LED) 从蓝宝石中分离出来。通过将 LED 层堆栈转移到具有定制特性的外来载体（例如高反射表面），可以显著提高光电器件的性能。传统上，LLO 是使用纳秒级的紫外激光脉冲进行的。当指向晶圆的蓝宝石侧时，蓝宝石/GaN 界面处的第一层 GaN 层吸收脉冲会导致分离。在这项工作中，首次展示了一种基于 520 nm 波长的飞秒脉冲的 LLO 新方法。尽管依赖于亚带隙激发的双光子吸收，但与传统的 LLO 相比，超短脉冲宽度可以减少结构损伤。在详细研究激光影响与工艺参数的关系后，我们开发了两步工艺方案，以制造边长可达 1.2 毫米、厚度可达 5 微米的独立 InGaN/GaN LED 芯片。通过扫描电子显微镜和阴极发光对分离的芯片进行评估，结果显示 LLO 前后的发射特性相似。
光子晶体耦合增强的转向发射
在低丰度生物标志物的癌症和传染病的情况下，利用荧光记者使用荧光记者的诊断测定方法可以通过有效收集发射的光子进入光学传感器来达到检测的下限。在这项工作中，我们介绍了一维光子晶体（PC）光栅界面的合理设计，制造和应用，以实现无棱镜的无棱镜，无金属和客观的无目标平台来增强荧光发射收集效率。PC的引导模式共振（GMR）具有互联状态，可与辐射偶极子的激光激发（532 nm）和发射最大（580 nm）匹配，以在优化的条件下到达。使用银纳米颗粒的光质量杂交纳米工程>> 110倍的转向荧光增强功能，使样品放置在兴奋源和探测器之间，这是直线的。根据实验和仿真，我们根据辐射等离子体模型仔细检查杂交底物的极化发射特性，提出了一个辐射的GMR模型。在这里使用简单检测仪器实现的增强荧光强度提供了亚纳米摩尔灵敏度，以提供通往护理点场景的路径。
氮化铝和金刚石的负电子亲和表面
宽带隙半导体有可能表现出负电子亲和势 (NEA)。这些材料可能是冷阴极电子发射器的关键元素，可用于平板显示器、高频放大器和真空微电子等应用。结果表明，表面条件对于获得负电子亲和势至关重要。在本文中，角度分辨紫外光发射光谱 (ARUPS) 用于探索金刚石和 AlGaN 表面的影响。紫外光发射在表征电子发射方面的价值在于该技术强调了发射过程的影响。为了充分表征电子发射特性，还需要采用其他测量方法，例如场发射的距离依赖性和二次电子发射。最近，这些测量方法已用于比较 CVD 金刚石膜的特性。[l] 半导体的电子亲和势定义为将电子从导带最小值移到距离半导体宏观较远的距离（即远离镜像电荷效应）所需的能量。在表面，该能量可以示意性地显示为真空能级与导带最小值之间的差异。电子亲和力通常不依赖于半导体的费米能级。因此，虽然掺杂可以改变半导体中的费米能级，并且功函数会相应改变，但电子亲和力不受以下因素的影响
pyrene和2- azapyrene的脱落和扭曲的准分子
摘要：由于其独特的光物理和电子特性，Pyrene及其类似物在近几十年来一直是广泛研究的主题。Pyrene及其衍生物形成准分子的倾向已在各个领域发现了广泛的应用。氮取代的pyrene衍生物显示出相似的光物理特性，但对它们而言，迄今为止尚未报道准分子发射。在这里，我们使用时间依赖性密度功能理论（TD-DFT）计算来研究pyrene和2-氮平的二聚体的低洼激子状态。确定准分子平衡结构，并使用糖尿病化程序披露了电荷转移（CT）激发和分子间相互作用的贡献。研究表明，两个分子形成的二聚体具有非常相似的激子状态模式，其中相关的CT贡献控制着准分子态的形成，以及L a / l b态倒置。与pyrene相比，2-余吡林中的偶极 - 偶极相互作用稳定了深色黯淡的准分子结构，并增加了转换为明亮的扭曲准分子的屏障。建议在氮取代的衍生物中的这些差异可能会影响准分子发射特性。
用于光伏应用的共蒸发 Cu2AgBiI6 薄膜中的成分转变和杂质介导的光学跃迁
四元铜银铋碘化合物代表了一类有前途的新型宽带隙 (2 eV) 半导体，可用于光伏和光电探测器应用。本研究利用气相共蒸发法制造 Cu 2 AgBiI 6 薄膜和光伏器件。研究结果表明，气相沉积薄膜的性质高度依赖于加工温度，表现出针孔密度增加，并根据沉积后退火温度转变为四元、二元和金属相的混合物。这种相变伴随着光致发光 (PL) 强度和载流子寿命的增强，以及在高能量 (≈ 3 eV) 下出现额外的吸收峰。通常，PL 增加是太阳能吸收材料的理想特性，但 PL 的这种变化归因于 CuI 杂质域的形成，其缺陷介导的光学跃迁决定了薄膜的发射特性。通过光泵太赫兹探测光谱法，揭示了 CuI 杂质阻碍了 Cu 2 AgBiI 6 薄膜中的载流子传输。还揭示了 Cu 2 AgBiI 6 材料的主要性能限制是电子扩散长度短。总体而言，这些发现为解决铜银铋碘化物材料中的关键问题铺平了道路，并指明了开发环境兼容的宽带隙半导体的策略。
重新评估场发射的哈特曼效应
使用 Gamow 因子 θ ( k ) 重新进行了 Winful 的分析，以便进行推广。第三，对高场电子发射特性势垒重复 Gamow 分析。有几个候选势垒：(i) 镜像电荷或肖特基-诺德海姆 (SN) 势垒[20]：它描述金属 [21] 和半导体 [22] 的场发射，具有半解析的 Gamow 因子 θ ( k )，但透射 t ( k ) 和反射 r ( k ) 系数必须通过数值计算；(ii) Eckart 势垒[23]：它是非对称势垒，对于它，t(k) 和 r(k) 是解析的，但 Gamow 因子 θ ( k ) 必须通过数值计算； (iii) 三角势垒或 Fowler-Nordheim (FN) 势垒 [21] 用于场发射：它忽略了镜像电荷效应，但 t(k)、r(k) 和 θ(k) 都是完全解析的。因此，只有所选的三角势垒 (iii) 才是高场条件下场发射的简单、纯解析表示（并且是隧道波力学最具代表性的例子 [24, 25]）。因此，FN 形式 [26–28] 用于开发和分析停留时间 τ d 和自干扰时间 τ i。