机构名称：
¥ 1.0
获得纳米级光发射器的响应均匀性对于它们在传感和成像剂以及发光二极管 (LED)、激光器等中的光子源中的应用至关重要。在低维纳米发射器（包括胶体和外延量子点 1、2、2D 过渡金属二硫属化物 3 – 6、六方氮化硼 7 和单壁碳纳米管 (SWCNT) 8 – 12 ）作为量子计量和量子信息处理 13 的单光子源的新兴角色的背景下，需要对允许的发射能量变化进行更严格的限制，最终目标是实现光子不可区分性。在这些用于量子发射的多样化材料平台中，SWCNT 提供了多种优势，这些优势源于能够通过化学操控控制光发射特性。由于 SWCNT 发射能量对特定纳米管结构（用手性指数 (n,m) 表示，图1）14 具有很强的依赖性，因此其发射能量具有广泛的可调性。对非共价结合包裹剂（如表面活性剂、聚合物和 DNA）表面结构的化学控制为高产率、高纯度分离特定 SWCNT 结构提供了高效途径，从而对发射特性具有显著的选择性 15 。这种表面化学还提供了一种控制周围环境以优化光致发光的途径。最近通过低水平共价功能化引入光致发光缺陷态扩展了 SWCNT 发射行为，为发射特性提供了额外的合成可调性并赋予了量子发射功能，同时也充当了光谱多样性的来源。
通过锯齿状碳纳米管的选择性芳基功能化实现窄带单光子发射
主要关键词
相关文件推荐
