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摘要：研究了采用低热梯度提拉技术（LTG Cz）生长的 Eu 3 + 掺杂 Bi 12 GeO 20（BGO）硅铅矿块状晶体的光谱特性。测量了室温（300 K）和 10 K 下的吸收光谱和发射特性。观察到由 Eu 3 + 离子直接激发和由 Bi 3 + 和 Eu 3 + 离子之间的能量转移引起的紫外激发下的发光。研究了 Eu 3 +：BGO 掺杂基质中 Bi 3 + → Eu 3 + 的能量转移机制。基于 Judd-Ofelt 形式计算了 Ω λ 参数和辐射寿命。基于获得的实验结果，还确定了分支比和电偶极跃迁概率。已观察到 Eu 3 + 的 5 D 0,1,2 能级发出的发光，其中 5 D 0 能级的发光最强。观察到的最强发光带对应于 578.7 nm 处的 5 D 0 → 7 F 0 跃迁。研究了理论上被禁止的 5 D 0 → 7 F 0 发光强烈存在的原因。
Eu 掺杂的 Bi12GeO20 (BGO) 的光学研究...
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