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设计，模拟和优化硅基板上增强的垂直GAN纳米线晶体管用于电力电子应用
在高能量物理中使用的大探测器系统中相互作用点附近的像素阵列的发展需要像素及其读数的高辐射硬度。基于量子井的像素设备，称为dotpix使用带有控制门的传感N通道MOS设备。埋入的GE层充当当前的调制门，该栅极定位通过撞击颗粒而产生的孔。通过si上GE的低温外延生长获得了Dotpix埋入的GE门。我们已经开始研究实现这些先决条件的不同方法：需要低温预算来减少GE和SI相互混合，这可能对DotPix操作有害。使用Si热氧化物与沉积的氧化物（例如氧化物）一起研究，这与二氧化硅不同。在这项研究中，二氧化硅和沉积的氧化物结合的可能性为另一种可能性。
![b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'](/simg/3/3667ff1348138e0ee8b2d560bc8bba8245de6047.webp)
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
基于硅基氮化镓的微机电加速度计
1 G. Langfelder、M. Bestetti 和 M. Gadola，《微机械与微工程杂志》31 (8)，084002 (2021)。2 Chen Wang、Fang Chen、Yuan Wang、Sina Sadeghpour、Chenxi Wang、Mathieu Baijot、Rui Esteves、Chun Zhao、Jian Bai、Huafeng Liu 和 Michael Kraft，《传感器》20 (14)，4054 (2020)。3 V. Narasimhan、H. Li 和 M. Jianmin，《微机械与微工程杂志》25 (3)，033001 (2015)。4 DK Shaeffer，《IEEE 通信杂志》51 (4)，100 (2013)。5 LM Roylance 和 JB Angell，《IEEE 电子设备学报》26 (12)，1911 (1979)。 6 AA Barlian、W. Park、JR Mallon、AJ Rastegar 和 BL Pruitt，IEEE 97 论文集 (3)，513 (2009)。7 S. Tadigadapa 和 K. Mateti，测量科学与技术 20 (9)，092001 (2009)。8 O. Le Traon、J. Guérard、M. Pernice、C. Chartier、P. Lavenus、A. Andrieux 和 R. Levy，在 2018 年 IEEE/ION 位置、定位和导航研讨会 (PLANS) 上发表，2018 年（未发表）。9 O. Lefort、I. Thomas 和 S. Jaud，在 2017 年 DGON 惯性传感器和系统 (ISS) 上发表，2017 年（未发表）。
电场对硅基单分子层的影响
图 2 . a) 新鲜状态下 S-1 SAM 的 AFM 形貌图像。b) 对 SAM S-1 施加 0.6 V 电化学电位 1 分钟后获得的 SAM S-2 的 AFM 形貌图像。c) 对 SAM S-1 施加 +1.5 V 电化学电位 10 分钟后获得的 SAM S-2 的 AFM 形貌图像。d) 新鲜制备的 SAM S-1 上水滴的静态图像。e) 对 SAM S-1 施加 +0.6 V 电化学电位 1 分钟后获得的 SAM S-2 上水滴的静态图像。f) 对 SAM S-1 施加 +1.5 V 电化学电位 10 分钟后获得的 SAM S-2 上水滴的静态图像。 S-1 SAM 的 XPS 高分辨率 Si 2p 光谱（g）新鲜制备、（h）在 +0.6 V 下氧化，和（i）在 + 1.5 V 下氧化。
硅基氮化物外延开发
市场新闻 6 智能手机出货量将在 2023 年第三季度小幅下滑后复苏 微电子新闻 8 CML 完成对微波技术的收购 宽带隙电子新闻 10 DENSO 和三菱电机向 Coherent 的 SiC 部门投资 10 亿美元 • Soitec 启动 SmartSiC 晶圆生产工厂 • J2 和 HKSTP 在香港建立第一家 SiC 晶圆厂 • onsemi 完成韩国 SiC 晶圆厂扩建 • 英飞凌完成对 GaN Systems 的收购 • 英飞凌签署多年期协议，为现代/起亚供应电源半导体 • 美国国防部为北卡罗来纳州立大学牵头的“CLAWS”微电子公共区域创新中心拨款 3940 万美元 • GlobalFoundries 获得美国政府 3500 万美元资助，以加速 200 毫米 GaN-on-Si 芯片的生产 • 佛蒙特大学-GF 联盟被指定为技术中心 • Element Six 入选美国国防部 LADDIS 计划 • 首款 JEDEC 标准顶部冷却表面贴装 TOLT GaN晶体管 • 东京农工大学和日本酸素公司通过MOVPE实现高纯度Ga 2 O 3薄膜的高速生长 材料和加工设备新闻 27 Riber的MBE 49 GaN将与MOCVD竞争200mm GN-on-Si • ELEMENT 3–5的ACCELERATOR 350K为批量生产提供单晶AlN • Aehr的收入同比几乎翻了一番 LED新闻 32 Mojo Vision的A轮融资几乎翻了一番，达到4350万美元 • NS Nanotech获得100万美元NSERC资助，用于开发纳米级LED和激光器 • ams OSRAM筹集22.5亿欧元以满足2025/26年的融资需求 光电子新闻 38 SuperLight Photonics在与DeepTechXL和oost NL的投资轮中获得种子资金 光通信新闻 40 ECOC 2023的新闻 • Coherent和Kinetic延长合作伙伴关系以启用网络边缘的 100G 服务 • OpenLight 与 Spark 合作扩展设计服务 • imec 推出 SiGe BiCMOS 光接收器，总数据速率达到 200Gbps 光伏新闻 50 NREL 创下 D-HVPE 生长的单结 GaAs 电池 27% 的效率记录
硅基氮化镓工艺技术 - PwrSoC
-2 ) >10 >10 0.5 5 ~1 ? v 峰值 (10^7 cm/s) 1 0.7 2 2.5 2.7 ? E 临界 (MV/cm) 0.15 0.3 3 3.3 5.6 15 热导率 (W/cm K) 0.6 1.5 3.3-4.5 2 20 21 RF Johnson 的 FOM = E 临界 *v 峰值 0.7 1.0 29 39 72 ? 功率 Baliga 的 FOM = mn * E 临界 ^3 0.5 1.0 443 1441 4460 5698
硅基光子集成电路的最新进展和新兴应用
近年来，随着半导体器件在集成电路中的进一步小型化，功耗和数据传输带宽已成为难以逾越的障碍。光子集成电路 (PIC) 作为一种集成技术，在后摩尔时代具有广阔的前景，因其超高的处理速度和低功耗，在数据处理、通信和多样化传感应用方面具有更多优势。由于成熟的 CMOS 工艺，硅光子学被认为是实现 PIC 的一种令人鼓舞的解决方案。过去几十年来，硅 PIC 取得了巨大的增长。然而，仍然需要开发硅 PIC 来实现强大的芯片级系统和新功能。本文回顾了 PIC 的光子元件、功能块和新兴应用。常见的光子元件分为几个部分，包括片上光源、光纤到芯片耦合器、光子谐振器、基于波导的传感器、片上光电探测器和调制器。本综述中提到的 PIC 的功能模块是光子存储器和光子神经网络。最后，本文总结了有待进一步研究的新兴应用。
用于静音语音接口的具有深度学习算法的超薄晶体硅基应变计
一种可视化每个区域受分类任务影响程度的方法。图 4d 展示了单词“ABSOLUTELY”和“AFTERNOON”的 R-CAM 结果。对于这两个词，我们的模型都关注 S2 传感器信号（第三行和第四行信号）显示主要特征运动的部分。关于单词“ABSOLUTELY”，我们的模型关注 0.6 秒时传感器 S2 的向下和向上凸起。关于“AFTERNOON”，同样，我们的模型在两种情况下都关注向下凸起的点，“AFTERNOON(i)”大约在 1 秒，“AFTERNOON(ii)”大约在 0.7 秒。结果表明，我们的模型并未过度拟合信号数据，而是关注阻力方差较大的特征信号部分。单词识别性能与 sEMG 的比较