XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System硅晶圆
CMOS 和 SOI 上横向双极测试库的设计和测试指南
并提取了器件参数，以评估和比较 CMOS（互补金属氧化物半导体）测试结构，包括在体硅和 SOI（绝缘体上硅），特别是 SIMOX（通过注入氧气进行分离）晶圆上制造的器件和电路。测试库包括 CMOS-on-SOI 和
山东晶导微电子股份有限公司首次公开发行股票并在创业 ...
声明 ................................................................................................................................................................ 1
金属杂质的溶解行为以及通过添加螯合剂的恢复半导体晶圆清洁的改善
作为晶圆清洁过程，RCA（美国无线电公司）清洁主要使用。但是，RCA清洁存在诸如洗澡生活不稳定，重新吸附杂质和高温清洁等问题。在此，我们试图通过使用螯合剂（草酸）解决这些问题来提高硅晶片的纯度。通过参考Pourbaix图，可以鉴定出由清洁液和每个金属粉之间反应产生的化合物。所有金属在反应前均表现出10μm或更高的粒径分布，但反应后的粒径分布为500 nm。在适当的情况下，可以证实反应前后的金属显示出不同的吸光度。由于通过这种清洁溶液清洗了回收硅晶片表面的元素分析，因此证实除了SI以外，未检测到其他次级。关键字：回收硅晶片，晶圆清洁，金属杂质，金属复合物，螯合剂
器件制造技术1
将这些步骤和其他制造步骤结合起来，可以制造出复杂的器件和电路。这种在晶圆衬底上一步一步、一层层地制作电路的方法称为平面技术。平面工艺的一大优点是每个制造步骤都应用于整个硅晶圆。因此，不仅可以制造并以高精度互连许多器件以构建复杂的集成电路，还可以同时在一块晶圆上制造许多集成电路芯片。大型集成电路，例如中央处理器或CPU，一边可能有1-2厘米长，而一块晶圆（直径可能为30厘米）可以生产数百个这样的芯片。减小每个集成电路的面积，即减小器件和金属互连的尺寸，具有明显的经济优势，因为结果是每个晶圆可以生产更多的芯片，并降低每个芯片的成本。自1960年以来，世界各国已在平面微制造技术上投入巨资。该技术的变体还用于制造平板显示器、微机电系统 (MEMS)，甚至用于 DNA 筛选的 DNA 芯片。本章的其余部分介绍了现代设备处理技术。也许最显著的进步发生在光刻技术（第 3.3 节）和互连技术（第 3.8 节）领域。这两个领域也是 IC 制造成本中占比最大的两个领域。
掺杂选择性蚀刻 - 脱毛 - 薄薄的...
摘要 - 背面照明（BSI）3D堆叠的CMOS图像传感器对于包括光检测和范围（LIDAR）在内的各种应用中引起了重大兴趣。这些设备的3D集成中的重要挑战之一涉及单个光子雪崩二极管（SPAD）晶圆的良好控制的背面稀疏，后者堆叠着CMOS WAFERS。背面晶圆稀疏通常是通过硅的回培养和掺杂敏感的湿化学蚀刻的组合来完成的。在这项研究中，我们开发了一种基于量身定制的HF：HNO 3：CH 3 COOH（HNA）化学的湿蚀刻过程，能够在P+/P硅过渡层中实现蚀刻层，具有高掺杂级别的选择性（> 90：1）。在300毫米晶片中证明了〜300 nm的极佳总厚度变化的可行性。此外，还表征了包括染色和表面粗糙度在内的HNA蚀刻硅表面的众所周知的特性。最后，提出了一种湿的化学尖端方法来减少表面粗糙度。
200 毫米晶圆级集成高性能多晶 MoS 2 薄膜晶体管
在生长过程中，腔体压力和晶圆温度分别保持在 5.0 托和 800 o C。我们采用脉冲注入策略来调节二次成核并实现逐层生长模式。每个反应循环包括 2 分钟所有前体共注入，然后中断前体并清洗 1 分钟，循环时间为 3 分钟。通过五个生长循环获得了晶圆级多晶 MoS 2 薄膜；因此，总生长时间为 15 分钟。
198/192 系列 200 毫米晶圆运输载具
晶圆加工技术的趋势要求晶圆载体技术不断进步，以支持当今先进的半导体加工设施。我们的 198/192 系列 200 毫米晶圆运输载体可满足当今 200 毫米晶圆厂的自动化、污染控制和生产力要求。这些开放式侧壁晶圆载体专为先进的晶圆运输而设计，与传统的中低端晶圆载体相比，具有显著的性能优势，包括精确的晶圆存取、可靠的设备操作和安全的晶圆保护。