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World File Search System硅硅
DNA聚合酶多样性揭示了线虫进化过程中波林顿的多次入侵
polintons/mavericks（以下称为polintons）被发现为双链DNA（dsDNA）转座子，它们编码B家族（PPOLB）（PPOLB）的自发性，蛋白质培养的DNA 2聚合酶（PPOLB）和逆转录病毒 - 元素（Int-Element-entempose（Int）（int-like Light）（polints）（polintons）（polintons）（polintons）（polintons）（horce）（horce）3个名称。到目前为止，主要在硅硅中鉴定和表征，Polinton是跨单细胞和多细胞真核生物广泛发现的4个较大的已知DNA转座子之一，范围从13-25千个酶对（KBP），具有100-1500碱基对（BP）碱基对（BP）终端倒流6（TIR）和5-8 bp tarts 1（tir）和5-8 bp dup dup dup dup dup dup dup duplic（tir）。除了PPOLB和INT外，Polintons 7通常还编码编码与病毒型形态发生的DsDNA病毒蛋白8的核心基因组合，例如腺病毒样成熟蛋白酶（Pro），基因组9包装ATPase，以及MAGID CAPSID蛋白，以及MCSID蛋白（MCPS和MCPS和MCPS）5-11。10 polinton通常占据其宿主基因组的一部分；然而，有基因组11的发生率要高得多，例如挖掘的阴道滴虫，波林顿12膨胀到占基因组3,12-18的30％以上。13
数字印象的准确性是部分义齿
该研究的目的是通过对基台适应程度的体外研究来评估可移动部分义齿中数字印象的精度。肯尼迪III类模型，在43和47元素之间具有假肢空间，分别在米西奥 - 胶囊和扣带区域中具有壁ni。在亚组浓度和conm中进行了常规印象，而数字扫描是在DIGC和DIGM中进行的。使用石膏和树脂型号上的蜡技术制造了简化的钴 - 铬合金框架。通过用冷凝硅硅硅酮打动壁ni，定性评估穿孔，并在横截面后立体显微镜下定量测量霉菌厚度来评估结构的适应程度。常规适应性在实验组中更为普遍。conce显示出较高的平均基台适应程度，而conm的平均值较低。研究因素，印象技术和基台座椅的类型在统计学上没有显着意义，并且变量之间没有相互作用。咬合和扣带式基台测量点没有统计学上的显着差异。数字扫描在基台适应方面产生了更好的结果，基台座椅和金属结构之间的平均间隙较小，因此在临床上可以接受。基座座和印象技术的类型对基台适应没有统计学上的显着影响。印象技术并不代表影响不同测量点上咬合和扣带扣基台适应的因素。
将硅噬菌体变成体内噬菌体：
crass样噬菌体最初是从涉及元基因组测序的研究和来自多个个体（Crass-cr oss asbly）的读取的研究中得出的高度丰富和肠道微生物组的普遍成员。最近，已经确定了粘膜类细菌的骨状噬菌体感染细菌。最令人兴趣的面孔样噬菌体之一是它们在实验室和肠道中持续数量高的能力，而不会显着影响其细菌宿主的丰富性。在这里，我们重述了迄今为止，从2014年的硅硅发现以及随后鉴定唯一基因组特征的含量噬菌体，到Crass001的第一个隔离以及阐明由Vivo In Vivo的Phage-Host对研究引起的各种生物学特征的首次分离。在相对较短的时间内收集了大量信息，但是很明显，类似骨状的噬菌体研究仍处于起步阶段。未来的研究在于进一步的体内工作，与噬菌体 - 宿主对一起工作，再加上从较大的群体中分离出进一步的crass样噬菌体。引言泥泞的噬菌体是人类肠道微生物组的有趣成员。它们既多产又广泛，占肠道病毒基因组的86％以上。（Yutin等，2021）在来自全球各地的粪便中都发现了它们，并且在从婴儿到老年人的所有年龄段中都发现了它们（Edwards等，2019）。也已显示它们被转移并稳定地植入虽然crassphages很少是新生微生物组的组成部分，但它们在生命的第一年就变得越来越普遍。已经表明，垂直传播会导致这种初始定植（McCann等，2018； Siranosian等，2020）。
Mo -Si System的硅化硅的主要特性
摘要。使用Magnetron-ION溅射，将一层金属钼1–2μm厚的金属钼沉积在环境温度下惰性氩气的大气中，该硅通过Czochralski方法生长的硅单晶表面。根据实验的结果，纯Mo层厚度为2μm，通过磁控蛋白的反应性溅射从高度纯的金属钼靶中沉积到冷硅晶片底物上，厚度为1.5 mm。仅在严格定义的钼金属沉积速率对应于体积中给定的巨质压力的情况下，它们的电导率和透明度也很高。溅射目标是直径为40 mm的磁盘，厚度为3-4 mm。产品处理的技术周期包括目标清洁的阶段。在不添加氧气的情况下将金属MO靶标溅射在纯氩AR中，可以促进具有非常好的电导率的不透明金属膜的形成。X射线衍射分析具有Mo金属涂层表面的硅单晶体显示了Moleybdenum-Silicon系统中的MO3SI和MOSI.65的化合物。硅硅硅酸盐被发现在温度范围1850÷1900°C的温度范围内经历同类肌转化，而低温品种 -MOSI2具有四方结构。 -MOSI2的高温形式具有六边形结构。使用原子扫描显微镜进行研究的结果表明，硅原子的链与MO原子连接，形成沿平行X和Y轴的MO结构的棱镜形成的锯齿形。
摘要
新型环氧树脂/苯甲甲聚合物网络与硅粉作为填充剂的合成，并评估其机械强度和热稳定性。Mohammed H. M. Alhousami 1 *，Sultan S.A. Qaid 2，Ahmed S. N. Al-Kamali 3和Anjali A. Athawale 4，工业化学系应用科学学院，泰兹大学应用科学学院，也门共和国，也门共和国。4化学部，印度浦那大学，浦那大学，电子邮件：甲氧醇 - A苯甲醇-A苯甲醇TDGEBA/Bz具有紫色的二苯酚，带有紫色开发的环氧树脂，并以各种百分比的硅（SI）作为档案，以获取TETRA二甘油乙醇乙醚Bisether-A Bisether-A苯甲醇-A苯甲酰氨基硅硅硅/bz-bz-bz -si的基于新颖的Espents，以均匀效应。将新型环氧基的聚酰胺用三乙基环胺TETA（HARDENER）％固化，以获得高度交联热固性聚合物。通过测量（TDGEBA//BZ-SI的影响强度增长了33％以上的影响强度，其表征）的特征是未修饰的环氧树脂的影响强度高于未修饰的DGEBA环氧树脂。差异扫描量热法（DSC）和Thermo gravimetric（TGA）分析也被治愈以评估样品的热行为。这些材料表现出更高程度的溶剂耐药性。。这些材料表现出更高程度的溶剂耐药性。关键字：环氧树脂。热稳定性。DSC显示出放热反应，与未修改的DGEBA环氧树脂相比，玻璃过渡温度（TG）从300°C转移到450°C，而TDGEBA/BZ-SI Epoxy修饰的TDGEBA/BZ-SI Epoxy Motified Morpoy silicy silic sys Scanning Evalson nignning Evalson nignning Evalson nignning Evalson Ning sscan Ning sscan nisning Evalsion sscan Ning sscan nisning sscan nisning sys scan ning。未切换后，对断裂表面的样品DSC。TGA。 sem，1。介绍TGA。sem，1。介绍
晶圆粘结后的晶圆边缘平面化
使用Tencor的HRP-250来测量轮廓。使用了来自Cabot的SS12和来自AGC的CES-333F-2.5。在将晶片粘合到粘合之前（氧化物到氧化物和面对面），将顶部晶圆的边缘修剪（10毫米），并同时抛光新的斜角。这可以防止晶片边缘在磨/变薄后突破[1]。将晶圆粘合后，将散装硅研磨到大约。20 µm。之后，通过反应性离子蚀刻（RIE）将粘合晶片的剩余硅移到硅硅基（SOI） - 底物的掩埋氧化物层（盒子）上。另一个RIE过程卸下了2 µm的盒子。之后，粘合晶片的晶圆边缘处的台阶高为3 µm。随后沉积了200 nm的氮化物层，并使用光刻和RIE步骤来构建层。此外，罪被用作固定晶片的si层的固定。必须将设备晶圆边缘的剩余步骤平面化以进行进一步的标准处理。为此，将剩余的罪硬面膜（约180 nm）用作抛光止损层。在平面化之前，将4500 nm的Pe-Teos层沉积在罪恶上。这有助于填充晶圆的边缘。在第一种抛光方法中，将氧化物抛光至残留厚度约为。用SS12泥浆在罪过的500 nm。在这里，抛光是在晶片边缘没有压力的情况下进行的。然后将晶圆用CEO 2泥浆抛光到罪。用CEO 2浆料去除氧化物对罪有很高的选择性，并且抛光在罪恶层上停止。第一种抛光方法花费的时间太长，将氧化物层抛光至500 nm的目标厚度。此外，在抛光SIO 2直到停止层后，用SS12稍微抛光了罪。最后，高度选择性的首席执行官2 -lurry用于抛光罪。结果表明，步进高度很好，但是弹药范围很高（Wafer＃1）。第二种方法的抛光时间较小，并在500 nm上停在SIO 2上，而最终的抛光和首席执行官2 -slurry直至罪显示出良好的步进高度，并具有更好的罪恶晶圆范围（Wafer＃2）。
宽带2×2硅氮化物平台上的多模式接口
基于自我成像效应[1]，多模式干涉仪（MMI）可以用作光束拆分器，这是光子积分电路的基本构建块。MMI与Y分支和方向耦合器相比，由于其定义明确的振幅，相位和出色的公差[2，3]，提供了卓越的性能。因此，MMI在Mach-Zehnder干涉仪（MZIS）[4]，分裂和组合器[5，6]，极化束分裂器[7]中找到应用。与MMIS尺寸降低或性能提高有关的研究已发表[8-11]。最近，在SOI上使用MMI设备的次波光栅在内的设计表现出了巨大的承诺[12，13]。次波长光栅（SWGS）是光栅结构，它利用小于波长的光向音高[14]，抑制衍射效应并表现出各向异性特征[12]。通过工程化各向异性折射率，SWG已在许多应用中使用，例如纤维芯片表面和边缘耦合器[15-17]，微功能波导[18]，镜片[19]，波导cross [20]，多路复用器[17，21，22]，相位移动器[23]和Optical Shifters [23]和Optical Sheifters [23] [23] [24] [24] [24] [24]。使用这种元物质，SWG MMI设备的带宽已在SOI平台上显着扩展[12，13]，这使包括波长二线二线器[25]，宽带偏振器梁拆分器[26] [26]和双模式束分配器有益于广泛的应用[27]。砖SWG结构以减轻制造分辨率的要求[28，29]。在SOI平台旁边，其他CMOS兼容材料，例如氮化硅，氮化铝和硝酸锂引起了很多关注。氮化硅（Si 3 N 4）由于其超低损失[30]，非线性特征[31]，从400 nm到中红外[32]脱颖而出[31]。像SOI平台一样，人们对在硅硅平台内实现高性能MMI设备也非常感兴趣。在本文中，我们将SWG MMI理论从SOI平台扩展到其他集成的光子平台，专门针对300 nm厚的氮化硅平台。我们的目标是设计和优化具有较小脚印和宽操作的SWG MMI设备
标题：实用集成主要温度计的光子和量子传感器
在凯文后的重新定义时代，温度可追溯性受到开尔文（MEP-K-19）定义的CCT批准的机制。开发新一代的基于光学的主要温度测量方法可以直接在原位中直接使用，这将满足当前需要重新校准传感器的需求。同时，量子技术的最新发展需要非常控制的原位温度计（直接集成到量子芯片集中），以直接在发生量子测量的地方进行测量。在Empir JRP 17FUN05摄影项目中，已经制造了最新的光学机械和光子谐振器，并且已经实施了可追溯的温度测量值，以准确对这些新温度传感器的计量验证。在较大的温度范围内证明了使用光学传感器的实用相噪声温度计：从4 K到300K。但是，在大于（高于300 K）温度范围内测量的测量时，需要一系列光学机械传感器来减少相应的不确定性。在低温温度（低于10 K）下，量子光学技术可以实现准确的初级温度计（不确定性<0.2 K）。量子相关温度法作为替代初级温度计技术集成在纳米级，并且对磁场不敏感。除了初级温度测定法外，高精度和分辨率还需要光子温度计。对于实际应用（低温温度），芯片通过光纤需要进行光学耦合。光子温度计是一种基于热光效应的芯片量表技术，即光波导的折射率的温度依赖性，它决定了光学谐振器的谐振频率的温度，从而导致非常高的温度分辨率（SUBMK）。最低工作温度是通过光学波导的热效应施加的，光学波导对于低于80 k的硅变得很小。光子温度计具有很高的灵敏度（硅硅的70 pm/k），但是它需要在此处开发的其他类型的温度计，因为它是一种非优质的热量计质，因为它是其他类型的热量表。可以通过将芯片固定在纤维本身上来实现，但是为了确保连接技术的可重复性和所使用材料的兼容性的可重复性，需要在较大的温度范围内测试该方法。为此，可以考虑基于胶水连接的标准耦合方法。但是，由于低温温度下胶的热应力，它们的使用受到限制。作为一种替代方案，已经提出了激光焊接方法将融合的二氧化硅纤维与集成微晶状体的硼硅酸盐纤维底物进行硼硅酸盐玻璃底物。需要开发应力补偿技术和新颖的光学设计，以促进广泛的温度范围光学平台。最后，光子
社论：量子材料中的创新者
“量子材料”的概念在各种科学和技术纪律中获得了突出的重要性，在这些纪律中，它们的量子现象（例如，纠缠，叠加，叠加，隧道和自旋轨道相互作用）推进了科学和技术的新兴领域，例如量子计算（Nielsen和Chuang，Chuang，Chuang，2000），Teleport（teleport）（teleport and teleport）（bennet and and and and and and and and et n.193），Eth。 2002年; Pirandola等，2020），感应（Degen等，2017），以及包括自旋奥梁型（Manchon等，2015），升温器（Bauer等人，2012年）的新型电子设备（Manchon等，2015） Schaibley等人，2016年），为新的全球商业市场提供了有效的驱动力。积极研究量子材料的科学家面临着各种挑战，这些挑战位于物理，材料科学和工程学的先锋方面。如果没有在世界各地工作的才华横溢的研究人员社区，包括诺贝尔奖获奖者到入门水平的学生，这些进步将是不可能的。该研究主题旨在强调那些处于这一重要领域最前沿的科学家。二氧化硅 - 硅硅质无定形界面（A -SIO 2 /Si）是硅设备的关键组成部分。Liu等。 报告第一原则计算，该计算检查应力对A -SIO 2 /Si（111）界面上P B缺陷的深度活化反应的影响，并且在A-SIO 2 /Si（100）界面上的P B1缺陷。 借助第一原则计算，Zhang等。 Liu等。Liu等。报告第一原则计算，该计算检查应力对A -SIO 2 /Si（111）界面上P B缺陷的深度活化反应的影响，并且在A-SIO 2 /Si（100）界面上的P B1缺陷。借助第一原则计算，Zhang等。Liu等。Liu等。他们的调查对工程实践很重要，因为它有助于促进对真实设备中性能变性的理解。提供了急需的理论基础，描述了-SIO 2 /Si中H 2 O和界面缺陷的相互作用（100）。量子材料的领域已扩大，以涵盖二维（2D）材料系统和相关的异质结构，其相互作用和基本反应性受范德华力支配。此外，由于潜在的信息处理和存储领域的潜在用途，越来越多的科学家将注意力引导到2D磁性材料。构建了Crgete 3 /Nio异质结模型，并在第一原则计算的帮助下研究了Crgete 3 /Nio界面的电气和磁性。可以通过将拓扑的基本定理和拓扑概念纳入声子的研究来开发，类似于拓扑电子领域所证明的。借助第一原则计算，李提出了
•新Silex量子硅生产项目从国防开拓者的概念授予510万美元的资金到主权能力计划
资金将支持建立量子硅生产工厂，该工厂旨在在公司的卢卡斯高地技术中心提供端到端的制造工厂。预计，第一个生产模块每年将生产ZS-SI（以Halo-Silane的形式）生产5公斤至10kg，然后将其转换为基于全球硅的量子计算行业的潜在客户的多个Q-SI产品表格。新项目将与合作伙伴，硅量子计算有限公司（SQC）和UNSW一起进行，并从一个早期的项目中继续进行，该项目表现出有效产生的革兰氏量的ZS-SI，并富含硅28的硅28含量，最高含量为〜99.998％。Michael Goldsworthy, Silex's CEO/Managing Director, said: “We are delighted to receive funding under the Federal Government's Defence Trailblazer Program, which will assist us to transition our Zero-Spin Silicon enrichment technology from the pilot demonstration level to commercial-scale, including the development of product conversion technology to produce two forms of commercial Quantum Silicon products (gas and solid) required by emerging silicon quantum chip fabricators around the 世界。” “这使我们能够利用在最近完成的零旋转硅项目中为我们创新的Silex激光同位素分离技术所取得的结果，并为新兴的硅量子计算行业的重要启用材料建立主权能力和安全供应链。以前，富集硅的主要供应来自俄罗斯，但该消息来源被地缘政治事件所破坏。”SQC首席执行官Michelle Simmons AO教授说：“在CRC-P计划取得成功的合作之后，SQC对通过开拓者量子硅生产项目扩展与Silex的合作伙伴关系感到非常兴奋。开拓者的资金支持Silex的商业规模生产量子硅，这是澳大利亚SQC Atom级量子计算机生产必不可少的富含硅硅材料。在我们传统的供应来源被破坏的时候，创建这种重要材料的主权供应。我们再也没有动力支持该项目了。”国防开拓者执行董事Sanjay Mazumdar博士说：“国防开拓者期待支持Silex Quantum Silicon生产工厂的商业部署。国防开拓者计划的目的是支持澳大利亚技术的商业化，这些技术将对澳大利亚的国防部门产生重大利益。通过量子硅生产项目，将创建针对硅量子计算所必需的关键量子材料的主权端到端供应链。量子计算的出现预计将对国防和国家安全活动产生深远的影响，并且该项目非常适合开拓者的意图。”