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“量子材料”的概念在各种科学和技术纪律中获得了突出的重要性，在这些纪律中，它们的量子现象（例如，纠缠，叠加，叠加，隧道和自旋轨道相互作用）推进了科学和技术的新兴领域，例如量子计算（Nielsen和Chuang，Chuang，Chuang，2000），Teleport（teleport）（teleport and teleport）（bennet and and and and and and and and et n.193），Eth。 2002年; Pirandola等，2020），感应（Degen等，2017），以及包括自旋奥梁型（Manchon等，2015），升温器（Bauer等人，2012年）的新型电子设备（Manchon等，2015） Schaibley等人，2016年），为新的全球商业市场提供了有效的驱动力。积极研究量子材料的科学家面临着各种挑战，这些挑战位于物理，材料科学和工程学的先锋方面。如果没有在世界各地工作的才华横溢的研究人员社区，包括诺贝尔奖获奖者到入门水平的学生，这些进步将是不可能的。该研究主题旨在强调那些处于这一重要领域最前沿的科学家。二氧化硅 - 硅硅质无定形界面（A -SIO 2 /Si）是硅设备的关键组成部分。Liu等。 报告第一原则计算，该计算检查应力对A -SIO 2 /Si（111）界面上P B缺陷的深度活化反应的影响，并且在A-SIO 2 /Si（100）界面上的P B1缺陷。 借助第一原则计算，Zhang等。 Liu等。Liu等。报告第一原则计算，该计算检查应力对A -SIO 2 /Si（111）界面上P B缺陷的深度活化反应的影响，并且在A-SIO 2 /Si（100）界面上的P B1缺陷。借助第一原则计算，Zhang等。Liu等。Liu等。他们的调查对工程实践很重要，因为它有助于促进对真实设备中性能变性的理解。提供了急需的理论基础，描述了-SIO 2 /Si中H 2 O和界面缺陷的相互作用（100）。量子材料的领域已扩大，以涵盖二维（2D）材料系统和相关的异质结构，其相互作用和基本反应性受范德华力支配。此外，由于潜在的信息处理和存储领域的潜在用途，越来越多的科学家将注意力引导到2D磁性材料。构建了Crgete 3 /Nio异质结模型，并在第一原则计算的帮助下研究了Crgete 3 /Nio界面的电气和磁性。可以通过将拓扑的基本定理和拓扑概念纳入声子的研究来开发，类似于拓扑电子领域所证明的。借助第一原则计算，李提出了
社论：量子材料中的创新者
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