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World File Search System磁电
室温大磁电在过渡态...
人们越来越关注新型磁电 (ME) 材料，这种材料在室温 (RT) 下表现出强大的 ME 耦合，可用于高级存储器、能源、自旋电子学和其他多功能设备应用，利用通过磁场控制极化和/或通过电场控制磁化的能力。获得具有强 ME 耦合的 ME 材料、了解其起源并操纵其加工和成分以实现室温下的大 ME 系数是多铁性研究的重要一步。为了解决这个问题，我们研究了 Ni 掺杂的 Pb(Zr 0.20 Ti 0.80 )O 3 (PZT) 的多铁性和 ME 特性。我们发现 Ni 掺杂 PZT 的铁电（TC ~ 700 K）和弱铁磁（~ 602 K）相变远高于 RT，导致强 ME 耦合系数（ E,31）为 11.7 mVcm -1 Oe -1（H ac = 1 Oe 和 f = 1 kHz）。虽然 X 射线衍射表明这是一种单相材料，但高分辨率透射电子显微镜揭示了有和没有 Ni 存在的区域；因此两相之间的磁电耦合是可能的。第一性原理计算表明 (Ni Pb ) × 缺陷可能是造成 Ni 掺杂 PZT 中实验观察到的磁性和 ME 耦合的原因。我们进一步证明 Ni 掺杂 PZT 表现出低损耗角正切、低漏电流、大饱和极化和弱
利用磁电技术设计未来药物...
MENPs 最重要的物理参数是 ME 系数；对于 30 纳米 BaTiO-OC Fe o 2 4 3 MENPs，典型的 ME 值在 100 mV·cm −1 ·Oe −1 的数量级上。对于这些 30 纳米纳米粒子，核心直径约为 15 纳米。尽管尺寸相对较小，但由于核心通常具有较高的磁各向异性，纳米粒子在室温下仍不会陷入超顺磁状态。核心和壳之间的 ME 耦合可能会进一步增加核心的磁各向异性。这些 MENPs 的毒性已被广泛研究，并通过体外和体内实验证明在适当剂量下是安全的 [13]。总体而言，在小鼠研究中，每 1 克体重少于约 10 纳克的 MENPs 剂量被证明是安全的。相比之下，每 1 克体重 1 纳克的剂量在刺激和药物输送方面取得了明显的积极效果。
使用Lafesi磁电材料的热能收割机
在连续变化（CV）量子物理学中，高斯国家长期以来一直是研究的富有成果的话题[1-10]。它们自然而然地作为热状态形式的许多非相互作用颗粒的系统的基础状态[11]，或描述了由激光发出的光的相干状态[3]。通过非线性过程，可以将噪声降低到超过射击噪声限制（以互补可观察到的噪声增加的价格），并产生挤压状态[12-17]。出于Metrol-Ogy的目的，这种挤压状态通常足以获得性能的显着提升[18-21]。在理论上，高斯州相对容易处理[8，9]。高斯智能功能描述了连续变量可观察物的量子统计（例如，量子光学中的四倍）。所有有趣的量子特征都可以从相协方矩阵中推导，该协方差矩阵表征了相位空间上的高斯分布。因此，每当模式的数量仍然有限时，符号矩阵分析的技术就足以研究高斯量子状态。这已经对高斯州的纠缠特性产生了广泛的了解[22-27]，最近它也导致了高斯州的量子转向（参见[28]）的发展[29-32]，我们将其称为Einstein-Podolsky-Podolsky-podolsky-podolsky prosen（Epr）。即使它们具有许多优势，高斯州对
双叶Riemann表面拓扑磁电磁性
对固体中磁性的电场控制，即相反的磁电力，对于可扩展的能量效能逻辑设备的应用非常需要。但是，这不仅是技术挑战，而且是科学悖论，因为原则上，自由的电和磁性遵守了符号的不同规则。尽管在过去的几十年中，在多种表演者社区取得了巨大进展，但迫切需要磁性电脑的成功，而概念革命的替代方法仍然需要。在这里，通过将拓扑的概念引入多色型，基于二维磁铁中的自旋依赖性D-P杂交的机制揭幕了异国情调的磁性双叶riemann表面：GDI 2单层。受拓扑保护的保护，可以通过电循环精确地实现180°自旋逆转，从而导致稳健而耗散的无匡威磁电函数。这样的拓扑磁电视允许通过AC电场对磁化进行非平凡的操作。在这一类别中，有针对性地设计具有更好性能的候选材料，这为使用拓扑磁电机的潜在应用铺平了道路。
溶液处理的多效薄膜，在室温下与大磁电耦合
摘要：具有明显的室温磁电耦合系数的薄膜实验实现，在没有外部DC磁场的情况下，αMe一直难以捉摸。在这里，在没有外部DC磁场的情况下，据报道多效性聚合物纳米复合材料（MPC）薄膜的大型耦合系数为750±30 mV-1 cm-1。MPC基于PMMA-REDRED的钴有铁纳米颗粒，该纳米粒子均匀分散在压电聚合物聚合物聚（乙烯基氟化物-Co-三氟乙烯，P（VDF-TRFE）。 表明，纳米颗粒聚集起着有害的作用，并显着降低了αMe。 通过原子传递自由基聚合（ATRP）接管一层聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）的表面功能化，从而使纳米粒子用P（VDF-Trfe）基质混乱，从而使其在矩阵中均匀地分配在Matrix中，甚至可以在subsicmerter metrix中均匀地分配。 均匀的色散产生了铁磁纳米颗粒与压电聚合物矩阵之间最大化的界面相互作用，从而导致在溶液处理的薄膜中对大αME值进行实验证明，这些薄膜可以在柔性和可打印的多型多型电子设备中利用，以用于敏感和可启用敏感性。 关键字：多效，铁电聚合物，磁性纳米颗粒，纳米复合材料，磁电耦合表明，纳米颗粒聚集起着有害的作用，并显着降低了αMe。通过原子传递自由基聚合（ATRP）接管一层聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）的表面功能化，从而使纳米粒子用P（VDF-Trfe）基质混乱，从而使其在矩阵中均匀地分配在Matrix中，甚至可以在subsicmerter metrix中均匀地分配。 均匀的色散产生了铁磁纳米颗粒与压电聚合物矩阵之间最大化的界面相互作用，从而导致在溶液处理的薄膜中对大αME值进行实验证明，这些薄膜可以在柔性和可打印的多型多型电子设备中利用，以用于敏感和可启用敏感性。 关键字：多效，铁电聚合物，磁性纳米颗粒，纳米复合材料，磁电耦合表面功能化，从而使纳米粒子用P（VDF-Trfe）基质混乱，从而使其在矩阵中均匀地分配在Matrix中，甚至可以在subsicmerter metrix中均匀地分配。均匀的色散产生了铁磁纳米颗粒与压电聚合物矩阵之间最大化的界面相互作用，从而导致在溶液处理的薄膜中对大αME值进行实验证明，这些薄膜可以在柔性和可打印的多型多型电子设备中利用，以用于敏感和可启用敏感性。关键字：多效，铁电聚合物，磁性纳米颗粒，纳米复合材料，磁电耦合
应变敏感柔性磁电陶瓷纳米复合材料
先进的柔性电子器件和软体机器人需要开发和实施柔性功能材料。磁电 (ME) 氧化物材料可以将磁输入转换为电输出，反之亦然，使其成为先进传感、驱动、数据存储和通信的绝佳候选材料。然而，由于其易碎性质，它们的应用仅限于刚性设备。在这里，我们报告了柔性 ME 氧化物复合材料 (BaTiO 3 /CoFe 2 O 4 ) 薄膜纳米结构，它可以转移到可拉伸基底上，例如聚二甲基硅氧烷 (PDMS)。与刚性块体材料相比，这些陶瓷纳米结构表现出柔性行为，并通过机械拉伸表现出可逆可调的 ME 耦合。我们相信我们的研究可以为将陶瓷 ME 复合材料集成到柔性电子器件和软体机器人设备中开辟新途径。
应变敏感柔性磁电陶瓷纳米复合材料
先进的柔性电子器件和软体机器人需要开发和实施柔性功能材料。磁电 (ME) 氧化物材料可以将磁输入转换为电输出，反之亦然，使其成为先进传感、驱动、数据存储和通信的绝佳候选材料。然而，由于其易碎性质，它们的应用仅限于刚性设备。在这里，我们报告了柔性 ME 氧化物复合材料 (BaTiO 3 /CoFe 2 O 4 ) 薄膜纳米结构，它可以转移到可拉伸基底上，例如聚二甲基硅氧烷 (PDMS)。与刚性块体材料相比，这些陶瓷纳米结构表现出柔性行为，并通过机械拉伸表现出可逆可调的 ME 耦合。我们相信我们的研究可以为将陶瓷 ME 复合材料集成到柔性电子器件和软体机器人设备中开辟新途径。
用$ D $ - 波磁化的超导体中的磁电效应
简介。在非中心对称超导体[1]中的磁性电源最近引起了极大的关注，尤其是在其在非核心超导反应中的实验应用中[2]，例如，如最近的综述[3-6]。特别是，Edelstein磁电效应是由应用超电流引起的自旋极化的产生，而其反场景是二极管效应，即，在两个相反的方向上，临界电流是不同的，在存在外部磁性的情况下会产生的两个相反的方向。这些现象的根本原因之一是违反了由旋转轨道相互作用或不均匀的磁性交换场引起的空间反演象征，该磁性磁性交换场是对能量依赖的动量旋转分裂的作用[7-9]，所有这些[7-9]都引起了电子旋转旋转极化之间的耦合和电荷之间的耦合[7]。在本文中，我们考虑了一个具有d-波对称性的共线抗磁性（AFM）订购参数的中心对称金属[11-14]。这种AFM阶诱导了传导费米子的费米表面的特定D波动量依赖性旋转分裂[7-9]。最近在参考文献中审查了各向异性磁顺序的扩展对称分类。[15 - 17]。显示此功能的代表性材料包括，例如，类型AFMS：金属RUO 2，Mn 5 Si 3，VNB 3 S 6，半导体MNTE等[15-20]。此外，最近在thinfms ruo 2中观察到了应变稳定的超导性，tc≈1。[31]。8 K取决于纤维厚度[21-23]。受到最近的实验进展的促进，对超导性的D-波AFM交换耦合的理论研究成为了一个密集的研究领域，包括对Andreev反射的研究和Josephson Current [24-28]，在D -Wave Superconcontos in D -Wave Superconcontos ft d -Wave af -Wave afm [29]中的无综合状态[29]，或者是30岁的MAD [29]，或者有关最近的精彩文章，请参见参考文献。在这种情况下，超导性和磁性的问题自然出现。清楚地，在肌脱肌对称超导体中，与极性超导体中的Edelstein效应相反，诱导的载体的自旋极化与超循环的均匀功能成正比，并表现出D -Wave对称性。
探索外延非对称多层异质结构的相变和磁电耦合
完整作者列表： Pradhan, Dhiren；田纳西大学诺克斯维尔工程学院，材料科学与工程；橡树岭国家实验室纳米相材料科学中心， Kumari, Shalini；宾夕法尼亚州立大学帕克分校，材料科学与工程系 Puli, Venkata；圣卡洛斯联邦大学，化学 Pradhan, Dillip；NIT Rourkela，物理与天文系 Kumar, Ashok；国家物理实验室 (CSIR)，顶级标准与工业计量 (ALSIM) Kalinin, Sergei；橡树岭国家实验室，凝聚态科学 K Vasudevan, Rama；橡树岭国家实验室，纳米相材料科学中心 Katiyar, Ram；波多黎各大学，Rio-piedras，物理学 Rack, Philip；田纳西大学；橡树岭国家实验室纳米相材料科学中心
VLF薄膜磁电天线的阵列研究具有Microbridge结构
摘要：最近，磁电（ME）天线已成为非常低频（VLF）频段的天线微型化的热门话题，因为它们的大小可以降低到传统电气天线的千分之一。但是，它们仍然患有狭窄的传输/接收带宽和弱辐射强度。为了解决这些问题，设计了带有Microbridge结构的VLF薄片ME天线，并使用了数组连接的方法。测试结果表明，在23 kHz时，ME天线单位的检测极限为636 pt/√Hz，0.12 m时的辐射磁场强度为0.87 nt（输入功率为10 mW）。通过将三个ME天线单元串联具有相同的共振频率，与单个单元相比，输出响应已增加到1.72倍，EM波辐射强度增加到1.9倍。与单个单元相比，通过平行连接两个具有不同谐振频率的ME天线单元，输出响应带宽已扩展到1.56倍，并且信号辐射带宽已扩展到1.47倍。这项工作为我天线的未来大规模阵列提供了宝贵的参考。