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World File Search System纳米线
第2部分：制造新的Pandemics疫苗
摘要：我们研究了使用与铸造型完全消耗的硅在绝缘子（FD-SOI）过程中制造的硅纳米线效率晶体管中栅极诱导的量子点。一系列包裹在硅纳米线上的分裂门自然会沿单个纳米线产生2×N双线阵列的量子点。我们首先研究了这种2×2阵列中量子点的电容耦合，然后展示如何通过通过共享的，共享的，电的，电流的”电极在两个平行的硅纳米线上扩展此类耦合。用一个用作单电子盒传感器运行的量子点，电流门可用于增强电荷灵敏度范围，从而使其能够在单独的硅纳米线中检测电荷状态过渡。通过比较来自多个设备的测量值，我们通过量化电荷灵敏度衰减作为点传感器分离的函数和在双纳米线结构中的构造来说明浮游栅极的影响。关键字：量子点，反射测量法，流栅极耦合器，静电耦合
和微观结构技术讲师（S）部门
5。1d纳米结构，纳米线。融合方法：纳米线大小控制原理。分子和纳米结构的自组织。自组装结构的生长和控制技术在有机电子中进行自组织：在自组织分子的应用中的优势和缺点，层制造，langmuir-blodgett层，体积，有机太阳能细胞和FET的自组织。
通过压电响应力显微镜和 FEM 模拟研究半导体 ZnO 纳米线的直径相关压电响应
半导体压电纳米线 (NW) 是开发由生物相容性和非关键材料制成的高效机械能传感器的有希望的候选材料。人们对机械能收集的兴趣日益浓厚，因此研究半导体 NW 中的压电性、自由载流子屏蔽和耗尽之间的竞争至关重要。到目前为止，由于表征这些纳米结构中的直接压电效应所带来的实验挑战，这一主题很少得到研究。在这里，我们使用 DataCube 模式下的 PFM 技术并通过逆压电效应测量有效压电系数来摆脱这些限制。我们证明了垂直排列的 ZnO NW 的有效压电系数随着半径的减小而急剧增加。我们还提出了一个数值模型，通过考虑掺杂剂和表面陷阱来定量解释这种行为。这些结果对基于垂直排列的半导体 NW 的机械能传感器的表征和优化有很大影响。
标题已更正 JICS 手稿修订 - 通过微电子兼容路线实现基于 ZnO 纳米线的场发射装置
摘要 — 纳米结构氧化锌 (ZnO) 因其独特的特性和在不同领域应用的可能性在过去几年中引起了人们的广泛关注，包括用作气体传感器件中的活性层和场发射器件的有前途的发射器。虽然它对 FE 目的很有趣，但这种材料的合成可能很复杂且与微电子工艺不兼容。为了解决这个问题，本文探讨了通过非催化剂热氧化法生长 ZnO 纳米线。通过拉曼光谱、X 射线光电子能谱、X 射线衍射和扫描电子显微镜详细表征了原生纳米材料。这些表征证实，所采用的工艺在整个基底表面获得高密度的 ZnO 纳米级结构方面取得了成功。ZnO 纳米线的直径范围为 30 至 100 纳米，长度可达 4 微米。获得了高效的电子场发射特性，开启电场较低（2.4 伏/微米，电流密度为 360 皮安/平方厘米）。基于图像处理的创新系统允许在器件的整个有效区域内进行电流映射，从而提供有关发射电流均匀性的信息。这些结果表明，所采用的低复杂制造程序以及 ZnO 纳米材料本身适用于基于场发射的器件。
无茎INSB纳米线网络和纳米片在INP
在耐断层拓扑回路实现实验中的摘要是将纳米线与最小疾病相互连接。合并形成的平面外依赖二胺（INSB）纳米线网络是潜在的候选者。然而，它们的生长需要一个外来物质茎通常由INP – INA制成。该茎施加了局限性，其中包括限制纳米线网络的大小，通过晶界和杂质掺入引起障碍。在这里，我们省略了INP底物上无茎INSB纳米线网络的生长。为了使生长无茎，我们表明在INSB生长之前，需要使用Arsine（Ash 3）进行预处理。通过用纳米腔的选择性区域掩膜对底物进行构图，可以实现无茎纳米线生长的高收益，其中包含纳米线产生的受限金液滴。有趣的是，这些纳米线是弯曲的，由于合并故障而构成了互连纳米线网络的挑战。我们将这种弯曲归因于INSB纳米线中的砷杂质和插入式晶格不匹配的非均匀掺入。通过调整生长参数，我们可以减轻弯曲，从而产生大型和单晶的INSB纳米线网络和纳米片。这些纳米结构的大小和晶体质量的提高扩大了该技术制造先进量子设备的潜力。
设计，模拟和优化硅基板上增强的垂直GAN纳米线晶体管用于电力电子应用
在高能量物理中使用的大探测器系统中相互作用点附近的像素阵列的发展需要像素及其读数的高辐射硬度。基于量子井的像素设备，称为dotpix使用带有控制门的传感N通道MOS设备。埋入的GE层充当当前的调制门，该栅极定位通过撞击颗粒而产生的孔。通过si上GE的低温外延生长获得了Dotpix埋入的GE门。我们已经开始研究实现这些先决条件的不同方法：需要低温预算来减少GE和SI相互混合，这可能对DotPix操作有害。使用Si热氧化物与沉积的氧化物（例如氧化物）一起研究，这与二氧化硅不同。在这项研究中，二氧化硅和沉积的氧化物结合的可能性为另一种可能性。
非对称的有效栅极长度模型...
亲爱的编辑，随着 VLSI 技术的发展，环栅 (GAA) 硅纳米线晶体管 (SNWT) 已成为技术路线图末端最终缩放 CMOS 器件最有潜力的候选者之一。一些先驱研究已经证明了 GAA SNWT 的超可扩展性和高性能 [1-3]。然而，在实际制作结果中 [1,2]，由于纳米线对蚀刻工艺的阴影效应，环栅栅极电极通常不是关于纳米线中心轴理想对称的，而是沿纳米线轴向呈梯形横截面。栅极电极的这种不对称性会使性能评估不正确，并导致用于电路仿真的器件紧凑模型不准确。然而，对非对称 GAA 硅纳米线 MOSFET 建模的研究仍然不足 [4,5]。本研究建立了非对称栅极GAA SNWT的有效栅极长度模型，并用技术计算机辅助设计（TCAD）仿真对其进行了验证。利用所提出的模型，可以将非对称GAA SNWT视为等效对称器件，从而可以在电路仿真中简化建模参数。仿真与方法。图1（a）沿沟道方向描绘了非对称栅极GAA SNWT的横截面。在
纳米线中相干亮暗表面声子极化子的超快光学产生
摘要：等离子体产生的亚波长约束和增强电场可实现精确传感和增强光与物质的相互作用。然而，等离子体的高频率和短寿命限制了这项技术的全部潜力。找到替代品并研究其动力学至关重要。在这里，我们提出了一种实验方法，允许在时间域研究表面声子极化子。我们首先为超短脉冲光与极性材料相互作用建立理论框架。然后，我们进行飞秒泵浦探测实验，并展示表面声子极化的产生和时间分辨检测。通过比较实验和模拟，我们显示了明模式和暗模式的存在，质量因子高达 115。然后，我们研究模式相关的衰减和向环境的能量传递。我们的结果为实验探索表面声子极化子的动力学以及相干性在能量传递中的作用提供了一个平台。关键词：表面声子极化子，超快，相干性，亚波长限制
毛细管力驱动碳纳米管自组装
近年来，微/纳米级材料结构的合理设计引起了人们的极大兴趣，因为它们可以改变材料的物理性质。例如，垂直排列的纳米线（NW）可以调节表面的光学性质，因为它们的几何形状（直径、高度、间距）可以调整光的约束和吸收。因此，光伏应用对光收集能力的提高有着很大的需求。1碳纳米管（CNT）阵列可以构建高密度的3D集成电路架构。不同功能层（如传感、存储、处理）2之间的连接性空前增强，这非常适合用于物联网（IoT）等数据密集型技术。对于上述所有实现以及其他实现，在处理密集排列的1D纳米结构阵列时保持垂直方向是至关重要的。然而，不同的制造步骤可能会偏离这一期望方向。据报道，例如，在通过扫描电子显微镜进行表征时，暴露于电子束会使半导体纳米线弯曲，随后形成纳米线束。3 – 6 涉及湿法蚀刻或清洗的程序也会导致纳米线 7 – 9 和碳纳米管的垂直排列重新成形。在所有这些情况下，都会发生干燥步骤，其中相邻纳米柱之间的毛细管弯月面会产生横向力，可能使它们接触 10,11 并最终组装在一起。