摘要:我们研究了使用与铸造型完全消耗的硅在绝缘子(FD-SOI)过程中制造的硅纳米线效率晶体管中栅极诱导的量子点。一系列包裹在硅纳米线上的分裂门自然会沿单个纳米线产生2×N双线阵列的量子点。我们首先研究了这种2×2阵列中量子点的电容耦合,然后展示如何通过通过共享的,共享的,电的,电流的”电极在两个平行的硅纳米线上扩展此类耦合。用一个用作单电子盒传感器运行的量子点,电流门可用于增强电荷灵敏度范围,从而使其能够在单独的硅纳米线中检测电荷状态过渡。通过比较来自多个设备的测量值,我们通过量化电荷灵敏度衰减作为点传感器分离的函数和在双纳米线结构中的构造来说明浮游栅极的影响。关键字:量子点,反射测量法,流栅极耦合器,静电耦合
主要关键词