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双激子级联发射单光子...
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的设备示意图。 b ，在 56 µ m × 56 µ m 上，能量范围在 1.525eV 和 1.734eV 之间的光致发光强度云图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c ，WSe 2 单层中局部发射极在 4.5K 下的光致发光光谱，随着激光功率的增加显示出不同的发射行为，以 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）处的峰值为主。d ，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，P1 和 P2 的光子发射的积分计数随着激光功率的增加显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
补充说明 - 用激光加速的离子脉冲的硅缺陷工程
在补充图2中，我们与主要文本中图8的PL结果进行了补充，其中的SIMS深度剖面是碳，氧气和氢的样品，这些含量已接收了两种激光 - 离子脉冲。SIMS深度曲线是在PL光谱较早采集的样品中的同一区域中采用的。我们观察到质子辐照的G-中心横梁斑点区域外的质子辐射，该区域已被铝箔覆盖，A）。在碳浓度升高的区域中，我们看到的W-中心具有狭窄的线宽分布和G-Centers的分布扩展，b）。热预算和离子通量最高的区域显示W-Center合奏，线宽略有宽，c）。来自高通量区域（C）的SIMS轮廓的形状表明由于去角质的发作，表面粗糙度增加。
自主驾驶中感知的生成语义域适应
摘要：最近已经建立了在硝酸硅中制造固有的单光子发射器的强大过程。这些发射器显示出由于室温运行和与技术成熟的氮化硅光子学平台的整体式整合而导致的量子应用的希望。在这里，通过测量光学跃迁波长，线宽和光子抗激素的基本光物理特性，探测了从4.2K到300K的温度的函数。通过测量零孔子线的不均匀和温度依赖性的均匀宽扩大，提供了对终身有限线宽潜力的重要见解。在4.2K时，发现光谱扩散是主要的宽扩向机理，而时间分辨的光谱测量结果揭示了具有仪器限制线宽的零孔子线的均匀宽宽。
八nB层完全平面的150 nm节点...
•为了基于SC2节点，我们使用自换连接器和150 nm的电感器设计测试电路，并进行了制造和测试，例如DC-SFQ和SFQ-DC转换器，平衡比较器，SFQ和QFP逻辑，Ac-Ac-ships exhips cubsister，Ac-Ac-ships expressers，Ac-Ac-ships Expisters等。，我们通过在最接近堆栈中JJ层的NB层上实现了150 nm线宽电感的单层通过在NB层上实现150 nm线宽电感的单层，从而证明了电路密度的增加约2倍。对于具有600-µA/µm 2自换的约瑟夫森连接的移位寄存器，我们达到的电路密度为1.3∙107 JJS/cm 2，因此超过了每1 cm 2芯片的10m JJS阈值，在大尺度超尺寸超大型电子系统中应用所需的集成量表所需的集成规模所需。
混合光子电路中人造原子的大规模整合
开发量子计算机和远程量子网络的核心挑战在于在许多可控的量子位上的纠缠分布1。钻石中的颜色中心已成为领先的固态“人造原子” Qubits 2,3，实现了按需远程纠缠4，对超过10多个Ancillae Qubits的连贯控制，并具有长时间的连贯性时间5和内存增强的量子通信6。关键的下一步是将大量人造原子与光子体系结构相结合，以实现大规模量子信息处理系统。迄今为止，这些努力因量子不均匀性，低设备产量和复杂的设备要求所困扰。在这里，我们在光子积分电路（PIC）上引入了“量子微芯片”的高收益异质整合 - 含有高度相干色中心的钻石波导阵列。我们使用此过程来实现128个通道缺陷阵列的葡萄球菌和硅离面彩色中心。光致发光光谱显示出长期稳定且狭窄的平均光学线宽为54 MHz（146 MHz），用于锗胶囊（硅 - 胶囊）发射器，接近32 MHz（93 MHz）的终身限制线宽（93 MHz）。我们表明，可以通过在没有线宽降低的情况下进行超过50 GHz的整合调整，可以在原位补偿各个颜色中心光学转换的不均匀性。能够将大量几乎无法区分和可调的人造原子组装成相稳定的图片的能力标志着迈向多重量子repeaters 7,8和通用量子量子处理器9-12的关键步骤。
