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World File Search System结晶度
西尔瓦·莱斯塔里的日记
仙贡木（Falcataria moluccana）是印度尼西亚人工林中占主导地位的速生木材之一。需要利用磁铁矿纳米粒子来改善和扩大仙贡木的质量和利用率。该研究旨在研究磁铁矿纳米粒子浸渍处理对仙贡木物理和磁性能的影响。采用共沉淀法以铁离子混合物和弱碱（NH 4 OH）的前体溶液制备磁铁矿纳米粒子。处理包括未处理、1% 和 5% 磁铁矿纳米粒子。重量百分比增益 (WPG)、膨胀效果 (BE)、抗膨胀效率 (ASE) 和密度随着浓度的增加而趋于增加。方差分析表明，处理显著影响处理过的仙贡木的 WPG、BE、ASE 和密度。扫描电子显微镜和能量色散 X 射线光谱分析表明木材细胞膜中有 Fe 沉积。 X射线衍射分析发现，随着结晶度的降低和浓度的增加，衍射图上出现了磁性峰。此外，傅里叶变换红外光谱分析揭示了Fe-O功能基团。基于振动样品磁强计研究，Sengon磁木被归类为具有温和磁性的超顺磁性材料。
用于集成量子技术的可调和可转移金刚石膜
摘要：金刚石中的色心在量子技术中被广泛探索为量子比特。然而，在设备异质结构中有效和高效地集成这些金刚石承载的量子比特方面仍然存在挑战。在这里，通过“智能切割”和同位素（12C）纯化过度生长合成了纳米级厚度的均匀金刚石膜。这些膜具有可调的厚度（显示为 50 至 250 纳米），是确定性可转移的，具有双边原子平坦表面（R q ≤ 0.3 纳米）和块状金刚石结晶度。色心是通过注入和原位过度生长掺入来合成的。在 110 纳米厚的膜内，单个锗空位（GeV − ）中心在 5.4 K 下表现出稳定的光致发光，平均光学跃迁线宽低至 125 MHz。单个氮空位 (NV − ) 中心的室温自旋相干性显示 Ramsey 自旋失相时间 ( T 2 * ) 和 Hahn 回波时间 ( T 2 ) 分别长达 150 和 400 μ s。该平台可将承载相干色心的金刚石膜直接集成到量子技术中。关键词：金刚石、色心、量子信息科学、异质结构、量子传感
基于yolo的人形机器人抓住对象| dr-ntu
实现净碳中立性是缓解气候变化的全球目标。建筑和建筑部门负责大约40％的温室气体排放，需要具有新颖的零碳技术。本文研究了将3D混凝土印刷（3DCP）和碳捕获和固存（CCS）相结合的协同潜力，以提高构建中的净碳中立性。通过实施不同的二氧化碳喷涂方式，这项研究表明二氧化碳（CO 2）的摄取和碳酸钙沉淀的结晶度（CACO 3）。发现该方法的性能在很大程度上依赖于适当的打印参数和固化条件。室固定样品表现出最高的CO 2吸收，但机械强度最低，而环境固定样品则显示了相反的趋势。也必须注意，这项研究中CO 2暴露的持续时间相对较短，从而导致CO 2摄取和强度增长的限制。尽管如此，这项研究强调了协同结合3DCP和CCS技术在净碳中立性方面的潜力，强调了建筑部门在实现全球排放减少目标中的关键作用。
使用微放电 OES 自动在线监控氢氧化锂生产过程
防止阳极和阴极接触，同时允许离子通过。5,8 氢氧化锂 (LiOH) 和碳酸盐 (Li 2 CO 3 ) 在锂离子电池阴极材料的生产中起着至关重要的作用。虽然两种锂化合物都可以使用，但氢氧化物形式具有一些优势。氢氧化锂是长续航里程汽车电池中使用的高镍阴极材料的首选，因为它具有更高的填充密度、更好的结晶度、结构纯度，并且可以在较低的合成温度下使用。9 氢氧化锂可以从盐水和矿石中提取。10 从锂辉石等矿石中提取需要多个步骤，首先要将原料矿物粉碎和研磨。由于 α-锂辉石具有非常强的化学抗性，因此必须通过在 1100°C 的回转窑中加热将其转化为热力学上不太稳定的 β-锂辉石。该步骤之后，通常会在 250°C 下用浓硫酸 (H 2 SO 4 ) 焙烧 b-锂辉石，生成硫酸锂 (Li 2 SO 4 )。10 根据所用的工业工艺，可能需要进一步的步骤，这些步骤可能在细节上有所不同，但通常包括浸出先前的
超薄单晶金中的超快热载流子动力学
光电探测、光化学、活性超材料和超表面等应用需要从根本上理解金属纳米系统中的超快非热和热电子过程。低损耗单晶金的合成和研究最近取得了重大进展，为其在超薄纳米光子结构中的应用开辟了机会。在这里，我们揭示了单晶和多晶超薄（厚度低至 10 纳米）金膜之间热电子热化动力学的根本差异。弱激发和强激发状态的比较展示了中观金中热化和非热化电子动力学之间违反直觉的独特相互作用，以及 X 点带间跃迁对带内电子弛豫的重要影响。我们还通过实验证明了热电子转移到基底中以及基底热性质对超薄膜中电子-电子和电子-声子散射的影响。测量到单晶金向 TiO 2 的热电子注入效率接近 9%，接近理论极限。这些实验和建模结果揭示了结晶度和界面对众多应用中重要的微观电子过程的重要作用。
周期性的阵列符合人阵中的词 - 欧硫酸 - 能源...
摘要：在这项工作中，结合了块共聚物光刻和超低能离子植入，以获得高浓度的磷原子的纳米伏算，该磷原子在P型硅底物中定期处置在宏观区域上。高剂量的植入掺杂剂会授予硅底物的局部非晶化。在这种情况下，磷磷通过植入区域的固相外延再生（SPER）激活，并具有相对较低的温度热处理，以防止磷原子扩散并保留其空间定位。在此过程中，监测样品（AFM，SEM），硅底物（UV拉曼）的结晶度以及磷原子的位置（STEMEDX，TOF-SIMS）的位置。静电势（KPFM）和掺杂剂激活时样品表面的电导率（C-AFM）图与模拟的I-V特性兼容，这表明存在一个不理想的阵列，但工作p-n纳米结构。所提出的方法为进一步研究的可能性铺平了道路，该方法通过改变自组装的BCP膜的特征性维度来调节纳米级硅底物内的掺杂剂分布。关键字：块共聚物，离子植入，掺杂，硅，PS-B-PMMA■简介
多层菱形过渡的界面外延 -
与其六角形对应物不同的菱形堆叠的过渡金属二色元（3R-TMD）表现出较高的载流子迁移率，滑动铁电性，并相干增强了非线性光学响应。然而，很难大型多层单晶单晶的表面外延生长。我们报告了一种界面外观方法，用于它们的几种成分，包括二硫化钼（MOS 2），二苯胺钼，二硫化牛二硫化物，二硫化钨，二硫代二硫化钨，二硫化二硫化物，二硫化硫化物，二氮氮化物，二氧化氢和丙二氧化氢脱硫酸盐。将金属和果酱饲喂持续到单晶Ni底物和生长层之间的界面可确保一致的3R堆叠序列，并从几层到15,000层受控厚度。全面的特征证实了这些薄膜的大规模均匀性，高结晶度和相位纯度。生长的3R-MOS 2分别显示出双层和三层的室温迁移率最高为155和190平方厘米。具有厚3R-MOS 2的光学差异频率产生在准相匹配条件下显示出明显增强的非线性响应（比单层大5个数量级）。t
聚乙烯基吡咯烷酮对聚乙烯二氟化物扩展的石墨纳米复合材料的结构发展，电气，热和润湿性能的影响
摘要：聚乙烯二氟（PVDF）扩展的石墨（EXGR）纳米复合材料已通过溶液混合和熔融加工方法制备。在存在聚乙烯基吡喃酮（PVP）的情况下，石墨纳米片（GNSS）在PVDF矩阵中的分散体增强，如田间发射扫描电子显微镜分析所暗示的，导致非常低的电溶解率（0.3 wt％EXGR）。X射线衍射，傅立叶变换红外光谱和差异扫描Calorim-etry（DSC）分析证实了电活性伽玛和非极性α相的共存。与GNSS周围的PVP链包裹可降低PVDF-EXGR纳米复合材料中的结晶度，而DSC分析证明，与整洁的PVDF膜相比。热重分析证实，PVDF-EXGR纳米复合材料在500°C以上的热稳定性增强，主要归因于PVP辅助的GNSS分散体。与整洁的PVDF膜相比，溶液混合PVDF-EXGR纳米复合膜的水接触角在有或没有PVP的情况下增加。与溶剂铸膜相比，压缩式PVDF-EXGR纳米复合材料还表现出PVDF的电活性伽玛和非极性α阶段，其电导率的降低。
机器学习驱动的弹性模量预测遍布山区和其他地区的灵活路面
摘要。储能设备对于减少间歇性的后果至关重要。超级电容器是一种有前途的能源存储装置，具有出色的功能，例如高功率密度和较长的循环寿命。超级电容器需要电解质。由于其安全性，我们使用固体聚合物电解质（SPE），例如无泄漏和没有易燃性。但是，SPE的离子电导率较低。使用溶液铸造方法将玉米淀粉与硝酸腺（LA（NO3）3）一起作为固体聚合物电解质中的其他材料，可以提高SPE的离子电导率。然后将SPE制成超级电容器。XRD表征的结果表明，8wt。％浓度越来越无定形，其特征在于较低程度的结晶度值为22.20％，而超级电容器的电化学性能已得到彻底研究。实验结果表明，加入8 wt。％为超级电容器表现出合适的SPE。通过电化学阻抗光谱（EIS）在室温下，超级电容器的最大离子电导率为9.68 x 10 -11 s/cm。以50 mV/s的扫描速率，环状伏安法的最大比电容为2.71 x 10 -7 f/g。电静液电荷 - 电荷的最高能量密度和功率密度为0.032 WH/kg和3,402.13 w/kg。这项研究为储能技术的进一步发展提供了宝贵的见解。
Microsoft Word-组10 2D TMD-PDSE2用作非线性光学材料，用于获得可切换激光脉冲生成模式 - fam.docx
此外，通过利用现场发射透射电子显微镜（Fetem，Jeol Model JEM-2100F）来分析样品。为此，将制备的PDSE 2 -IPA上清液在约1：3的体积比下稀释，然后将稀释的溶液滴在Cupper网格上，并在真空干燥机中在60°C下干燥24小时。在图3（a）中，显示了随机选择的薄片的TEM图像，其中所选薄片的侧向尺寸分别在短轴中约为103 nm，在长轴中分别为207 nm。这些结果与AFM测量的观察非常匹配。此外，如图3（b）所示，以高分辨率的TEM量表进行了样品，以高分辨率的TEM量表进行了研究，该量表列出了一些PDSE 2的晶体晶格平面。晶格平面分别确定为（102），（112）和（212），这些晶格平面分别与0.35 nm，0.30 nm和0.22 nm的d间距相对表[62]。此外，如图3（c）所示，从所选区域电子衍射（SAED）模式中检测到了几个代表PDSE 2的晶格平面的多态环。这些数据表明PDSE 2样品具有高结晶度和多晶特征。我们的数据也与先前证明的结果相当一致[62]。在图3（d）中，