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亚太地区主要国家量子技术政策与研发趋势
量子纠缠、拓扑绝缘体、几何拓扑、超导量子比特、稀磁半导体、随机预言模型、细胞自动机、玻色-爱因斯坦凝聚态、钻石、成像、单分子磁性、电磁感应透明性、分组密码、激子、分子间通信、粒子群优化、二硫化钼、约瑟夫森结、石墨烯、加法数学
SPIE 会议录 - NSF-PAR
二氧化钒 (VO 2 ) 作为相变材料，可控制金属和绝缘体状态之间相变过程中传递的热量。在温度高于 68 ̊C 时，金红石结构的 VO 2 可阻挡热量并增加红外辐射反射率，而在较低温度下，单斜结构 VO 2 可充当透明材料并增加透射辐射。在本文中，我们首先介绍 VO 2 在高温和低温下的金属-绝缘体相变 (MIT)。然后，我们通过 Ansys HFSS 模拟超材料反射器的超表面 VO 2 ，以显示 VO 2 的金红石和单斜相的发射率可调性 (Δε)。在下一节中，我们将回顾在玻璃和硅基板上通过改变溅射气体压力和基板温度沉积热致变色 VO 2 的最新进展。最后，我们介绍了在高于 300̊C 的温度下，用 V 2 O 5 靶在不同氧气和氩气组合的环境中在厚 SiO 2 基底上原位溅射 VO x 薄膜的结果，然后用 x 射线衍射 (XRD) 方法对其进行了分析。基于热致变色 VO 2 的超材料结构在过去几年中为被动节能光学太阳能反射器开辟了一条新途径。
实现量子点电信C的稳定光纤耦合......
由于制造技术和集成密度成熟，成熟的绝缘体上硅平台在大规模集成光子和量子光子技术中前景广阔。本文，我们介绍了一种高效稳定的光纤到芯片耦合，可将电信量子点的单光子注入绝缘体上硅光子芯片。另外两根光纤将芯片进一步耦合到单光子探测器。实现稳定光纤-芯片耦合的方法是基于使用与成角度的单模光纤稳定封装的光栅耦合器。使用这种技术，光纤和 SOI 芯片之间的耦合效率高达每个光栅耦合器 69.1%（包括锥度损耗）。通过使用 Hanbury-Brown 和 Twiss 装置测量二阶相关函数，验证了量子点产生的量子光与硅元件之间的有效界面。通过 g = 2 = 0 = 0 : 051 6 0 : 001，清楚地证明了注入的 QD 光子的单光子性质。这证明了接口方法的可靠性，并开辟了使用电信量子点作为具有高复杂性硅光子功能的非经典光源的途径。
三甲基铝与分子氧和水的反应机理
III-VI 族材料一直受到广泛关注，部分原因是它们是可用于光伏或光电子应用的宽带隙半导体材料 [1–5] 。三甲基铝 (TMA) 是众所周知的铝源，用于半导体制造以通过原子层沉积 (ALD) 或金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 的不同工艺生长薄膜，例如 Al 2 O 3 和氮化铝 (AlN) [6–11] 。Al 2 O 3 薄膜在许多不同的应用中作为绝缘体和钝化层发挥着重要作用，它是通过 ALD 沉积的第一个介电氧化物，尽管该工艺中的前体是 AlCl 3 和水 [12] 。使用 TMA 制备 Al 2 O 3 薄膜的原因是三甲基铝在室温下是一种热稳定的高蒸气压 (8.4 Torr) 液体，并且容易与水反应生成 Al 2 O 3 。氮化铝 (AlN) 的有趣特性包括一系列独特的物理特性，从大带隙 (6.2 eV) 和高电阻率，到低介电损耗和高热导率 [13] 。因此，AlN 薄膜在电子领域具有广泛的应用，例如金属-绝缘体-半导体器件中的绝缘层 [14] ，
强关联量子系统
1 简介：二次量子化、相互作用电子、哈伯德模型及其派生模型 1 横向磁场中的量子伊辛模型：通过 Jordan 1 Wigner、Fourier 和 Bogoliubov 变换的精确解。量子相变和临界性。有序与无序。对偶性。激发和畴壁。 1 纠缠熵：面积定律和对数发散。 3 半整数自旋链：海森堡反铁磁体、Lieb-Schultz-Mattis 1 定理、有序与无序、Goldstone 玻色子、Mermin-Wagner 定理、通过坐标 Bethe 假设的精确解。 4 整数自旋链：Haldane 猜想、Affleck-Kennedy-Tasaki-Lieb 模型、MPS（矩阵积态）和张量网络简介。无间隙边缘模式和对称保护拓扑序。 5 自由费米子系统的拓扑分类：拓扑绝缘体和超导体的周期表，Su-Schriefer-Heeger模型和Kitaev的量子线：拓扑简并和马约拉纳边缘模式。 6 高维自旋模型，自旋液体，规范理论和Kitaev的环面代码模型，拓扑序和任意子 还将有一个小组项目，可以选择为文献综述（例如量子霍尔效应，Levin-Wen弦网络模型，拓扑绝缘体，
MEMRISYS 2021 2021 年 11 月 1 日星期一 第 1 天（1/3）
11:50‐12:05 4A‐7 利用离子液体中 Cu 和 Ag 离子的氧化还原反应开发物理储层装置 Dan Sato 东京理科大学，日本东京 4B‐7 使用忆阻器神经元和完全耗尽的绝缘体上硅场效应晶体管突触装置的 3D 神经形态系统 Yu‐Rim Jeon 汉阳大学，韩国首尔
1 本征带隙金属的光学性质和电子结构：逆
电子邮件：oleksandrmalyi@gmail.com 摘要：传统固体物理学长期以来将材料的光学特性与其电子结构关联起来。然而，最近对本征间隙金属的发现挑战了这一经典观点。间隙金属具有不同于金属和绝缘体的电子特性，具有大量未经任何有意掺杂的自由载流子和内部带隙。这种独特的电子结构使间隙金属可能优于通过有意掺杂宽带隙绝缘体设计的材料。尽管间隙金属具有透明导体等有希望的应用，但由于缺乏对其电子能带结构与光学特性之间相关性的了解，因此为特定目的设计间隙金属仍然具有挑战性。本研究重点关注有间隙金属的代表性实例，并展示了以下情况：(i) 在可见光范围内具有强带内吸收的有间隙金属（例如 CaN 2 ），(ii) 在可见光范围内具有强带间吸收的有间隙金属（例如 SrNbO 3 ），(iii) 有间隙金属（例如 Sr 5 Nb 5 O 17 ），这些金属是潜在的透明导体。我们探索了识别透明导体的潜在间隙金属的复杂性，并提出了发现新一代透明导体的逆材料设计原理。
电力电子领域的机遇。......
芯片：向碳化硅过渡 引线键合：超越铝键合，转向铜键合或无引线键合方法。 基板：更高性能的陶瓷或金属绝缘体基板。 导热油脂：尽可能消除，尤其是直接冷却时 冷却：过渡到双面冷却。 芯片连接：从焊料（例如银烧结材料）过渡。 基板连接：在非常苛刻的条件下可能需要非焊料解决方案。 散热器