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World File Search System绝缘体
物质的手性对称高阶拓扑相
高阶拓扑能带理论扩展了物质拓扑相的分类，涵盖了绝缘体[1-13]、半金属[13-18]和超导体[19-31]。它推广了拓扑相的体边界对应性，使得d维n阶拓扑相仅在其(d-n)维边界上具有受保护的特性，例如无带隙态或分数电荷。目前，已知有两种互补机制可产生高阶拓扑相（HOTP）：（1）由于某些 Wannier 中心配置引起的角诱导填充异常[2, 5, 9, 32, 33]，以及（2）边界局域质量域的存在[2, 3, 6 – 8, 34, 35]。这两种机制分别导致了角电荷的分数量子化和角处单个间隙态的存在。在一阶拓扑系统中，还存在保护每个边界上的多个状态的相。这发生在奇数维度的手性对称系统（十重分类中的 AIII 类[36 – 38]）中。例如，在一维系统中，此类相由一个 Z 拓扑变量（称为绕组数 [ 39 , 40 ]）来识别，它将哈密顿量的同伦类归类在第一个同伦群 π 1 [ U ( N )] 内，并对应于每个边界上简并零能态的数量。相反，应用于手性一维系统的 Wannier 中心方法仅根据电偶极矩（由 Wannier 中心的位置给出）是否量化为 0 或 e/ 2 产生 Z 2 分类。因此，从这个意义上说，Wannier 中心方法的范围相对于绕组数的范围较小；它将所有具有偶数绕组数的一维手性对称系统标记为平凡的。观察到 AIII 类 1D 系统具有比 Wannier 中心图提供的更完整的 Z 分类，这表明，类似地，AIII 类 HOTP 可能存在更完整的分类。例如，考虑堆叠 N 个拓扑四极子绝缘体 [1]。如果它们以手性对称方式耦合，则整个系统在每个角将具有 N 个零能态。然而，没有已知的拓扑四极子绝缘体 [2]。
${\rm LaNiO}_{3}$/${\rm CaMnO}_{3}$ 铁磁界面处可调谐电荷转移的直接实验证据
氧化物异质结构中的界面电荷转移产生了丰富的电子和磁现象。设计异质结构，其中一个薄膜成分表现出金属-绝缘体转变，为静态和动态控制此类现象开辟了一条有希望的途径。在这项工作中，我们结合深度分辨的软 x 射线驻波和硬 x 射线光电子能谱以及偏振相关的 x 射线吸收光谱，研究了 LaNiO 3 中的金属-绝缘体转变对 LaNiO 3 /CaMnO 3 界面处电子和磁态的影响。我们报告了在金属超晶格中直接观察到的界面 Mn 阳离子的有效价态降低，该超晶格具有高于临界的 LaNiO 3 厚度（6 个晶胞，uc），这是由流动的 Ni 3 deg 电子向界面 CaMnO 3 层中的电荷转移促成的。相反，在厚度低于临界值 2u.c. 的 LaNiO 3 绝缘超晶格中，由于界面电荷传输受阻，整个 CaMnO 3 层中观察到 Mn 的有效价态均匀。切换和调节界面电荷传输的能力使得能够精确控制 LaNiO 3 /CaMnO 3 界面上出现的铁磁状态，因此对下一代自旋电子器件的未来设计策略具有深远的影响。
绝缘范德华铁磁体中的拓扑自旋纹理
鉴于拓扑自旋纹理在信息存储技术中的潜在应用，其生成和控制是现代自旋电子学最令人兴奋的挑战之一。特别令人感兴趣的是磁绝缘体，由于其低阻尼、无焦耳加热和减少的耗散，可以提供节能的自旋纹理平台。本文证明了样品厚度、外部磁场和光激发之间的相互作用可以产生大量的自旋纹理，以及它们在绝缘 CrBr 3 范德华 (vdW) 铁磁体中的共存。使用高分辨率磁力显微镜和大规模微磁模拟方法，证明了 T-B 相图中存在一个大区域，其中存在不同的条纹畴、skyrmion 晶体和磁畴，并且可以通过相位切换机制进行内在选择或相互转换。洛伦兹透射电子显微镜揭示了磁性纹理的混合手性，在给定条件下属于布洛赫类型，但可以通过厚度工程进一步操纵为尼尔类型或混合类型。可以通过标准光致发光光学探针进一步检查不同磁性物体之间的拓扑相变，该探针通过圆偏振分辨，表明存在激子-skyrmion耦合机制。研究结果表明，vdW磁绝缘体是一种有前途的材料框架，可用于操纵和生成与原子级设备集成相关的高度有序的skyrmion晶格。
供应链管理
2.1 IS：16227 / IEC：61869仪器变压器2.2 IS：3156（第I到III）电压变压器2.3 IS：3156（Part-IV）电容器电压变压器2.4 IS：2099高压瓷器衬套。2.5 IS：3347瓷变压器衬套的尺寸。2.6 IS：2071高压测试的方法2.7 IS：335变压器和开关柜的绝缘油2.8 IS：2165隔热设备的设备100 kV及以上设备的绝缘协调。2.9 IS：2147由低压开关设备和控制2.10 IEC-186,186A提供的保护度2147。44（2）电压变压器2.11 IEC 270部分放电测量2.12 IS 5561端子连接器2.13 IS-4800 IS -4800搪瓷旋转绕线线2.14 IEC-44（4）仪器变压器PDS 2.15 IEC-60071绝缘配置2.16 IEC 2.16 IEC 2.16 IEC-358 COUINIDER cOUTIDER。2.17 IEC-60060高压测试技术。2.18 IEC-8263用于高压绝缘体RIV测试的方法。2.19 IS：9348耦合电容器和电容器分隔符2.20 IS：2633测试热浸入镀锌物品的方法2.21 IS：11065图纸。2.22 IS/IEC：62155空心加压和未压力的陶瓷和玻璃绝缘体用于电气设备。2.23 CEA法规2006米的安装和操作
curriculum vitae -kyungmin lee
[P3] Kyungmin Lee , Jesse Choe, David Eia, Juqang Li, Junganges Zhao, Ming She, Junzhang Ma, Mengu Yao, Zhenu Wang, Cheen-Lung Hunger, Masuki Ochi, Ryotaro Ariter, Utpal Chathargee, Emilia Morosan, Vidyaro Chatharge, Emilia, Ehilia，Ethane，Vidha和Nandini Trivedi“通过狭窄的运输通道的新兴网络在Pt掺杂的Tise 2 Draven中的金属到绝缘体过渡”，NPJ Quantum Mater。 6，8（2021）。6，8（2021）。
二维狄拉克超导体中的可调通量涡旋
量子力学系统的希尔伯特空间可以具有非平凡几何，这一认识导致人们在单粒子和多粒子量子系统中发现了大量新奇现象。特别是，与单粒子波函数相关的几何考虑导致了非相互作用拓扑绝缘体 (TI) 的最初发现和最终分类 [1 – 4] ，以及对这些相中缺陷相关特性的研究 [5 – 8] 。另一方面，在分数量子霍尔系统 (FQHS) [9,10] 和分数陈绝缘体 (FCI) [11,12] 的框架内，研究了拓扑与占据非平凡单粒子态的粒子间相互作用之间相互作用所产生的迷人物理。然而，由于后者的关联性质，建立单粒子和多粒子层面上非平凡几何的作用之间的直接关系一直很困难。在本文中，我们展示了二维 (2D) 单粒子能带结构的非平凡几何与相关 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 超导体的响应特性之间的明确联系 [13] 。特别地，我们表明，在用大质量狄拉克模型描述正常态的二维系统中，超导态遵循修改的通量量子化条件，从而产生分数通量涡旋以及非常规约瑟夫森响应。必须强调的是，超导态与正常态没有扰动关系。但是，正如我们在下面所展示的，使用 BCS 变分假设可以处理相变两侧的几何作用。流形量子化源于这样一个事实：在块体超导体内部深处，序参量的整体相位是恒定的。在传统的
高密度PWB
高密度PWB Ryoichi Watanabe和Hong的新电路编队技术赢得了Kim Samsung Electro-Mechanics Co.，Ltd。Suwon，S。韩国摘要为满足普华永道的未来需求，已讨论了普华永道的各种流程，材料和工具的技术。特别重要的是高端PWB的电路形成技术。在这些年中，从工业上讲，良好模式的电路形成方法已经改变了从减法过程到半添加过程（SAP）。SAP可以形成更细的电路，因为它不会引起侧面蚀刻，这是减法方法的问题。但是，SAP的闪光蚀刻过程会导致其他问题，例如由于电路之间的残留种子金属层，电路蚀刻和由于蚀刻而引起的电路分层引起的短缺陷。同样，由于形成电路的绝缘体表面的粗糙度，不仅有良好的电路形成的困难，而且是电特性的损失。在本文中，讨论了一种新的电路形成方法，以克服SAP原因闪光蚀刻过程的问题。它不需要闪光蚀刻过程，因此可以形成更细的模式。该细线电路形成的能力取决于图案抵抗分辨率，并被确认在L/S（线/空间）= 10/10UM或更少的情况下表现良好。也将电路模式埋在绝缘体层中，并且是带有绝缘体表面的刨床，因此电路具有高骨强度，具有绝缘体，并且通过制造设备或工艺之间的处理，损坏较小。此方法适用于建立PCB和FCP作为满足未来需求的电路形成技术。介绍电子设备的演变，该电子设备的发展速度更快，更小，更多功能但更具成本效益，PWBS的各种技术对于较高的密度需要各种技术。三星电力学有限公司，有限公司制造了许多PWB，例如HDI，用于手机，数字静止相机等，BGA软件包，FC BGA包装。为了满足未来的需求，特别是对于FCBGA，由于其高密度，生产FC BGA的产品变得越来越困难。电路的形成是需要在高密度方面快速进步的过程之一。已讨论了作为电路形成过程的减法过程和半添加过程（SAP），以提高其高密度。1，3但是，由于化学蚀刻而引起的减法过程具有侧面蚀刻的基本问题，并且由于闪光蚀刻过程，SAP具有局限性。SAP的闪光蚀刻过程会导致电路蚀刻等问题，如图1所示，在电路底部切割，如果闪光蚀刻不足，则在电路底部和种子层残基。由于种子层通常是铜，与电路相同，因此闪光蚀刻过程不仅蚀刻了种子层，还可以蚀刻电路。因此，电路宽度和厚度必须比闪光蚀刻之前的最终尺寸更宽，更厚，以在闪光蚀刻后保持设计规则。例如，在降低20UM电路的底部分离后，如图1所示，仅粘附的宽度仅为20UM螺距，如图1所示。这被认为是不足以为20UM电路提供足够的剥离强度。当电路变得更细时，由于制造输送机或滚筒的处理损坏，底切将是一个更大的问题，制造业产量将更低。出于这些原因，需要基于新概念的电路形成技术才能使线路电路形成并解决这些技术困难。
材料科学与工程学简介
陶瓷： - 离子粘合（难治性） - 金属和非金属元素的化合物（氧化物，碳化物，碳化物，氮化物，硫化物） - 脆性，玻璃状，弹性 - 非导向（绝缘体） - Ex。氧化铝（Al 2 O 3），二氧化硅（SIO 2）复合材料： - 由两种（或更多）个单个材料组成，这些材料来自上面讨论的类别。- 复合材料旨在显示每种组件材料的最佳特征-ex.fiberglass的组合，是一个熟悉的例子，其中将玻璃纤维嵌入聚合物材料中。玻璃纤维从玻璃中获取强度和从聚合物>
NPL 报告 COEM 61
利物浦（89.4% 1,3 丁二烯）：1 月份，利物浦遭遇 Y2K 问题，导致大量文件丢失或无法恢复。6 月份，由于色谱分析不良，导致捕集材料降解，导致载气问题，服务工程师两次上门服务。8 月份，服务工程师再次来到现场，再次更换了捕集材料和 A TCT 头。 TCT 烤箱上的绝缘体也已更换，但 9 月份烤箱出现更多问题，需要更换加热器，因此召回了一名工程师。11 月份校准不稳定也导致数据丢失。
NeuroQuantology| 2022 年 7 月 | 第 20 卷 | 第 7 期 | 第 4774-4783 页 |doi: 10.48047/nq.2022.20.7.nq33574 Ram Krishna 等人/浓缩版中的突发现象
ramkrishnadeshmukh@gmail.com 摘要：本综述探讨了凝聚态物理学中的新兴现象，重点关注 2012 年至 2021 年的重大进展。它研究了理论基础，包括平均场理论和重正化群理论，并深入研究了量子相变和拓扑绝缘体等量子现象。该综述重点介绍了强关联系统的发展，特别是高温超导和量子自旋液体，并讨论了石墨烯和纳米结构等低维系统的独特性质和应用。此外，它还涵盖了磁性中的新兴现象，包括自旋电子学和 skyrmion，并总结了扫描隧道显微镜和角分辨光电子能谱等关键实验技术。还讨论了电子和储能领域的技术创新和未来前景，强调了新兴现象对基础研究和实际应用的深远影响。关键词：涌现现象、凝聚态物理、量子相变、拓扑绝缘体、高温超导、量子自旋液体、石墨烯、纳米结构、自旋电子学、skyrmions、扫描隧道显微镜、角分辨光发射光谱。 DOINumber：10.48047/nq.2022.20.7.NQ33574 NeuroQuantology 2022；20(7)：4774-4783 I. 简介 A. 背景 1. 涌现现象的定义 凝聚态物理学中的涌现现象是指由材料中较简单成分的集体相互作用而产生的复杂行为和特性。仅通过孤立地研究单个成分是无法预测这些现象的。相反，它们来自系统内的集体动力学和相互作用，通常会导致新的和意想不到的物理特性。例如，涌现的概念在