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World File Search System绝缘体
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 7
Sandia 的 CMOS7 技术是一种战略性抗辐射、3.3 伏、350 纳米、绝缘体上硅 (SOI) CMOS 工艺，适用于定制、高可靠性数字、模拟和混合信号 ASIC。CMOS7 是一种具有 5 个金属层的 24 掩模级工艺。模拟和混合信号应用的选项包括金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器和 N+ 多晶硅电阻器。Sandia 使用 350 纳米几何结构来优化模拟电路的性能，从而实现比小几何器件更好的器件匹配、更高的电源电压、更低的泄漏和更宽的信号动态范围。经过适当设计和制造，较大的器件在温度波动、冲击和辐射的扩展操作环境中可以更坚固耐用。
标题：铬掺杂 V 2 O 3 中电阻开关引起的晶格收缩：莫特物理学的标志
摘要：自电子时代开始以来，人们就开始寻求更快、更小的开关，因为这种元素无处不在，是任何电子电路中调节电流的基础。莫特绝缘体是满足这一需求的有希望的候选者，因为它们在电场下会发生极快的电阻切换。然而，这种转变的机制仍存在争议。我们在原型莫特绝缘体 (V 0.95 Cr 0.05 ) 2 O 3 上进行的空间分辨 µ-XRD 成像实验表明，电阻切换与由等结构压缩相组成的导电丝状路径的创建有关，没有任何化学或对称性变化。这清楚地证明了电阻切换机制继承自带宽控制的莫特转变。这一发现可能因此促进电子学新分支——莫特电子学的发展。
IPTV 指南：网络运营商的实用部署策略 - 102481AE
久负盛名的 RCA 连接器仍然是视频卡座、DVD、视频投影仪和高清显示器等专业消费类产品中音频和视频信号同轴电缆端接的普遍接受方法。ADC 的新型精密 RCA 连接器专为要求苛刻的专业环境而设计，提供性能驱动的产品，具有出色的机械和电气特性以及简单的 BNC 型组装。精密模制绝缘体带有锁定镀金中心导体，可确保标称 75 欧姆特性阻抗。ADC 专有的几何模制绝缘体设计等创新功能可显著减少阻抗失配并提高数字应用的传输可靠性。ADC 的 RCA 连接器使用与 ADC BNC 和 F 连接器产品相同的剥线和压接工具，使安装变得简单快捷。
超级电容器及其革命性能源存储和电力输送的潜力
传统电容器是双端无源电气元件，以电场的形式静电存储能量。它们由两个导电表面（也称为电极）组成，由电介质或绝缘体隔开。当在电容器上施加电压时，电子会向其中一个极板迁移，在其上产生净正电荷，并排斥另一个极板上的电子。由于相反电荷之间的静电吸引力，正电荷和负电荷保留在极板上。极板之间的绝缘体可防止因电位差而导致的任何电荷迁移，因此没有电流流过电容器。这在两个极板之间产生了电场，该电场一直持续到外部端子带电、短路或施加在电容器上的电压极性发生变化为止。这一特性是电容器储能能力的本质，即使电容器与电压源断开连接，电压仍会保持。
Largo-Allegro 110-180 kW - Alup 压缩机
所有 Allegro 机器均附有 EMC 证书，可确保您的系统或压缩机不会受到电磁干扰。EMC 合规性与我们压缩机中特定组件的集成有关：设计严谨的机柜、电绝缘体、屏蔽电缆，以及最重要的 RFI 滤波器（射频干扰）。
Eco Club简短版本 - 重新考虑食物
热身不浪费，请使用多余的蔬菜来制造温暖而营养丰富的蔬菜汤，同时防止美食浪费 - 饮食以拯救地球！使用您对热导体和绝缘体的理解来决定将哪种杯子供应您的汤，以使其保持更长的时间。
Karbalaei, M.、Dideban, D. 和 Heidari, H. (2020) 高 K 绝缘体和源极堆栈对双栅极隧道 FET 性能的影响：模拟
在本文中，我们研究了在漏极侧加入 HfO 2 作为电介质并在源极侧加入硅堆栈对双栅极隧道 FET（DG-TFET）电气性能的影响。为此，我们将传统 TFET 结构与其他四种结构进行了比较，这四种结构的栅极电介质材料要么是同质的，要么是异质的，而漏极侧的绝缘体要么是 SiO 2 要么是 HfO 2 。此外，还提出了一种具有硅源堆栈的结构，并将器件的性能系数与其他对应结构进行了比较。我们的模拟结果表明，漏极侧存在 HfO 2 绝缘体会降低双极传导，而异质栅极电介质则会增强驱动电流和跨导。但是，与传统 TFET 相比，HfO 2 会略微降低源极-栅极和漏极-栅极电容。此外，在所研究的 50 nm 沟道长度 TFET 中，硅源极堆栈与异质栅极电介质和漏极侧的 HfO 2 绝缘体的结合，可实现更高的 I ON /I OFF 比、更低的亚阈值斜率 (S) 和更低的双极传导。
