机构名称：
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III-VI 族材料一直受到广泛关注，部分原因是它们是可用于光伏或光电子应用的宽带隙半导体材料 [1–5] 。三甲基铝 (TMA) 是众所周知的铝源，用于半导体制造以通过原子层沉积 (ALD) 或金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 的不同工艺生长薄膜，例如 Al 2 O 3 和氮化铝 (AlN) [6–11] 。Al 2 O 3 薄膜在许多不同的应用中作为绝缘体和钝化层发挥着重要作用，它是通过 ALD 沉积的第一个介电氧化物，尽管该工艺中的前体是 AlCl 3 和水 [12] 。使用 TMA 制备 Al 2 O 3 薄膜的原因是三甲基铝在室温下是一种热稳定的高蒸气压 (8.4 Torr) 液体，并且容易与水反应生成 Al 2 O 3 。氮化铝 (AlN) 的有趣特性包括一系列独特的物理特性，从大带隙 (6.2 eV) 和高电阻率，到低介电损耗和高热导率 [13] 。因此，AlN 薄膜在电子领域具有广泛的应用，例如金属-绝缘体-半导体器件中的绝缘层 [14] ，
三甲基铝与分子氧和水的反应机理
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