摘要:过渡金属trichalcogenides(TMTC)通过修改化学成分,温度和压力来调整电子状态的机会。尽管对TMTC有很大的兴趣,但仍然存在有关其电子性质在压缩下的演变的显着知识差距。在这项研究中,我们采用实验和理论方法来全面探索跨各种温度范围TIS 3(准中二维(Q1D)半导体)的电子特性的高压行为。通过高压电阻和高压压力下的磁性测量,我们发现了TIS 3内的独特相变序列,包括从环境压力下的绝缘状态转变为在70 GPA以上的临时超导状态的出现。我们的发现提供了令人信服的证据,表明〜2.9 K的低温下的超导性是TIS 3的基本特征,这为TIS 3的有趣的高压电子特性提供了新的启示,并强调了我们对TMTC的更广泛含义。关键字:超导性,准二维材料,过渡金属三卡构基化,压力,晶体结构,相变
我们在几何沮丧的三角形晶格中研究了费米子莫特绝缘子,这是一种用于研究旋转液体和自发时间转换对称性破坏的范式模型系统。我们的研究证明了三角形莫特绝缘子的制备,并揭示了所有最近邻居之间的抗磁性自旋旋转相关性。我们采用真实空间的三角形几何量子气体显微镜来测量密度和自旋可观测物。将实验结果与基于数值链接群集扩展和量子蒙特卡洛技术的计算进行了比较,我们证明了沮丧的系统中的热度法。我们的实验平台引入了一种替代方法,用于沮丧的晶格,为未来研究外来量子磁性的研究铺平了道路,这可能导致哈伯德系统中量子自旋液体的直接检测。
拓扑绝缘子和超导体支持扩展的表面状态,以防止静态疾病的本地化作用。具体而言,在属于对称类A,AI和AII的Wigner-Dyson绝缘子中,通过光流的机理机制,延长的表面状态的带连续连接到同样的扩展式散装状态。在这项工作中,我们表明,大多数非官方 - 戴森拓扑超导体和手性拓扑绝缘子都没有这种机制。在这些系统中,精确有一个点,带有延伸状态,频段的中心e¼0。远离它,状态是空间定位的,也可以通过添加空间局部电位来制作。将AIII类和蜿蜒数量ν¼1中的三维绝缘子作为范式案例研究,我们讨论了这种现象背后的物理原理及其方法论和应用后果。尤其是我们表明,在表面状态描述中的低能量dirac近似可能是危险的,因为它们倾向于掩盖本地性现象。我们还确定了根据浆果曲率定义的标志物是晶格模型中状态定位程度的度量,并通过广泛的数值模拟来支持我们的分析预测。作为我们研究的一部分,我们确定了可能区分运输或隧道光谱中这些不同替代方案的可能实验特征。这项工作的一个主要结论是,非官方 - 迪森拓扑绝缘子的表面现象学比其Wigner-Dyson兄弟姐妹的表面现象学得多,极限限制是光谱范围的量子临界临界临界)所有状态的量子批判性地定位,除了在E¼0关键点外。
摘要 - 在这项工作中,我们扩展了基于3D打印的铝合金支撑结构的部分绝缘,超放射透明检测器磁铁技术的实验示例,其中包含10%的硅。该演示器磁铁的孔直径为390 mm,有效的壁厚为3.7 mm,其15回合对应于19米的HTS导体。磁铁的HTS导体由四个Rebco磁带组成,宽度为4毫米。我们测量了磁铁,在4.2 K处完全超导,工作电流为4.5 ka。磁场延迟到当前步骤的时间常数为83 s。该检测器磁铁技术可用于未来的粒子探测器磁铁,例如AMS-100电磁阀,其中关键设计要求之一是通过部分绝缘进行的被动自我保护,即使在本地损坏的导体中,也可以确保连续操作和稳定的磁场。
半导体表面上的原子单层代表了二维极限的新兴功能量子材料 - 从超导体和莫特绝缘体到铁电和量子旋转厅绝缘子的范围。indenene是iDenene的iDenene,含量约为120 MeV的im依的三角形单层是一种量子自旋霍尔绝缘子,其微米尺度的SIC上的显式外延生长(0001)使其在技术上具有相关性。然而,它对室温旋转的适合性受到空气中拓扑特征的不稳定的挑战。必须制定一种在现场加工和装置制造过程中保护indenene拓扑性质的策略。在这里,我们表明,将泛烯烯酮插入到外延石墨烯中,可以有效地保护氧化环境,同时保留完整的拓扑特征。我们的方法开放了一个现有实验机会的丰富领域,启动单层量子旋转厅绝缘子,以实现逼真的设备制造并访问拓扑保护的边缘通道。
谷物宽度和重量2(GW2)是一种E3-泛素连接酶编码基因,对谷物物种中谷物的大小和重量负调节。因此,建议禁用GW2基因活性以提高作物生产率。我们在这里表明,大麦GW2.1同源物的CRISPR/CAS介导的诱变会导致细长谷物的发展和蛋白质含量增加。同时,GW2.1功能的损失引起了由于尖峰数量减少和谷物设置低而引起的明显晶粒屈服不足。我们还表明,GW2.1缺乏作物产量和蛋白质含量引起的相反作用在很大程度上与培养条件无关。这些发现表明大麦GW2.1基因对于产量和晶粒性状之间的优化是必需的。总的来说,我们的数据表明,大麦中GW2.1基因活性的丧失与多效性效应相关,对生成器官的发展以及因此谷物产生产生了负面影响。我们的发现有助于更好地理解谷物的发育以及GW2.1控制大麦的定量和定性遗传改善中控制的UTI。
原子薄材料的高度可调的Moir'E异质结构的出现振兴了二维材料中复杂订单的探索。虽然对二维电子气体(2DEGS)的研究是一种古老的,例如导致发现整数和分数量子厅效应,但由于层之间的晶格间距不匹配或层之间的旋转角度的不匹配引起的Moir'E超级突变性增加了新的复杂性。这是因为纯静电门可以用于调整与完全填充由超级晶格形成的Bloch带所需的电子密度相当的,该级别的波长通常在数十纳米中。(相反,由于少数埃斯特罗姆的晶格尺度周期性,门控能否访问显微镜结构的特征。)除了允许实验者能够在单个样本中访问宽掺杂范围,在这种状态下,传统的2DEG近似将电子分散剂视为有效质量近似中的抛物线,通常不再适当,并且需要考虑到其充实的丰富度,包括与乐队拓扑的现象相连的太多。这些系统的第二个特征是,在相互作用效果等于或超过带宽的相互作用效果中,Moir´e重建的频段通常是“窄”的。因此,Moir´e异质结构已成为探索二维相互作用和拓扑相互作用的重要平台。[2]。)该评论专门用于Moir´e名册的相对较新的参赛者:与六边形硼(HBN)硝酸盐底物对齐的菱形诉状石墨烯(R5G)。首先,让我简要总结实验设置,然后再转向本评论的主要重点:他们的理论分析。(对实验的更详细讨论是在Ashvin Vishwanath的最新评论中(JCCM,2023年12月)。)n -layer菱形石墨烯由石墨烯层组成,这些石墨烯层以楼梯状模式堆叠。沿着堆叠方向捕获物理的层间隧道式汉密尔顿式隧道是让人联想到su-schrieffer-heefer模型,因为低能电子状态是限制在堆栈顶部和底部附近的“零模式”。这些“零模式”的分散体表现出n倍带触摸和从单个石墨烯层∗继承的山谷变性。如果多层的一侧(几乎)与HBN对齐,那么石墨烯和HBN之间的轻微晶格不匹配会强烈修改频带结构,从而导致几乎平坦的频段对垂直位移位移场的应用非常敏感。(许多不同的作品都研究了Pentalyer的单粒子物理;在d的较大值下进行了R5G-HBN [1]的实验,其中单粒子计算名义上给出了Chern数字C =±5的传导带(valleys以相等的和相反的方式,以时间逆转对称性的方式获得了相等和相反的数字),但与其他频段相比隔离很差(这些频段非常小)(非常小)。这使得两个实验结果非常引人注目:
强烈的Tera-Hertz(Thz)脉冲的最新进展使得可以研究凝结物质中非线性光学现象的低频对应物,通常用可见光研究,因为这是Thz Kerr效应的情况[1-3]。DC Kerr ef-fect检测到与所施加的直流电场平方成正比的等同于各向同性的材料中的双折射,它是对介质的第三阶χ(3)非线性光学响应的标准测量[4]。基本上,AC探头E AC(ω)和直流泵E DC场之间的四波混合导致非线性极化P(3)〜χ(3)E 2 DC E AC(省略了空间索引)。p(3)依次调节ACFILD的相同频率ω的折射率,其空间各向异性由E DC的方向设置。在其光学对应物中,平方ACFER的零频率的光谱成分在DC组件的零频率上起着相同的作用。最近,THZ和光脉冲已在泵探针设置中合并,以测量所谓的Thz Kerr效应[2]。的主要优势比其全光率降级是,强烈的Thz泵脉冲可以通过在相同频率范围内匹配类似拉曼的低覆盖式激发,例如晶格振动[5-8],或者在破碎的态度状态下(对于9-13-13]或超级效果[14] [14] [14],可以强烈增强信号。这种共振反应通常加起来是电子的背景响应,并且可以用来识别不同自由度之间耦合的微观机制。作为一般规则,Thz Kerr响应(将其缩放为THZ电场平方)不受红外活性
这些笔记中涵盖的主题呈现出不同级别的细节和数学严格的层次。讲座1介绍了后来讲座中考虑的几种拓扑绝缘子模型,并简要描述了关注的主要主题:不对称运输。讲座2的重点是从更多的显微镜描述中衍生宏观部分差分模型。讲座3至5个分析,用于磁性绝缘体的磁性schr odinger和狄拉克模型。这些笔记的核心是讲座6至10的材料。不对称转运首先在一维环境中考虑。然后,二维哈密顿量由一般的伪差异操作员进行建模,由域壁扩展进行分类,并以弗雷德霍尔姆操作机的边缘电导率和折射率的形式分配了几种等效的拓扑,均由Fredholm Opera tork的折叠式和折射率分配。讲座11和12描述了散装不同不变的概念,并调查了几个不变性的定义和计算,包括地图,绕组数字和Chern数字。第13节提出了界面传输问题作为整体方程的重新印象。这使我们能够对界面传输进行准确的数值模拟,并验证拓扑不变的鲁棒。讲座14将这些讲座中开发的理论应用于门控扭曲的双层石墨烯的分析。
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