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TA2020-020 立体声 20W (4Ω) CLASS-T™ 数字音频...
TA2020-020 是一款功率（高电流）放大器，工作在相对较高的开关频率下。放大器的输出在驱动高电流的同时，以高速在电源电压和地之间切换。该高频数字信号通过 LC 低通滤波器，以恢复放大的音频信号。由于放大器必须驱动电感 LC 输出滤波器和扬声器负载，因此放大器输出可能被输出电感中的能量拉高至电源电压以上和地以下。为避免 TA2020-020 受到可能造成损坏的电压应力，良好的印刷电路板布局至关重要。建议在所有应用中使用 Tripath 的布局和应用电路，并且只有在仔细分析任何更改的影响后才可以偏离。下图是 Tripath TA2020-020 评估板。板上最关键的组件是电源去耦电容。电容 C674 和 C451 必须放置在引脚 22 (VDD2) 和 19 (PGND2) 的旁边，如图所示。同样，电容 C673 和 C451B 必须放置在引脚 25 (VDD1) 和 28 (PGND1) 的旁边，如图所示。这些电源去耦电容不仅有助于抑制电源噪声，更重要的是，它们可以吸收由放大器输出过冲引起的 VDD 引脚上的电压尖峰。类似地，肖特基二极管 D1、D2、D3 和 D4 可最大程度降低相对于 VDD 的过冲，肖特基二极管 D702、D703、D704 和 D728 可最大程度降低相对于电源接地的下冲。为了获得最大效果，这些二极管必须位于输出引脚附近，并返回到各自的 VDD 或 PGND 引脚。二极管 D1、D2、D3 和 D4 仅适用于 VDD>13.5V 的应用。在高电流开关事件（例如短路输出或在高电平下驱动低阻抗）期间，输出电感器反激也可能导致电压过冲。如果这些电容器和二极管距离引脚不够近，则可能会对部件造成电气过应力，从而可能导致 TA2020-020 永久损坏。输出电感器 L389、L390、L398 和 L399 应放置在靠近 TA2020-020 的位置，而不会影响靠近放置的电源去耦电容器和二极管的位置。将输出电感器放置在靠近 TA2020-020 输出引脚的位置是为了减少开关输出的走线长度。遵循此准则将有助于减少辐射发射。
材料进展 - RSC 出版
电子和空穴对以及（ii）强氧化还原电位以支持材料间的高电子转移。2先进纳米结构和纳米层状光催化剂的出现为多学科研究开辟了道路，旨在定制物理化学、结构和光电特性，以促进增强有机污染物的催化作用。增强催化性能和材料可见光活化的选择包括半导体的金属或非金属掺杂3和石墨烯等催化纳米结构的缺陷工程。4最有前途的工程策略涉及电子屏障的设计，它被引入导电层和半导体层的交界处。5导电层（通常是金属或碳表面）与半导体材料（通常是金属氧化物）之间的界面可能导致两种类型的结的形成，即欧姆结或肖特基结。 6 一方面，当半导体材料提供比导电材料更高的功函数时，就会形成欧姆结。 7 然而，欧姆接触在金属和导电材料之间提供了持续的电子流。
个人简历 Ioan Alexandru ENESCA - Europass CV
研究兴趣（1）采用基于光催化相关过程的高级氧化法进行废水和空气净化；可持续净化技术；低污染可再生能源。（2）纳米材料对环境的影响；生物技术与无机纳米材料的兼容性；（3）材料工程：基于陶瓷/半导体的纳米和中子材料的混合和串联结构，使用掺杂剂调整材料特性，沉积具有适当能级位置的复杂半导体结构薄膜。（4）物理化学：光电特性和表面科学：形态/形貌表征（AFM、SEM）、表面能、晶体结构和晶粒尺寸（XRD）、元素表征（EDX）、光谱（UV-VIS-NIR-IR）、光电表征（IV、光电流、IPCE）、高级电表征（阻抗、莫特-肖特基），用于具有复杂结构（混合、串联）的薄膜和各种应用 - 光伏、氢技术废水处理。 （5）太阳能转换：光电解制氢（新型光电化学电池专利）、光伏转换（新型光电特性测量装置专利）。
β-GA2O3 Schottky的可靠电性能...
大小（2×2 mm 2）β -GA -GA 2 O 3 Schottky屏障二极管（SBD）的电气和陷阱特性已有50至350 K报道。理想因素（n）从1.34降低到几乎统一，随着温度从50 K上升到350 K，表明近乎理想的肖特基特征。低温温度（100 k）处的泄漏电流被显着抑制，表明在低温下的状态堵塞性能出色。载体浓度（N S）和Schottky屏障高度（φB）的温度依赖性弱依赖于β -GA -GA 2 O 3 SBD的稳定电特性。应力电流密度 - 电压（J-V）和即时测量结果揭示了在恶劣的低温条件下可靠的动态性能。通过深层瞬态光谱法（电子陷阱）与低频噪声光谱中的动态性能不稳定性和Lorentzian驼峰有关，在低频噪声光谱中被揭示了β-GA-GA 2 O 3 Epilayer。这项研究揭示了在极端温度环境中利用大型β -GA -GA 2 O 3 SBD的巨大潜力。
偏置场环对垂直几何 β-Ga2O3 整流器中重离子撞击后电荷去除的影响
本研究通过 TCAD 研究了重离子撞击对具有偏置场环的 beta-Ga 2 O 3 肖特基二极管的响应以及由此产生的单事件烧毁。使用实验电流-电压 (IV) 曲线验证了用于模拟高反向偏置下器件的模型。器件的场环配置表明，在模拟重离子撞击后，电荷去除效果有所改善。如果电荷去除的时间尺度比单事件烧毁更快，则这可能是一种有效的减少单离子撞击影响的机制。本研究探讨了终端结构的各种配置，并展示了不同设计参数对离子撞击后瞬态响应的影响。© 2023 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款发布（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，只要对原始作品进行适当的引用。[DOI：10.1149/2162-8777/acbcf1]
在 600°C 下老化长达 1500 小时后，p 型 4H-SiC 上仍能保持稳定可靠的欧姆接触
研究了 Ti 3 SiC 2 基欧姆接触在 p 型 4H-SiC (0001) 4° 偏心衬底上的高温稳定性和可靠性。该接触由高温（900°C 至 1200°C）退火的 Ti 100-x Al x 合金生长而成。室温和高温（高达 600°C）下的特定接触电阻 (SCR) 在 10 -4 -10 -5 Ω.cm 2 范围内。计算出该组样品的肖特基势垒高度为 0.71 至 0.85 eV。在 600°C 下老化 1500 小时后，当 Al 含量 x < 80 at% 时，SCR 非常稳定。这与这些接触的化学和物理稳定性有关，其中老化后 4H-SiC/Ti 3 SiC 2 界面上的残余应力减小，因此 Ti 3 SiC 2 相得以保留。然而，在 x = 80 at% 的情况下，Ti 3 SiC 2 相消失，长时间老化后接触不再具有欧姆性。所得结果表明，Ti 3 SiC 2 /4H- SiC 系统在高温下具有热力学稳定性，因此可以成为高功率和高温电子应用的良好候选材料，具有很高的潜力。
铝 (Al) 薄膜的电气特性
铝 (Al) 是地壳中最丰富的金属，是继氧 (O 2 ) 和硅 (Si) 之后第三大丰富元素。它呈银白色，具有高电导率和热导率，熔点为 660 0 C。铝已广泛应用于各种领域。在基底上蒸镀的铝膜是非球面镜最常用的表面涂层，因为铝在可见光区是良好的光反射器，在中红外和远红外 (IR) 区是出色的反射器 [1]。此外，铝在微电子技术中广泛用作欧姆接触、肖特基势垒接触、栅极电极以及互连线 [2]。铝还用于制造薄膜晶体管 (TFT)、光电探测器、太阳能电池和许多其他设备 [3]。在太阳能电池的制造中，铝被广泛用作背接触，因为它易于沉积、表面电阻低，并且能够引入背面场效应 (BSF)，从而最大限度地降低器件背面的载流子复合率 [4,5]。在薄膜太阳能电池中，铝接触的高反射特性被利用作为光捕获解决方案，其中低能光子将被倾斜反射回吸收层。这增加了光（光子）在器件中的光路长度，从而增加了吸收率
用于融合成像的鸟类宽带神经形态视觉传感器阵列
随着人工智能的发展，可穿戴视觉仿生设备正在取得显著进步。然而，传统的硅视觉芯片往往面临着高能量损失和模拟复杂生物行为的挑战。在本研究中，我们通过精心引导有机分子的排列，构建了范德华 P3HT/GaAs 纳米线 PN 结。结合肖特基结，这实现了多方面的类似鸟类的视觉增强，包括宽带非易失性存储、低光感知和接近零功耗的工作模式，无论是在单个设备和任意基板上的 5×5 阵列中。具体来说，我们实现了超过 5 位的内存传感和计算，具有负和正光电导性。当与两种成像模式（可见光和紫外线）结合时，我们的储层计算系统对颜色识别的准确率高达 94%。它实现了运动和紫外线灰度信息提取（显示防晒霜），从而实现融合视觉成像。这项工作为宽带、高度仿生的光电神经形态系统提供了有前景的材料和器件的联合设计。
具有高稳定性、CMOS 兼容掺杂剂的低接触电阻 WSe2 p 型晶体管
摘要：高接触电阻一直是开发高性能过渡金属二硫属化物 (TMD) 基 p 型晶体管的瓶颈。我们报道了简并掺杂的少层 WSe 2 晶体管，其接触电阻低至 0.23 ± 0.07 k Ω·μ m/接触，其使用氯化铂 (IV) (PtCl 4 ) 作为 p 型掺杂剂，该掺杂剂由与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 制造工艺兼容的离子组成。栅极长度为 200 nm 的顶栅器件表现出良好的开关行为，这意味着掺杂剂扩散到栅极堆栈中并不显著。这些器件在空气中放置 86 天后未进行任何封装，同时在 78 K 温度下保持简并掺杂状态，且压力低于 10 − 5 Torr，突显了掺杂剂的稳定性。所提出的方法阐明了对具有减薄肖特基势垒宽度的晶体管进行图案掺杂以获得低接触电阻器件的高稳定性方法的可用性。关键词：二硒化钨、电荷转移掺杂、场效应晶体管、二维材料、高稳定性
高可靠性电力电子
电力电子在各种 HiRel 领域得到广泛应用，包括航天、航空、汽车和其他相关领域。为了获得理想的 MTBF 和 MTTR，需要许多特殊的设计标准、关键的质量保证和广泛的测试。随着时间的推移，这些设计标准、质量标准和测试方法不断发展，如果正确实施，它们将在恶劣环境下实现长期可靠性。为了实现电力电子的高可靠性，本文提到并简要解释了推荐的方法和注意事项。空间应用需要一些额外的考虑因素，例如对总电离剂量 (TID)、单粒子效应 (SEE)、ELDRS、中子效应的辐射硬度；功能冗余；由于真空而通过传导和/或辐射散热；冲击和振动以及重量和体积限制。太空应用还需要数十年的无人值守长期可靠性以及通过遥控指令进行远程操作和通过遥测进行性能监控。MOSFET 和肖特基的抗辐射能力需要特殊的设计和制造技术，而电源管理 IC 则需要结合“设计抗辐射能力”和其他冗余考虑的技术。军事和商业航空领域对电力电子的可靠性提出了同样严格的限制，并基于人类安全做出了某些特殊考虑。本文讨论了所有这些方面，并概述了过去几十年来该主题的发展变化 1。介绍