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World File Search System肖特基
研究Ni/Au和Pt/...
1。简介：尤其是氮化物的独特固有特性，尤其是甘恩捕获了未来MM - 波应用的半导体市场[1]。表现出高载体迁移率以及高饱和速度的能力，使基于GAN的设备适合MM - 波动应用[2]。所声称的基于GAN的设备的明显高性能[3] [4]实际上取决于各种因素。这些包括EPI - 层堆栈的质量[5] [6]，以及针对欧米克和肖特基触点实施的质量和金属方案[7] [8]。EPI - 层工程专注于最大程度地减少晶界和外延缺陷，以提高RF性能[6] [9]。另一方面，欧姆金属工程专门集中于降低接触电阻，以兼容高速操作[7] [10]，而不是Schottky接触工程，该联络工程具有特定的目标，可以实现下门
硅碳化物schottky屏障二极管 - 应用注释
图3.1显示了Gen-3 SIC SBD的原理结构，这是Sanan半导体提供的最新一代SIC二极管。该设备结合了一个金属半导体连接，称为Schottky屏障，而不是表征标准SI二极管的传统P-N结。shottky屏障是在肖特基金属和轻微掺杂的N型外延之间形成的。基板的特征是高度掺杂的N型SIC晶圆，可提供机械稳定性。当应用正向电压时，电子是多数电载体，导致单极电流。此外，由于活动区域中存在几个P+岛，该设备在电涌操作过程中作为PN二极管行为，并产生额外的电流流动。此设计可防止高电压下降，这将带来二极管的破坏。
FBS-GAM02-P-R50
EPC Space FBS-GAM02-P-R50 系列抗辐射多功能电源模块采用 eGaN ® 开关功率 HEMT，设计用于商业卫星空间环境。这些模块包括两个输出功率开关、两个高速栅极驱动电路（完全由 eGaN ® 开关元件组成）、两个带防直通逻辑的功率肖特基二极管钳位元件（用于半桥连接）和一个 +5 V DC 栅极驱动偏置“电源良好”监控电路，采用创新、节省空间的 18 针 SMT 模塑环氧封装。数据表参数保证“辐射后效应”，采用 EPC Space 100% 逐晶圆 eGaN ® 元件抗辐射强度保证验证材料。电路设计符合美国专利 #10,122,274 B2。商业评级 9A515.x 设备。
AlGaN 势垒对具有 p-GaN 栅极的功率 HEMT 长期栅极可靠性的影响
阈值电压不稳定很大程度上被归因于 p-GaN/AlGaN 堆栈中存在的两种竞争机制，即空穴和电子捕获，分别导致负和正的 V TH 偏移 [3-9]。其中一种机制的盛行程度可能取决于栅极偏压和温度 [3]、技术种类 [11] 以及应力 / 表征时间 [12]。总体而言，来自栅极金属的空穴注入和 / 或高场耗尽肖特基结中的碰撞电离已被确定为导致 V TH 不稳定的此类现象的根本原因。提出了一些工艺优化措施，例如降低栅极金属附近 p-GaN 层中的活性镁掺杂浓度 [11]、降低 AlGaN 势垒中的铝含量 [3] 以及优化 p-GaN 侧壁的蚀刻和钝化 [10]，以限制正向栅极应力下的负和正 V TH 偏移。
理学硕士（物理学）课程
第一单元电子设备（10 L）先进电子设备：半导体肖特基二极管简介、半导体二极管、齐纳二极管、隧道二极管及其应用、双极型晶体管及其操作和特性、偏置和稳定、晶体管混合模型、使用 h 参数分析晶体管放大器电路、结型场效应晶体管的特性、JFET 的偏置、金属氧化物半导体 JFET 的概念和应用、光电二极管、发光二极管和太阳能电池、电源（包括整流和滤波电路）和调节器。第 2 单元反馈放大器和振荡器（8 L）放大器的分类、反馈的概念、负反馈和正反馈的一般特性、振荡器原理、巴克豪森标准、科尔皮特和哈特利振荡器、RC 振荡器、温桥振荡器、RC 相移振荡器、多谐振荡器、非稳态、单稳态和双稳态多谐振荡器、方波、三角波发生器和脉冲发生器
MAX17523 评估套件 | 数据表
C7 1 330µF 20% 50V 铝电解电容器 (10mm) PANASONIC EEU-EB1H331 D1 1 TVS 二极管，600W (SMB) ST MICROELECTRONICS SM6T36CA D2 1 功率肖特基二极管，60V，1A (SMA) ST MICROELECTRONICS STPS1L60A D3 1 功率肖特基二极管，60V，1A (SMA) DIODES INCORPORATED B160-13-F J1 1 USB B 型连接器 FCI CONNECT 61729-0010BLF J2, J3 2 2 针绿色 PC 接线端子 DEGSON ELECTRONICS DG128-5.0-02P-14 JU1 1 2x4 双排接头，中心距 0.1 英寸，切割以适合 SULLINS ELECTRONICS PBC04DAAN JU3-JU5、JU8、JU9、JU13 6 2 针单排接头，中心距 0.1 英寸，切割以适合 MOLEX 22-28-4023 JU6、JU12、JU14、JU15 4 3 针单排接头，中心距 0.1 英寸，切割以适合 MOLEX 22-28-4033 LED1 1 绿色 LED (1206) KINGBRIGHT APT3216SGC R1 1 1K OHM 1% 电阻 (0805) - R2 1 10K OHM 1% 电阻 (0805) - R6 1 40.2K OHM 1% 电阻 (0805) - R7 1 12.1K OHM 1% 电阻 (0805) - R8 1 6.2K OHM 1% 电阻 (0805) - R9、R11 2 2.2M OHM 5% 电阻 (0805) - R13、R14、R17 3 100K OHM 1% 电阻 (0805) - R15 1 4.7K OHM 1% 电阻 (0805) - R16 1 50K OHM 微调电位器 BOURNS 3296W-1-503LF TP1 1 白色测试点 KEYSTONE 5002 TP2、TP4、TP5、TP7 4 黑色测试点 KEYSTONE 5001 TP3、TP6、TP8 3 红色测试点 KEYSTONE 5000 TP9 1 紫色测试点 KEYSTONE 5119 TP10 1 绿色测试点 KEYSTONE 5116 TP11 1 灰色测试点 KEYSTONE 5118 U1 1 1A 可调节高精度过流和过压保护器 (16 引脚 TQFN 3mm X 3mm) MAX17523ATE+ C8 0 未安装；330µF 20% 50V 铝电解电容器 (10mm) PANASONIC EEU-EB1H331 R10、R12 0 未安装；1% 电阻器 (0805) - PCB 1 PCB：MAX17523 评估套件 -
Hi-Rel 解决方案 - KAMAKA Electronic GmbH
抗辐射功率 MOSFET（CoolMOS™ 技术） 100V、150V、250V，SMD-0.5、SMD-2、TO-254AA、TO-257AA TID>100Krads（可根据要求提供 300Krads），SEE >LET 55 / 85 MeV “SAM” 为电气功能样品 “P” 为面包板和 EM 上使用的专业级 “ES” 为 ESA 空间级，用于完全合格的卫星飞行模块 微波晶体管 硅双极晶体管技术 额定电源电压从 4V 到 12V 输出功率从 20mA 到 150mA 转换频率从 6.5GHz 到 42GHz 微波硅二极管 小信号、肖特基和 PIN 二极管 I Fmax= 120mA 至 5A，V BR= 40V 至 150V，R F= 0.9Ω 至 10Ω可提供芯片（裸片） 客户特定筛选 抗辐射功率 MOS、MW 晶体管 ESA 资格 ESCC 合格产品 所有产品均在欧洲生产 - 无需出口许可证
界面工程对低功率应用的 MgO 基电阻开关器件的影响
这项工作报道了基于 MgO/Al 2 O 3 的电阻随机存取存储器 (ReRAM) 器件的电阻开关特性。分析表明，由于加入了 Al 2 O 3 插入层，主要导电机制从空间电荷限制导电变为肖特基发射。与单层器件相比，MgO/Al 2 O 3 双层 ReRAM 器件表现出更低的功率运行（降低 50.6%）和更好的开关均匀性，具体取决于堆栈配置。这可归因于 MgO/Al 2 O 3 界面处较低的氧空位积累和细丝限制，从而导致更可控的开关操作。对双层器件的进一步 X 射线光电子能谱 (XPS) 深度剖面分析表明，开关动力学与氧空位浓度直接相关。这些发现表明界面层工程对于改善 MgO 基存储器件的电阻开关特性的重要性，从而可以实现低功耗应用。
先进的 DFT-NEGF 传输技术，用于新型 2D-...
摘要 — 我们在此介绍我们在原子模型求解器 ATOMOS 中实现的先进 DFT-NEGF 技术，以探索新型材料和器件（特别是范德华异质结晶体管）中的传输。我们描述了使用平面波 DFT、随后进行 Wannierization 步骤和原子轨道 DFT 的线性组合的方法，分别导致正交和非正交 NEGF 模型。然后，我们详细描述了我们的非正交 NEGF 实现，包括非正交框架内的 Sancho-Rubio 和电子-声子散射。我们还介绍了从第一原理中提取电子-声子耦合并将其纳入传输模拟的方法。最后，我们将我们的方法应用于新型 2D 材料和器件的探索。这包括2D材料选择和动态掺杂FET，以实现最终的小型化MOSFET，vdW TFET的探索，特别是可以实现高导通电流水平的HfS 2 /WSe 2 TFET，以及通过金属半导体WTe 2 /WS 2 VDW结型晶体管的肖特基势垒高度和传输的研究。
教学大纲 - 量子
数值应用。• 掌握在各种实验情况下将电子视为准粒子的概念。• 能够根据实验情况决定哪种金属模型（德鲁德、索末菲和布洛赫模型）最合适。• 理解经验伪势、布洛赫波包、电子群速度、空穴、布洛赫振荡的概念。• 理解布洛赫电子的量子描述与电导率的宏观特性之间的关系以及杂质、电子-电子相互作用和电子-声子相互作用的作用。• 掌握功函数、接触偏置、界面极化电荷的肖特基模型以及流过结的电流建模的概念。• 理解驱动微电子和纳米电子设备的量子效应。• 能够通过与实验数据单位的严格联系，将理论物理的详细章节转化为具有合理物理意义的数值应用。这一目标将通过与课程和高级数值方法的实践练习的紧密重叠来实现。