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垂直 GaN 的阴极发光和电学研究......
Thi Huong Ngo、Rémi Comyn、Eric Frayssinet、Hyonju Chauveau、Sébastien Chenot 等人。具有位错簇的垂直 GaN-on-GaN 肖特基二极管的阴极发光和电学研究。《晶体生长杂志》，Elsevier，2020 年，552，第 125911 页。�10.1016/j.jcrysgro.2020.125911�。�hal- 03418915�
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TVS: 30,000 件/月 MOSFET/ IGBT: 10,500 件/月 EPI: 60,000 件/月 肖特基: 45,000 件/月 TVS ESD 阵列: 5,000 件/月 齐纳: 5,000 件/月 FRED: 5,000 件/月 LVf 整流器: 5,000 件/月
背部接触金属工作功能对CDTE太阳能电池性能的影响
CDTE薄膜太阳能电池由于电荷损失而导致背部接触材料的工作功能不匹配而导致后部接触的功率损失。因此，有必要通过创建大型肖特基屏障来找到适当的背接触材料，这些材料不会降低细胞性能。用于降低屏障高度的既定策略之一是将具有高功能功能的金属沉积到CDTE背面。在这项研究中，我们使用了金属工作函数的普遍报道值的平均值来研究各种金属（用作返回接触）对CDTE太阳能电池性能的影响。没有任何其他策略来克服肖特基触点，当使用低于5.0 eV的金属时，太阳能电池的效率会严重降低。诸如PT，PD和AU等具有很高工作功能的金属产生的细胞效率高达18.6％，但较低的工作功能金属（如AL）几乎将效率完全降低到低于0.5％。我们的发现表明，Schottky屏障主要影响VOC和FF，因为JSC仅显示略有减少。受到极端工作温度的影响，效率在很大程度上随温度而降低。对于表现最高的金属，已获得-0.3至-0.45/ o的温度系数。
具有复合源极-...的单向 p-GaN 栅极 HEMT
硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 以其低成本、大面积应用等优势在功率器件应用领域引起了广泛关注 [1]。近年来，双向开关在轧机、电梯、风力发电等许多工业双向功率转换应用中备受青睐。此外，常闭单向 HEMT 是实现高性能双向开关的重要器件 [2,3]。常闭单向 HEMT 通常通过在 HEMT 的漏极中嵌入肖特基势垒二极管 (SBD) 来实现。目前已经采用了氟注入或金属氧化物半导体技术。然而，在常闭单向 HEMT 中尚未见具有良好阈值电压 (V th ) 可控性和稳定性的 p-GaN 栅极技术 [4] 的报道。此外，凹陷式肖特基漏极[5]和场板技术[6]可以为实现具有小开启电压（V on ）、高击穿电压（BV）和良好动态性能的单向HEMT提供相关参考。本研究通过实验证明了一种具有凹陷肖特基漏极和复合源漏场板的单向p-GaN HEMT（RS-FP-HEMT）。研究并揭示了漏极电压应力对动态性能的影响。实验。图1（a）和（b）分别显示了传统的带欧姆漏极的p-GaN HEMT（C-HEMT）和提出的RS-FP-HEMT的示意横截面结构。这两个器件都是在GaN-on-Si晶片上制造的。外延结构由 3.4 µ m 缓冲层、320 nm i-GaN 沟道层、0.7 nm AlN 中间层、15 nm Al 0.2 Ga 0.8 N 阻挡层和 75 nm p-GaN 层（Mg 掺杂浓度为 1 × 10 19 cm −3）组成。器件制造首先通过反应离子刻蚀 (RIE) 形成 p-GaN 栅极岛。然后，蒸发 Ti/Al/Ni/-Au 金属堆栈并在 N 2 环境中以 850 ◦C 退火 30 秒。形成凹陷的肖特基漏极
CNES 轨道系统研发蓝皮书
• NanoXplore 开发新一代硬化 FPGA，设计出第一个关键基本块 • 消除 STMicroelectronics Rennes ULTRA300 FPGA 资质认定的风险并提供菊花链。 • Teledyne-E2V 的 QLX2160 处理器模块和 DDR4-16GB 内存的设计和验证 • Microchip 的 Rad-Tol 版本基于 ARM 处理器的 PIC32CZ 微控制器的认证 • Teledyne-E2V 的 EV10AS940 Ka 波段转换器的重新设计 • STMicroelectronics 的 SiC 技术中的 Rad-Hard 肖特基二极管的开发和强化 • 创建经辐射认证的 COTS 服务产品，特别满足 NewSpace 玩家的需求。
印度理工学院鲁尔基分校
小时 半导体霍尔效应研究。（1）四探针法测量半导体的电阻率和带隙。（1）半导体磁阻研究。（1）随温度变化的器件的 IV 特性。（1） pn 结和 MOS 电容器的 CV 特性。（1） LED、激光器和太阳能电池的器件特性。（3）扩散炉工作原理研究。（1）肖特基二极管的制造和特性分析。（1）使用物理气相沉积（真空蒸发器）和旋涂技术沉积薄膜。（1） MOSFET 工艺/器件模拟和参数提取。（1）
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