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小时 半导体霍尔效应研究。（1）四探针法测量半导体的电阻率和带隙。（1）半导体磁阻研究。（1）随温度变化的器件的 IV 特性。（1） pn 结和 MOS 电容器的 CV 特性。（1） LED、激光器和太阳能电池的器件特性。（3）扩散炉工作原理研究。（1）肖特基二极管的制造和特性分析。（1）使用物理气相沉积（真空蒸发器）和旋涂技术沉积薄膜。（1） MOSFET 工艺/器件模拟和参数提取。（1）
印度理工学院鲁尔基分校
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