LocPower是一种获得专利的能源收集解决方案。它由一个能够收获能量的新概念组成,否则在其在流量和压力控制中的正常使用过程中,配备了电气控制面板。LOCPower系统将能量耗散转换为机械功率,然后转换为清洁电力。零发射能量收集,零CO2产生。 LocPower的设计允许智能公用事业和行业控制管道流量和压力,从而提供能源收集功能,而无需放弃实际情况下的安全标准,作为集成系统的监管和控制。 LocPower具有双流控制:通过执行器和涡轮机电力。 直接作用在涡轮机上的电调节可最大程度地减少净压力波动。零发射能量收集,零CO2产生。LocPower的设计允许智能公用事业和行业控制管道流量和压力,从而提供能源收集功能,而无需放弃实际情况下的安全标准,作为集成系统的监管和控制。LocPower具有双流控制:通过执行器和涡轮机电力。直接作用在涡轮机上的电调节可最大程度地减少净压力波动。
对麦克斯韦恶魔和量子纠缠的研究很重要,因为它在物理学及其在量子信息中的潜在应用中具有基本意义。考虑到量子相关性,对麦克斯韦恶魔的先前研究主要集中在热力学上。在这里,我们从另一个角度考虑,询问是否可以通过执行工作来模拟量子非局部性相关性。因此提出了麦克斯韦恶魔辅助的爱因斯坦 - 波多森 - 罗森(EPR)转向,这意味着一种新型的漏洞。Landauer擦除原则的应用表明,在转向任务中关闭此漏洞的唯一方法是不断监视参与者当地环境的热量波动。我们构建了麦克斯韦恶魔辅助EPR转向的量子电路模型,该模型可以通过当前可编程量子处理器(例如超导量子计算机)来证明。基于此量子电路模型,我们获得了一个定量公式,该公式描述了由于恶魔的工作和量子非局部性相关性而导致的能量耗散之间的关系。结果具有很大的身体兴趣,因为它提供了一种探索和理解量子非本地性,信息和热力学之间关系的新方法。
机械系统中的减振和能量耗散是一个快速发展的领域(例如[ 1 – 5 ]。该领域的发展源于设计更严格的减振装置的需求。这些装置应满足生产更轻、更复杂的机械产品的需求。减振方法有很多种(例如[ 6 – 8 ]),最常见的类型是调谐质量阻尼器 (TMD),它是由 H. Frahm [ 9 ] 首次设计的。它是一个被动线性系统,由一个通过弹簧和阻尼器连接到主结构的质量组成。TMD 仅在较窄的频率范围内表现良好,然而,由于多种原因,主结构也可能以其他频率振动 [10]。为了解决 TMD 系统的局限性,已经提出了替代的减振方法。非线性能量吸收器 (NES) 是一种很有前途的减振装置,因为它能够在各种振动频率范围内工作。NES 系统通常由连接到主质量的次级质量组成,具有高度非线性刚度。Vakakis 和 Gendelman [11] 最近提出了一种 NES 系统。Younesian 等人。[12] 研究了 NES 系统在铁路桥梁减振中的应用。NES 系统抑制气动弹性不稳定性的能力已在 [ 13 ] 中得到证实。在 [ 14 ] 中,NES 系统的应用
摘要 几十年来,PECVD(“等离子体增强化学气相沉积”)工艺已成为在多种类型的基材(包括复杂形状)上合成有机或无机薄膜的最方便和通用的方法之一。因此,PECVD 如今已用于从微电子电路制造到光学/光子学、生物技术、能源、智能纺织品等许多应用领域。然而,由于该工艺的复杂性(包括大量气相和表面反应),制造针对特定应用的定制材料仍然是该领域的一大挑战,显然,只有通过对薄膜形成所涉及的化学和物理现象的基本理解才能掌握该技术。在此背景下,本基础论文的目的是与读者分享我们对 PECVD 层形成基本原理的认识和理解,考虑到不同反应途径的共存,可以通过控制气相和/或生长表面的能量耗散来定制这些反应途径。我们证明了控制 PECVD 薄膜功能特性的关键参数是相似的,无论其性质是无机的还是有机的(等离子体聚合物),从而支持对 PECVD 工艺的统一描述。气相工艺和薄膜行为的几个具体示例说明了我们的愿景。为了完善本文档,我们还讨论了 PECVD 工艺发展的当前和未来趋势,并提供了使用这种强大而多功能技术的重要工业应用示例。
Charles H. Bennett 出生于 1943 年,父母都是音乐老师。1971 年,他在 David Turnbull 的指导下从哈佛大学获得博士学位,并在 Aneesur Rahman 的指导下在阿贡实验室做博士后。自 1972 年加入 IBM 研究部以来,他一直致力于物理学与信息之间关系的各个方面。1973 年,在 IBM 的 Rolf Landauer 的工作基础上,他证明了通用计算可以通过逻辑和热力学可逆设备执行,该设备可以以任意小的能量耗散运行,因为它避免丢弃有关过去逻辑状态的信息。基于此,他提出了目前公认的麦克斯韦妖悖论解决方案,将妖无法违反第二定律归因于信息破坏(而不是获取)的热力学成本。这并不是一项新发现,而是对斯莫鲁霍夫斯基 1914 年对恶魔的正确分析的重新确认,由于对量子力学和热力学约束测量的不同方式的混淆,该分析在此期间已被部分遗忘。在其他早期工作中,贝内特引入了复杂性度量“逻辑深度”——从几乎不可压缩的算法描述计算数字对象所需的计算时间——并研究了耗散在改进遗传信息复制和绝对稳定局部相互作用系统状态方面的作用,如果没有耗散,这些系统将只是亚稳态。
自激振荡(系统在非周期性刺激下的周期性变化)对于在软机器人技术中创建低维护自主设备至关重要。宏观尺寸的软复合材料通常掺杂有等离子体纳米粒子,以增强能量耗散并产生周期性响应。然而,虽然目前尚不清楚光子纳米晶体的分散体是否可以作为软致动器对光作出反应,但对纳米胶体在液体中自激振荡的动态分析也缺乏。这项研究提出了一种用于照明胶体系统的新型自激振荡模型。它预测热等离子体纳米粒子的表面温度及其簇的数密度在从次声到声学值的频率范围内共同振荡。对自发聚集的金纳米棒的新实验,其中光热效应在宏观尺度上改变了光(刺激)与分散系统的相互作用,有力地支持了该理论。这些发现拓展了目前对自激振荡现象的认识,并预测胶体状态的物质将成为容纳光驱动机械的合适载体。从广义上讲,我们观察到一种复杂的系统行为,从周期性解(霍普夫-庞加莱-安德罗诺夫分岔)到由纳米粒子相互作用驱动的新动态吸引子,将热等离子体与非线性和混沌联系起来。
1。B。J. Kim,T。Nasir和J.-Y. choi,“石墨烯在低温下为将来的设备应用直接生长”,J。Korean Ceram。 SOC 55 [3] 203–223(2018)。 2。 Y。 M. Song等。 ,“具有节肢动物眼睛启发的设计的数码相机”,《自然》 497 [7447] 95-99(2013)。 3。 S。 E. Thompson和S. Parthasarathy,“摩尔定律:Si Microelectronics的未来”,Mater。 今天9 [6] 20–25(2006)。 4。 E。 POP,“纳米级设备中的能量耗散和运输”,Nano Res。 3 [3] 147–169(2010)。 5。 H。 F. Hamann等。 ,“热点限制的微处理器:直接温度和功率分布测量”,IEEE J.固态电路42 [1] 56-65(2007)。 6。 J。 Kim,J。Oh和H. Lee,“电动汽车电池热管理系统的审查”,Appl。 热。 eng。 149 192–212(2019)。 7。 S。 v Rotkin,V。Perebeinos,A。G. Petrov和P. Avouris,“碳纳米管电子中的热量耗散的基本机制”,Nano Lett。 9 [5] 1850–1855(2009)。 8。 C。 Faugeras,B。Faugeras,M。Orlita,M。Potemski,R。R。Nair和A. K. Geim,“ Corbino膜几何学中石墨烯的热导率”,ACS Nano 4 [4] 1889-1892(2010)(2010年)。 9。 W。 Cai等。 ,“通过化学蒸气沉积生长的悬浮和支撑的单层石墨烯中的热传输”,Nano Lett。J. Kim,T。Nasir和J.-Y.choi,“石墨烯在低温下为将来的设备应用直接生长”,J。Korean Ceram。SOC 55 [3] 203–223(2018)。2。Y。M. Song等。 ,“具有节肢动物眼睛启发的设计的数码相机”,《自然》 497 [7447] 95-99(2013)。 3。 S。 E. Thompson和S. Parthasarathy,“摩尔定律:Si Microelectronics的未来”,Mater。 今天9 [6] 20–25(2006)。 4。 E。 POP,“纳米级设备中的能量耗散和运输”,Nano Res。 3 [3] 147–169(2010)。 5。 H。 F. Hamann等。 ,“热点限制的微处理器:直接温度和功率分布测量”,IEEE J.固态电路42 [1] 56-65(2007)。 6。 J。 Kim,J。Oh和H. Lee,“电动汽车电池热管理系统的审查”,Appl。 热。 eng。 149 192–212(2019)。 7。 S。 v Rotkin,V。Perebeinos,A。G. Petrov和P. Avouris,“碳纳米管电子中的热量耗散的基本机制”,Nano Lett。 9 [5] 1850–1855(2009)。 8。 C。 Faugeras,B。Faugeras,M。Orlita,M。Potemski,R。R。Nair和A. K. Geim,“ Corbino膜几何学中石墨烯的热导率”,ACS Nano 4 [4] 1889-1892(2010)(2010年)。 9。 W。 Cai等。 ,“通过化学蒸气沉积生长的悬浮和支撑的单层石墨烯中的热传输”,Nano Lett。M. Song等。,“具有节肢动物眼睛启发的设计的数码相机”,《自然》 497 [7447] 95-99(2013)。3。S。E. Thompson和S. Parthasarathy,“摩尔定律:Si Microelectronics的未来”,Mater。今天9 [6] 20–25(2006)。4。E。POP,“纳米级设备中的能量耗散和运输”,Nano Res。3 [3] 147–169(2010)。5。H。F. Hamann等。,“热点限制的微处理器:直接温度和功率分布测量”,IEEE J.固态电路42 [1] 56-65(2007)。6。J。Kim,J。Oh和H. Lee,“电动汽车电池热管理系统的审查”,Appl。热。eng。149 192–212(2019)。7。S。v Rotkin,V。Perebeinos,A。G. Petrov和P. Avouris,“碳纳米管电子中的热量耗散的基本机制”,Nano Lett。9 [5] 1850–1855(2009)。8。C。Faugeras,B。Faugeras,M。Orlita,M。Potemski,R。R。Nair和A. K. Geim,“ Corbino膜几何学中石墨烯的热导率”,ACS Nano 4 [4] 1889-1892(2010)(2010年)。9。W。Cai等。 ,“通过化学蒸气沉积生长的悬浮和支撑的单层石墨烯中的热传输”,Nano Lett。Cai等。,“通过化学蒸气沉积生长的悬浮和支撑的单层石墨烯中的热传输”,Nano Lett。10 [5] 1645–1651(2010)。10。A。A. Balandin等。 ,“单层石墨烯的高热电导率”,Nano Lett。 8 [3] 902–907(2008)。 11。 C。 W. Chang等。 ,“同位素对硝酸硼纳米管的热导率的影响”,物理。 修订版A. Balandin等。,“单层石墨烯的高热电导率”,Nano Lett。8 [3] 902–907(2008)。11。C。W. Chang等。,“同位素对硝酸硼纳米管的热导率的影响”,物理。修订版
摘要:亚惯性、地形捕获的全日内潮汐是亚北极海洋湍流混合的重要能量来源。然而,它们的产生可能无法通过传统的正压到斜压转换来估计,因为它们的垂直结构有时是正压的,而超惯性内潮汐则总是斜压的。本文给出了一个新的能量图,其中正压模式分解为表面和地形模式,后者与斜压模式一起归类为内部模式的一部分。然后推导出新定义的地形模式的能量方程,从而为从亚惯性表面潮汐到地形捕获内潮汐的能量转换率提供了适当的公式。一系列数值试验证实,该公式能成功预测各种情况下的能量转换率,斜压和地形模态的相对贡献随底部地形和地层而显著变化。此外,对于亚惯性潮汐,这种从表面到内部的转换给出的估计值明显大于从正压到斜压的转换。将该公式应用于千岛海峡(亚惯性全日潮汐混合最强的区域)的实际数值模拟结果表明,表面模态转换为具有可比量级的斜压和地形模态,造成该地区大部分能量耗散。这些结果表明需要使用我们的新公式重新估计亚惯性内潮产生率的全球分布,并阐明其耗散机制。
摘要:提高土木工程可持续性的需求引起了建筑行业对工程竹制品使用日益浓厚的兴趣。尽管如此,尽管对竹制结构的静态响应进行了广泛的研究,但关于动态载荷下响应的实验和数值研究却有限。因此,本研究旨在评估现代竹制轻质剪力墙的抗震性能,重点关注护套与框架连接所确保的能量耗散。首先,简要讨论与现代土木工程中使用竹子有关的建筑、可持续性和制造问题。然后,使用合适的现象学模型模拟胶合竹 (glubam) 剪力墙内紧固件的实验循环响应,该模型的参数通过基于软计算的数值技术确定。因此,使用在 OpenSees 中开发的参数有限元模型来评估墙的整体地震响应。最后对基于glubam 和木材的剪力墙的响应进行了比较。这突出表明,当框架元件的横截面尺寸允许充分利用其承载力和塑性变形时,决定其整体行为的主要参数是单个紧固件的局部非线性行为。数值模拟与从现有实验数据中得出的主要证据非常吻合。特别是,我们发现,与同等木墙相比,glubam 轻质剪力墙通常表现出更大的承载力和更低的延展性。关键词:竹子、有限元模型、Glubam、OpenSees、参数识别、剪力墙
随着信息技术迈向大数据时代,传统的冯·诺依曼架构在性能上显示出局限性。计算领域已经在应对访问内存所需的延迟和带宽(“内存墙”)以及能量耗散(“电源墙”)方面遇到了很多困难。这些具有挑战性的问题,例如“内存瓶颈”,要求进行大量的研究投资来开发下一代计算系统的新架构。脑启发计算是一种新的计算架构,为人工智能计算提供了一种高能效和高实时性的方法。脑启发神经网络系统基于神经元和突触。忆阻器件已被提议作为创建神经形态计算机应用的人工突触。在本研究中,对后硅纳米电子器件及其在脑启发芯片中的应用进行了调查。首先介绍了神经网络的发展,回顾了当前典型的类脑芯片,包括以模拟电路为主的类脑芯片和全数字电路的类脑芯片,进而引出了基于后硅纳米电子器件的类脑芯片设计。然后,通过对N种后硅纳米电子器件的分析,阐述了利用后硅纳米电子器件构建类脑芯片的研究进展。最后,对基于后硅纳米电子器件构建类脑芯片的未来进行了展望。