XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System自旋
非厄米量子自旋梯的纠缠哈密顿量和有效温度
量子纠缠不仅对于理解厄米多体系统起着至关重要的作用，而且对于非厄米量子系统的研究也具有重要的意义。在本文中，我们利用双正交基中的微扰理论，解析地研究了非厄米自旋梯的纠缠哈密顿量和纠缠能谱。具体来说，我们研究了耦合的非厄米量子自旋链之间的纠缠特性。在强耦合极限（J rung ≫ 1）下，一阶微扰理论表明，纠缠哈密顿量与具有重整化耦合强度的单链哈密顿量非常相似，从而可以定义一个临时温度。我们的研究结果为非厄米系统中的量子纠缠提供了新的见解，并为开发研究非厄米量子多体系统中有限温度特性的新方法奠定了基础。
radial rashba和dresselhaus旋转轨道耦合的磁转运和自旋 - 弹性特征
基于石墨烯的范德华异质结构利用了通过接近效应在石墨烯层中调整自旋轨道耦合（SOC）。在长波长处 - 由狄拉克点附近的电子状态骑马 - 可以通过涉及新型SOC术语的汉密尔顿人有效地建模，并允许通过所谓的rashba角度θr的切向和径向自旋纹理的混合。采用这种有效的模型，我们执行逼真的大规模磁转运计算 - 横向磁心焦点和Dyakonov-perel自旋松弛 - 并表明存在着独特的定性和定量特征，允许其无偏见的实验性分解，从而从其新颖的Radial对方中对常规的Rashba Soc进行了无偏见的SOC，此处称为Radial Rashba Soc。与此一起，我们提出了一个方案，以直接估算RASHBA角，通过探索磁响应对称性在交换平面磁场时。为了完成故事，我们在出现的Dresselhaus SoC的存在下分析了磁磁运输和自旋 - 弹性签名，还为径向超导二极管效应的可能场景提供了一些通用的后果。
从单一角度理解金属配合物的自旋……
与总体自旋行为相比，单分子自旋行为可以在基本构件水平上被准确理解、控制和应用。单分子电子自旋和核自旋在监测和控制方面的潜力为分子自旋器件的发展带来了希望，这些器件通过将单个分子连接在两个电极之间而制成。金属配合物因其优越的磁性而广受赞誉，被广泛用于探索自旋效应的器件中。此外，具有高信噪比、时间分辨率和可靠性的单分子电学技术有助于理解自旋特性。本综述重点介绍了含有金属配合物的器件，特别是单分子磁体，并系统地介绍了该领域在单分子水平上的实验和理论发展现状，包括电子和核自旋的基本概念及其基本自旋效应。然后，介绍了几种在单分子水平上调控金属配合物自旋特性的实验方法，以及相应的内在机制。简要讨论了单分子自旋器件的综合应用和面临的巨大挑战，并展望了该领域未来的潜在发展方向。
在微波振荡器中诱导高角度动量自旋动力学
如何修复？1）多数投票错误校正：在三个位置进行冗余的存储位，定期检查所有三个位置 - 如果一个人翻转 - 基于多数投票重置三个物理位的组合= 1'逻辑'位
Al/InAs/Al 异质结的自洽准粒子引力波和混合函数计算：能带偏移和自旋轨道耦合效应
表面和界面的电子结构对量子器件的特性起着关键作用。在这里，我们结合密度泛函理论与混合泛函以及最先进的准粒子引力波 (QSGW) 计算，研究了实际的 Al / InAs / Al 异质结的电子结构。我们发现 QSGW 计算和混合泛函计算之间具有良好的一致性，而后者本身与角分辨光电子能谱实验相比也非常出色。我们的论文证实，需要对界面质量进行良好的控制，才能获得 InAs / Al 异质结所需的特性。对自旋轨道耦合对电子态自旋分裂的影响的详细分析表明，k 空间中存在线性缩放，这与某些界面态的二维性质有关。QSGW 和混合泛函计算的良好一致性为可靠地使用 QSGW 的有效近似来研究非常大的异质结打开了大门。
4H 碳化硅的受控剥落与自旋相干性研究，用于量子工程集成
摘要：我们详细介绍了实现单晶 4H 碳化硅 (4H-SiC) 从块状基底受控剥落和层转移的科学和工程进展。4H-SiC 的特性（包括高热导率和宽带隙）使其成为电力电子的理想半导体。此外，4H-SiC 是用于量子计算和量子网络的固态原子缺陷量子比特的优良宿主。由于 4H-SiC 基底价格昂贵（由于生长时间长且产量有限），因此需要采用块状质量薄膜的去除和转移技术以便重复使用基底并集成分离的薄膜。在这项工作中，我们利用最新的应力层厚度控制和剥落裂纹起始方法来展示 4H-SiC 的受控剥落，4H-SiC 是迄今为止剥落的断裂韧性最高的晶体。我们实现了中性双空位 (VV 0 ) 量子比特集合的相干自旋控制，并在剥落的薄膜中测量了 79.7 μ s 的准体自旋 T 2。关键词：4H-SiC、层转移、固态量子比特、自旋相干性、异质积分 C
补充信息：BI 1 -x SB x拓扑绝缘子的表面状态的自旋和轨道电荷转换理论
光发射实验是在安装在Soleil存储环（法国圣奥宾）上的Cassiopee梁线上进行的。光束线托管两个端站。使用具有线性水平极化的20个EV入射光子，用于测量费米表面和带分散体的高分辨率ARPES端域。它配备了科学R4000电子分析仪。样品上的光子斑点大小为50×50 µm 2，总体动能分辨率（考虑到光子能和电子动能分辨率）的总分辨率为10 meV。第二个终端是一个自旋分辨的ARPES实验，其中梁的大小约为300×300 µm 2。它配备了MBS A1-Analyzer，并带有2D检测器进行ARPES测量。接近该2D检测器，一个1×1 mm 2孔收集具有明确定义的动能和动量的光电子。它们被发送到一个旋转操纵器中，能够沿Ferrum Vleed自旋检测器的磁化轴定位任何自旋组件，该轴是由Fe（100）-p（1×1）O表面[1，2]制成的，该旋转式旋转式探测器被沉积在W-靠基层上。沿选定方向的自旋极化与收集的两个信号的差成正比，以相反的氧化物靶标的磁化。为了减少仪器造成的测量不对称性，每个极化方向都采集了四个测量，从而逆转了Ferrum磁化强度和电子自旋方向。1×1 mm 2孔引入了动能和波矢量的整合。然后通过p = s -1（iσ + - iσ - ） /（Iσ + +iσ-）确定极化，其中我们估计检测器的Sherman功能在0.15和0.3之间[3]。对于动能，它对应于使用的通行能量的0.23％（在我们的情况下为10 eV），因此对应于23 MeV。与分析仪的能量分辨率（该通行能量为10 MEV，入口缝隙为400 µm），总体动能分辨率为25 MeV。对于波矢量，1 mM孔径对应于总（30°）角范围的4％的积分，这给出了1.2°。在20 eV光子能量时，对于费米水平的电子，这给出了k分辨率约为0.048°a -1。分析仪光学元件是可移动的，可以在大型2D（30°×30°）角范围内收集电子。为了在费米级别绘制自旋纹理，将分析仪设置为适当的动能，而光学器件则沿两个x和y垂直方向移动0.2◦。在每个步骤中测量两个面内旋转组件。
层退火温度对暴露于酒精蒸气的自旋涂层SBS层的感测特性的影响
为10-40 kJ/mol [75]。根据表3，三种类型的酒精的相互作用是物理吸附（ED = 27-45 kJ/mol）。物理吸附相互作用是可逆的。酒精
成像单层量量子的量子干扰kitaev量子自旋液体候选
单个原子缺陷是关注主机量子状态的突出窗口，因为来自主机状态的集体响应是在缺陷周围作为局部状态出现的。费米液体中的弗里德尔振荡和围绕云是典型的例子。然而，对于量子自旋液体（QSL）的情况是巨大的，这是一种具有分数化准粒子的异国情调状态，造成量子纠缠的深远影响而产生的拓扑顺序。由于分数化准粒子的电荷中立性和QSL的绝缘性质，阐明基本的局部电子特性一直在挑战。在这里，使用光谱成像扫描隧道显微镜，我们报告了金属底物上最有希望的Kitaev QSL候选者单层α -rucl 3的原子解析图像。我们发现在绝缘子表现出的量子干扰是围绕具有特征性偏见依赖性的缺陷的局部状态密度的不稳定和衰减的空间振荡。振荡与本质上的任何已知空间结构不同，并且在其他Mott绝缘子中不存在，这意味着它是一种与α -rucl 3独有的激发有关的异国情调振荡。数值模拟表明，可以通过假设Kitaev QSL的巡游主要植物散布在Majoraana Fermi表面上，可以通过假设射击振荡来复制。振荡提供了一种新的方法，可以通过局部响应来探索Kitaev QSL，以针对金属中的Friedel振荡等缺陷。
pt/（ga，mn）n设备中的自旋霍尔磁场
1 C. Song，R。Zhang，L。Lia，Y。Zho，X。Zho。 Zho，R。Chen，Y。您，X。Chen和F. Pan，“ Off-Otoe Spin-轨道：材料，机制，性能和潜在应用”，Prog Sci Mater 118，100761（2021）。2 B. Dieny，I.L。Prejbeanu，K。Gambard，democreditov。Valencia，M.C。 Onbaşlı，M. Of Aquino，G。Book，G。Finocchio，L。Lopez-Diaz，R。Chantell，3（8），446–459（2020）。 3 S.A. Wolf，D.D。 Awschalom，R.A。 Buhrman，J.M。 Daughton，S。vonMolnár，M.L。 Roukes，A.Y。 电影和D.M. Trier，Spintronics：对未来科学的讲话294,1488-1495（2001）。Valencia，M.C。Onbaşlı，M. Of Aquino，G。Book，G。Finocchio，L。Lopez-Diaz，R。Chantell，3（8），446–459（2020）。 3 S.A. Wolf，D.D。 Awschalom，R.A。 Buhrman，J.M。 Daughton，S。vonMolnár，M.L。 Roukes，A.Y。 电影和D.M. Trier，Spintronics：对未来科学的讲话294,1488-1495（2001）。Onbaşlı，M. Of Aquino，G。Book，G。Finocchio，L。Lopez-Diaz，R。Chantell，3（8），446–459（2020）。3 S.A. Wolf，D.D。 Awschalom，R.A。 Buhrman，J.M。 Daughton，S。vonMolnár，M.L。 Roukes，A.Y。 电影和D.M. Trier，Spintronics：对未来科学的讲话294,1488-1495（2001）。3 S.A. Wolf，D.D。Awschalom，R.A。 Buhrman，J.M。Daughton，S。vonMolnár，M.L。 Roukes，A.Y。 电影和D.M. Trier，Spintronics：对未来科学的讲话294,1488-1495（2001）。Daughton，S。vonMolnár，M.L。Roukes，A.Y。 电影和D.M. Trier，Spintronics：对未来科学的讲话294,1488-1495（2001）。Roukes，A.Y。电影和D.M. Trier，Spintronics：对未来科学的讲话294,1488-1495（2001）。电影和D.M.Trier，Spintronics：对未来科学的讲话294,1488-1495（2001）。