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蓝宝石底物方向对III-硝化物的范德华的外观对2D六边形硝酸盐的影响：对光电设备的影响
Phuong Vuong，Suresh Sundaram，Vishnu Ottapilakkal，Gilles Patriarche，Ludovic Largeau等。蓝宝石底物方向对III-硝酸盐的范德华外观对2D六边形硝酸硼的影响：对光电设备的影响。ACS应用的纳米材料，2022，5（1），pp.791-800。10.1021/acsanm.1c03481。hal-04460183
使用低温蓝宝石振荡器改进离子阱量子计算机
我们描述了一种灵活的微波合成系统，该系统由一个超低相位噪声低温蓝宝石振荡器 (CSO) 设计，可用作镱离子 (Yb+) 量子比特的主时钟。我们报告称，使用该合成系统，量子比特相干时间从 0.9 秒提高到 8.7 秒，提高了 10 倍，单量子比特量子门的误差为 1.6e-6。使用滤波函数方法 [1]，我们发现证据表明，0.9 秒的宝贵相干性受到精密级商用现成微波合成器 [1] 的相位噪声的限制。此外，我们还利用微波合成系统的灵活性来演示贝叶斯学习算法，该算法可以自主设计信息优化的控制脉冲来识别和校准定量动力学模型，以表征囚禁离子系统。我们通过实验证明，新算法在少量样本的情况下超过了传统校准方法的精度 [2]。
Ti掺杂的蓝宝石（Al（2）O（3））通过Kyropoulos技术和光学特征生长的单晶。
不可侵犯生长过程的缺陷。激光性能通常受到Ti3þ -Ti4Þ离子对8的光损失红外吸收带的限制，这些离子对8恰好发生在激光发射波长中。退火改善了成年晶体的质量。它允许将部分更改为ti3Þ，并改善所谓的功绩图（FOM），该图可以测量约500 nm的吸收系数与吸收系数相对于寄生虫Ti3Þ -Ti3Þ -Ti4Þ吸收带的吸收系数的比率。在本文中，大尺寸和高度Ti3Þ掺杂的Al 2 O 3单晶在RSA Le Rubis Company的Kyropoulos Technique（KT）成功生长，并执行了成年晶体的光学特征。
蓝宝石dottm＆Check Point Quantum IoT protect
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蓝宝石上双层石墨烯的无金属生长和干燥分离：对电子应用的影响
摘要：在过去的十年中，在不同的科学和工程领域中使用石墨烯的速率仅增加，并且没有表现出饱和的迹象。同时，最常见的高质量石墨烯的来源是通过化学蒸气沉积（CVD）在铜箔上的生长，随后的湿传输步骤，由于铜箔的依从性带来了环境问题和技术挑战。为了克服这些问题，已经使用了沉积在硅晶片上的薄铜纤维，但是石墨烯生长所需的高温可能会导致铜纤维的侵蚀，并在获得均匀的生长方面遇到挑战。在这项工作中，我们探索蓝宝石作为石墨烯直接生长的底物，而无需在常规金属CVD温度下任何金属催化剂。首先，我们发现在生长之前退火是提高可以直接在此类底物上生长的石墨烯质量的关键步骤。在退火蓝宝石上生长的石墨烯是均匀的双层，并且在文献中发现了一些最低的拉曼D/G比。此外，已经进行了干燥转移实验，该实验提供了直接衡量蓝宝石/石墨烯界面上相互作用范围的粘附能，强度和相互作用范围。石墨烯对蓝宝石的粘附能低于铜在铜上生长的石墨烯的粘附能，但是石墨烯 - 蓝宝石相互作用的强度更高。使用拉曼，SEM和AFM以及断裂力学概念评估了几厘米尺度转移的质量。关键字：石墨烯的生长，干燥转移，蓝宝石，粘附强度，粘附能基于对这项工作中合成石墨烯的电气特性的评估，这项工作对几种潜在的电子应用有影响。
原子平面错位取向有助于提高纳米图案化蓝宝石 (0001) 表面上 AlN 外延生长的晶体质量，用于深紫外光电器件
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蓝宝石的上级泳池范围
上级材料上级材料所有池均使用新一代，高性能，耐腐蚀，环保玻璃纤维，具有提高的强度和刚度制造。我们的现场凝胶涂层制造工厂意味着每天批量批量材料以获得更好的产品。仅使用特种材料 - 没有通用产品。
蓝宝石的特性和应用
• 它具有高弹性模量和高抗拉强度，因此具有极强的耐磨、耐磨损和耐冲击性。 • 由于其高介电常数，它是极好的电绝缘体。 • 由于蓝宝石的热稳定性，当暴露于从低温到 2000C 以上的温度时，它不会失去任何机械和光学属性。 • 导热性大于其他光学材料和大多数电介质。 • 由于极端热循环，不会造成表面损坏或失透。 • 与其他光学材料不同，它在极高的温度下不会下垂或塌陷。 • 它具有很强的耐腐蚀性，并且比大多数其他光学和非光学硬质材料更耐腐蚀性化学品。 • 在高辐射系统中不会发生日晒。 • 卓越的光学传输范围从紫外线到中红外线。（见图 2）蓝宝石具有六边形/菱形结构，并且具有取决于晶体方向的属性（图 1）。蓝宝石衬底有 C、R、A 和 M 平面以及随机取向。随机取向最便宜，通常用于非关键光学或机械应用。
c 面 GaN 模板和蓝宝石衬底上 -Ga2O3 薄膜的晶体各向异性
β -氧化镓（β -Ga 2 O 3 ）的带隙约为4.9 eV [ 1 ]，作为一种新兴的超宽带隙半导体，近年来得到了广泛的研究。由于其具有成熟的块体材料制备、优异的Baliga 品质因数和高电子迁移率等优点[ 2 ]，β -Ga 2 O 3 被认为是一种很有前途的日盲紫外（UV）光电探测器、气体传感器、紫外透明导体和大功率电子器件的候选材料[ 3 ，4 ]。虽然块体β -Ga 2 O 3 是外延生长高质量β -Ga 2 O 3 薄膜的理想衬底，但其昂贵的成本和较差的热导率仍然阻碍了同质外延的商业化。因此，在低成本、大尺寸衬底上异质外延β -Ga 2 O 3 薄膜仍然具有重要意义。
EIA-Scoping-Report-Project-Valorous.pdf - 蓝宝石风能
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