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可追踪的回音壁 2D 有限元模拟...
摘要 — 本文介绍了如何配置一个流行的、商业上可用的软件包，用于解决基于有限元方法 (FEM) 的偏微分方程 (PDE)，以有效地计算轴对称介电谐振器的回音壁 (WG) 模式的频率和场。该方法具有可追溯性；它利用 PDE 求解器接受所谓“弱形式”中麦克斯韦方程解的定义的能力。提供了用于估计 WG 模式的体积、填充因子以及在封闭（开放）谐振器的情况下的壁（辐射）损耗的相关表达式和方法。由于没有施加横向近似，即使对于低、有限方位角模式阶的准横向磁/电模式，该方法仍然准确。通过对几个非平凡结构进行建模，证明了该方法的通用性和实用性：（i）两个不同的光学微腔[一个由二氧化硅制成的环形，另一个是AlGaAs微盘]；（ii）三阶蓝宝石：空气布拉格腔；（iii）两个不同的低温蓝宝石WG模式谐振器；（ii）和（iii）都在微波X波段工作。通过将（iii）之一拟合到一组测量的谐振频率，可以估算出蓝宝石在液氦温度下的介电常数。
蓝宝石底物方向对III-硝化物的范德华的外观对2D六边形硝酸盐的影响：对光电设备的影响
Phuong Vuong，Suresh Sundaram，Vishnu Ottapilakkal，Gilles Patriarche，Ludovic Largeau等。蓝宝石底物方向对III-硝酸盐的范德华外观对2D六边形硝酸硼的影响：对光电设备的影响。ACS应用的纳米材料，2022，5（1），pp.791-800。10.1021/acsanm.1c03481。hal-04460183
氧空位对异质外延β-Ga2O3薄膜日盲光电探测器的影响
本工作采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术分别在GaN模板和蓝宝石衬底上沉积β-Ga 2 O 3 薄膜，制备相应的β-Ga 2 O 3 薄膜金属-半导体-金属（MSM）光电探测器（PD）。比较这两种异质外延β-Ga 2 O 3 薄膜PD的性能，发现氧空位是造成差异的原因。GaN上β-Ga 2 O 3 PD的响应度随叉指间距的增加而增大，而蓝宝石上β-Ga 2 O 3 PD的行为则相反。提出了MSM结构的光电导模型，表明氧空位在上述观察中起着关键作用。同时，氧空位对光生空穴的捕获不仅增强了响应度，而且延迟了响应时间。该工作为异质外延β-Ga2O3薄膜PD的进一步优化奠定了基础。
在 300 毫米玻璃晶圆上大规模制造表面离子阱
由于其优异的介电性能，玻璃可以作为表面离子阱制造中石英或蓝宝石的低成本替代材料。与高电阻率（5000 Ω·cm）硅衬底（20 MHz 时的典型损耗角正切为 1.5）相比[24]，本文采用的玻璃衬底（Corning SGW 8.5）在 5 GHz 时的损耗角正切为 0.025，体积电阻率为 10 10 Ω·cm（数据可从产品信息表获得）。这省去了硅阱所需的射频屏蔽层和绝缘层，并使制造程序变得更加简单。此外，透明玻璃（波长为 300 至 2400 nm 的透射率为 90%）可以使光的传输和收集更加灵活，例如，通过在下面放置光纤和/或光电探测器。 [25]与其他介电材料（如蓝宝石和石英）相比，玻璃不仅成本低，而且可制造性更先进，可以实现高可靠性的玻璃通孔、[26,27]阳极键合、[28]
Alpha HPA 有限公司 (A4N)
• Alpha Sapphire B 阶段 FID 有望于 2025 年中期实现：A4N 将从现有的两个合成蓝宝石生长单元扩展到新工厂的 50 个单元（B 阶段扩建）的计划有望于 2025 年中期实现 FID。工程和成本建模正在进行中。A4N 最近将 B 阶段的 FID 推迟了大约六个月。该公司已经收到半导体制造商对下一代氮化镓 (GaN) 蓝宝石半导体平台的需求。这个新兴市场在一定程度上抵消了 microLED 显示器行业需求增长低于预期的影响。QIC 关键矿产和电池技术基金 (QCMBTF) 下的 B 阶段融资（3000 万美元）条款已更新，资金现在将可用至 2025 年 9 月 30 日，但前提是 Alpha Sapphire 董事会在 2025 年 6 月 30 日之前达成 FID。
纳米压印光刻用光刻胶
micro resist technology GmbH 自 1999 年以来一直为纳米压印光刻 (NIL) 提供量身定制的光刻胶配方。我们产品的独特关键特性是出色的成膜和压印性能以及出色的图案保真度和等离子蚀刻稳定性。我们的纳米压印光刻胶主要用作干蚀刻掩模，用于将图案转移到各种基板上，例如 Si、SiO 2、Al 或蓝宝石。
