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World File Search System超高真空
GASE的外观耦合到石墨烯：从原位带工程到光子传感 主动采样：用于最佳子样本的有限种群推断的机器学习辅助框架 3D生物打印和酶促聚合方法 在磁场中实现纳米结构的远程任意均匀对准 设计用于多功能性的结构阳性电极
2D半导体可以推动量子科学和技术的进步。但是，它们应该没有任何污染。同样，相邻层及其电子特性的晶体学排序和耦合应具有良好的控制，可调且可扩展。在这里，这些挑战是通过一种新方法来解决的，该方法结合了分子束外延和原位带工程在石墨烯上半导体硒化（GASE）的超高真空中。通过电子差异，扫描探针显微镜和角度分辨的光电子光谱法表明，在层平面中与基础与石墨烯的下层晶格相对的原子研究表明，GASE的原子薄层对齐。GASE/石墨烯异质结构（称为2semgraphene）具有GASE的中心对称性（组对称性D 3D）多晶型物，GASE/Chapeene界面处的电荷偶极子，以及可通过层厚度调谐的带结构。新开发的可伸缩2秒封装用于光学传感器，该传感器利用光活动Gase层和与石墨烯通道的接口处的内置电势。此概念证明具有进一步的进步和设备体系结构，将2semgraphene作为功能构建块。
MBE和MOCVD技术之间的比较
MBE反应器通常包括样品转移室（向空气开放，以允许加载晶圆底物并卸载）和一个生长室（通常密封，仅向空气开放以进行维持），其中底物被转移以进行外延生长。MBE反应堆在超高真空（UHV）条件下运行，以防止空气分子受到污染。如果腔室敞开了空气，则可以加热腔室以加速这些污染物的疏散。通常，MBE逆转中外延的源材料是固体半导体或金属。这些被加热超出其熔点（即源材料蒸发）在积液细胞中。在这里，原子或分子通过一个小孔驱动到MBE真空腔中，该光圈给出高度方向的分子束。这会影响加热的底物；通常由单晶材料制成，例如硅，砷耐加仑（GAAS）或其他半导体。，如果分子不取消分子，它们将在底物表面扩散，从而促进外延生长。然后逐层构建外观，每个层的组成和厚度控制以实现所需的光学和电气性能。基板在生长室内集中安装在被
日期：11-02-2025
工作的性质 - 研究和开发 - 激光光谱设置的设计和开发 - 研究工作的数据记录和记录 - 对实验结果的批判性分析 - 有助于任何其他相关的实验 - 在校园内的任何其他相关的实验 - 无法进行远程工作 - 无法进行远程工作 - 无法进行 - 监督和指导研究学生和实习生 - 参加会议，工作人员，竞争者，对实验的研究 - 涉及 - 在竞争，培训 - 培训 - 竞争者，对实验的研究，并在范围内进行了研究，并进行了研究，并在进行了实验，并在校园中进行了研究 - 手稿 - 教授本科和研究生的责任和监督，选定的候选人将有机会在跨学科领域工作，这些领域是建立实验所需的。其中一些是（但不限于）模拟；设计，制造，在激光和光学领域的土著仪器测试，开发低噪声模拟和数字电子产品，开发基于FPGA的系统，超高真空，机械和软件开发，中性原子捕获等。除了开发实验外，他们还必须对使用开源和/或专有软件实现实验目标所需的物理问题进行仿真和建模。开发一个完整的实验涉及多个工作包，并开发这些实验需要跨学科领域的专业知识。在实验室中，这可以通过在
TiOx/Pt3Ti(111)表面定向形成电子响应的氧化钨簇超分子组装体
摘要 在 Pt 3 Ti(111) 合金表面生长的高度有序氧化钛薄膜被用于纳米 W 3 O 9 团簇的受控固定和尖端诱导电场触发的电子操控。根据操作条件，产生了两种不同的稳定氧化物相 z'-TiO x 和 w'-TiO x 。这些相对 W 3 O 9 团簇的吸附特性和反应性有很大的影响，这些团簇是在超高真空条件下 WO 3 粉末在复杂的 TiO x /Pt 3 Ti(111) 表面上热蒸发形成的。发现物理吸附的三钨纳米氧化物是位于金属吸引点上的孤立单个单元或具有 W 3 O 9 封盖的六边形 W 3 O 9 单元支架的超分子自组装体。通过将扫描隧道显微镜应用于 W 3 O 9 –(W 3 O 9 ) 6 结构，单个单元经历了尖端诱导还原为 W 3 O 8 。在高温下，观察到大型 WO 3 岛的聚集和生长，其厚度被严格限制为最多两个晶胞。这些发现推动了使用操作技术在表面上实现模板导向成核、生长、网络化和功能分子纳米结构的电荷状态操控的进展。
低载波SiC 上的高密度外延石墨烯器件
石墨烯是第一种真正的二维材料，[1] 是形成简单六边形晶格的单层碳。剥离的石墨烯薄片表现出了高迁移率和异常量子霍尔效应 (QHE) 等显著的电学特性，引起了人们对其在许多实际应用中的极大兴趣。[2–5] 然而，由于剥离的石墨烯薄片的尺寸限制（通常高达几十微米），石墨的机械剥离无法提供适用于商业晶圆尺寸电子器件或精确电阻计量的石墨烯。当 SiC 衬底在超高真空或惰性气体氛围中以高于 1000°C 的温度退火时，Si 升华后碳会残留在 SiC 表面并重新排列形成石墨烯层。这种外延石墨烯 (EG) 已准备好用于大规模器件制造，无需转移到另一个绝缘基板上。在六边形 SiC 晶片的硅端面 (Si 面) 上生长的石墨烯由于与 SiC 晶体的方位角取向一致，可以形成大域。与在相反 (碳) 面上生长的石墨烯相比，在 Si 面上，EG 还具有更可控的生长动力学。最近，通过优化
SiC 上的低载流子密度外延石墨烯器件
石墨烯是第一种真正的二维材料，[1] 是形成简单六边形晶格的单层碳。剥离的石墨烯薄片表现出了高迁移率和异常量子霍尔效应 (QHE) 等显著的电学特性，引起了人们对其在许多实际应用中的极大兴趣。[2–5] 然而，由于剥离的石墨烯薄片的尺寸限制（通常高达几十微米），石墨的机械剥离无法提供适用于商业晶圆尺寸电子器件或精确电阻计量的石墨烯。当 SiC 衬底在超高真空或惰性气体氛围中以高于 1000°C 的温度退火时，Si 升华后碳会残留在 SiC 表面并重新排列形成石墨烯层。这种外延石墨烯 (EG) 已准备好用于大规模器件制造，无需转移到另一个绝缘基板上。在六边形 SiC 晶片的硅端面 (Si 面) 上生长的石墨烯由于与 SiC 晶体的方位角取向一致，可以形成大域。与在相反 (碳) 面上生长的石墨烯相比，在 Si 面上，EG 还具有更可控的生长动力学。最近，通过优化
订购美国 Compact 21 研究系统
Compact 21 系统将使已经配备 RIBER 机器的实验室能够通过在现有生产线上添加新的超高真空 (UHV) 室来增强其多功能性，并增加其工艺或与其他研究小组共享其设备。Compact 21 机器将通过结合 RIBER 开发的新一代蒸发器以及一系列仪器（包括 EZ CURVE 原位控制装置和 Crystal XE 过程控制软件），为用户提供增强的安全性、可靠性和易用性。这份新订单不仅证实了全球最畅销的研究 MBE 系统 Compact 21 系列的持续商业成功，还强调了 RIBER MBE 系统适用于最高标准的复合半导体研究。这份新订单将于 2024 年交付。关于 RIBER RIBER 是 MBE（分子束外延）设备的全球市场领导者。它为半导体行业设计和生产设备，并为客户提供科学和技术支持（硬件和软件），维护他们的设备并优化其性能和产出水平。RIBER 的设备加速了电子产品的性能，在先进半导体系统的开发中发挥着重要作用，这些系统用于从信息技术到光子学（激光器、传感器等）、5G 电信网络和包括量子计算领域的研究等众多应用。
用于粒子加速器应用的金属添加剂制造
金属添加剂制造技术正在迅速成为最苛刻的工业应用的先进技术投资组合中不可或缺的一部分。这些过程能够通过以逐层的方式沉积组成材料来制造具有近网状形状质量的三维组件。这种制造方法比常规制造方法具有许多优势，包括增强的设计灵活性，减少生产成本和交货时间，快速原型制作以及修复受损零件的可能性。近年来，对具有改善性能特征的新型加速器组件的需求不断增长，整合了诸如漂移管和内部冷却通道之类的结构，这促使了粒子加速器领域中添加剂制造的探索。播放频率组件，光束截距设备和真空系统已使用各种金属材料和添加剂制造技术进行了原型，证明了与初步测试中常规制造的对应物相当的性能水平。然而，在典型的加速器应用程序典型条件下，没有既定的资格协议以及添加性生产零件的不确定可靠性对将添加剂制造过程整合到这些组件的制造实践中构成了重大挑战。本文对粒子加速器中金属添加剂制造的记录应用进行了全面审查，突出了未来改进的收益，挑战和机会。还讨论了用于评估涉及超高真空和强烈电磁场的应用中的添加性制造组件的主要要求和可用的测试设置。
日期：11-02-2025邀请申请符合资格...
Nature of Work - Research and development - Design and development of laser spectroscopy set-up - Data recording and documentation of the research work - Critical analysis of the experimental results - Assist in any other associated experiment - Offline on campus physical presence is needed - Remote work not possible - Supervision and mentoring of interns - Attending meetings, workshops, conferences - Reporting of experimental data, observations and outcomes in the nature of peer-reviewed manuscripts - 有可能注册与项目相关的博士课程，以适当的表现，通过录取测试并满足物理学系，IIT Tirupati为博士学位课程所宣传的资格条件 - 教学责任和本科生和研究生的监督该选定的候选人将有机会在跨学科领域工作，以建立实验。其中一些是（但不限于）模拟；设计，制造，测试激光和光学领域的土著仪器，开发低噪声模拟和数字电子产品，开发基于FPGA的系统，超高真空，机械和软件开发，中性原子陷阱等。除了开发实验外，他们还必须对使用开源和/或专有软件实现实验目标所需的物理问题进行仿真和建模。开发一个完整的实验涉及多个工作包，并开发这些实验需要跨学科领域的专业知识。在实验室中，这可以通过以协作方式工作来实现。该工作应涉及应用于中性rubidium（RB）原子的激光冷却技术。它也将涉及精确激光光谱，
A2,4,12，X60120第1页，共6个IAC-20，...
在非常低的地球轨道（VLEO）中摘要，高度低于450 km，卫星的空气动力学特性主要取决于流动状态，游离分子流以及原子氧与飞船表面的相互作用。稀有的轨道空气动力学研究（Roar）设施是一种新型的实验设施，旨在模拟这些条件在受控环境中，以表征材料的空气动力学特性。它是Discoverer的一部分，这是一个Horizon 2020项目，开发了使卫星在VLEO中可持续运行所需的不同技术。由于咆哮并不打算进行侵蚀研究，因此在这项工作中讨论了其他原子氧气暴露实验及其特征。咆哮由一个超高真空系统组成，负责产生自由分子流量条件，轨道速度处的高温氧原子和质谱仪的来源；后者用于表征气体表面相互作用，因此是材料的空气动力学性能。本文包括对咆哮的主要成分的描述，以及用于材料测试和早期结果的实验方法。在要考虑的主要参数之间是原子氧通量，束形和能量扩散，质量分辨率和信号噪声比。关键字：原子氧，非常低的地球轨道，气体表面相互作用，游离分子流，真空，质谱。首字母缩写/缩写vleo vleo非常低的地球轨道原子氧咆哮稀有轨道空气动力学研究设施INMS离子与中性质谱仪1。简介