*通讯作者:托比亚斯·海因德尔(Tobias Heindel),柏林技术大学固态物理研究所,Hardenbergstraße36,10623柏林,德国,电子邮件:tobias.heindel@tu-berlin.de。https://orcid.org/0000-0003-1148-404x Lucas Rickert,Daniel A. Vajner,Martin von Helversen,Sven Rodt和Stephan Reitzenstein,固态物理学研究所lucas.rickert@tu-berlin.de(L。Rickert)。https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L.Rickert)。 https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A. vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L.Rickert)。https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A. vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A.vajner)。https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0002-9566-6635(Z.Niu)PawełWyborski,弗罗克瓦夫(Wroclaw)的实验物理学系,斯坦尼斯·威斯皮亚斯基(StanisławWyspiański)27,50-370-Poloclaw,poloclaw,poland,wroclaw Unive Science of Science of Science of Science of Science and Inive Science of Science and Inive Science of Science and Technology of Science of Science and Technoic丹麦技术大学电气和光子学工程系,2800,KGS,Lyngby,Denmark Grzegorzsęk和AnnaMusiał,AnnaMusiał,弗罗克瓦夫科学与技术大学实验物理系,StanisławWyspiański海岸,Poland,50-370 Wroclaw。
*通讯作者:托比亚斯·海因德尔(Tobias Heindel),柏林技术大学固态物理研究所,Hardenbergstraße36,10623柏林,德国,电子邮件:tobias.heindel@tu-berlin.de。https://orcid.org/0000-0003-1148-404x Lucas Rickert,Daniel A. Vajner,Martin von Helversen,Sven Rodt和Stephan Reitzenstein,固态物理学研究所lucas.rickert@tu-berlin.de(L。Rickert)。https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L.Rickert)。 https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A. vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L.Rickert)。https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A. vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A.vajner)。https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0002-9566-6635(Z.Niu)PawełWyborski,弗罗克瓦夫(Wroclaw)的实验物理学系,斯坦尼斯·威斯皮亚斯基(StanisławWyspiański)27,50-370-Poloclaw,poloclaw,poland,wroclaw Unive Science of Science of Science of Science of Science and Inive Science of Science and Inive Science of Science and Technology of Science of Science and Technoic丹麦技术大学电气和光子学工程系,2800,KGS,Lyngby,Denmark Grzegorzsęk和AnnaMusiał,AnnaMusiał,弗罗克瓦夫科学与技术大学实验物理系,StanisławWyspiański海岸,Poland,50-370 Wroclaw。
* 通讯作者:Tobias Heindel,柏林工业大学固体物理研究所,Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin, Germany,电子邮件:tobias.heindel@tu-berlin.de。https://orcid.org/0000-0003-1148-404X Lucas Rickert、Daniel A. Vajner、Martin von Helversen、Sven Rodt 和 Stephan Reitzenstein,柏林工业大学固体物理研究所,Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin, Germany,电子邮件:lucas.rickert@tu-berlin.de(L. Rickert)。https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L. Rickert)。https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(DA Vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838 (S. Reitzenstein) Kinga Żołnacz,弗罗茨瓦夫科技大学光学与光子学系,Wybrzeże Stanisława Wyspiańskiego 27, 50-370 Wroclaw, 波兰。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 刘汉清,李树伦,倪海桥,牛志川,中国科学院半导体研究所光电材料与器件重点实验室,北京 100083;中国科学院大学材料科学与光电工程中心,北京 100049,E-mail: zcniu@semi.ac.cn (Z. Niu)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H.刘)。 https://orcid.org/0000-0002-9566-6635 (Z. Niu) Paweł Wyborski,弗罗茨瓦夫科技大学实验物理系,Wybrzeże Stanisława Wyspiańskiego 27, 50-370 Wroclaw, 波兰;丹麦技术大学电气与光子工程系,2800,Kgs.,Lyngby,丹麦 Grzegorz Sęk 和 Anna Musiał,弗罗茨瓦夫科技大学实验物理系,Wybrzeże Stanisława Wyspiańskiego 27, 50-370 Wroclaw, 波兰。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G. Sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)
埋入管道的外部腐蚀很容易受到复杂的地下环境的影响,包括土壤电阻率,pH,溶解的离子浓度,水含量和涂料状态。因此,管道本质上是安全的,外部腐蚀速率预测至关重要。本文研究了浸入培养基对低碳钢制成的样品腐蚀速率的影响。采集样品并使用切割,研磨和清洁样品表面。由环氧基叠加材料产生的聚合物涂层,并用碳化硅颗粒(SIC),氧化锌粉(ZnO)和二氧化钛粉(TIO 2)增强。两个组件的混合比为3:1。在伊拉克的巴士拉省的油,巴士拉省的油田中浸入样品,以及使用硫酸(H2SO 4)和盐酸(HCL)作为腐蚀培养基。在硫酸和盐酸二氧化钛涂层的标本中获得了最低的腐蚀速率,分别为0.00009 mm/y和0.0001 mm/y。浸入硫酸的标本的重量损失高于浸入盐酸中的标本。
热导率和辐射特性的预测至关重要。然而,计算声子散射,尤其是对于四声子散射,可能非常昂贵,并且在考虑四光子散射后,硅的导热率显着较低,而在文献中没有融合。在这里,我们提出了一种使用最大似然估计的少量散射过程样本来估算散射速率的方法。散射速率和相关导热率和辐射特性的计算大大加速了三到四个数量级。这使我们能够使用32×32×32的前所未有的Q -MENS(在相互空间中离散的网格)来计算硅的四频散射并实现收敛的导热率值,从而同意实验更好。我们方法的准确性和效率使其非常适合对热和光学应用的材料进行高通量筛选。
摘要:研究氢在铜表面的解离吸附和复合脱附的动力学,使我们对表面化学有了原子级的理解,但迄今为止,通过实验确定这些过程的热速率(决定催化反应的结果)仍是不可能的。在这项工作中,我们使用反应动力学实验的数据确定了 200 至 1000 K 之间氢在 Cu(111) 上的解离吸附和复合脱附的热速率常数。与目前的理解相反,我们的研究结果表明,即使在高达 400 K 的温度下,量子隧穿仍然起着主导作用。我们还提供了 H 2 在 Cu(111) 上的反应势垒(0.619 ± 0.020 eV)和吸附能(0.348 ± 0.026 eV)的精确值。值得注意的是,热速率常数与基于环聚合物分子动力学新实现的表面反应第一原理量子速率理论高度一致,为使用可靠、高效的计算方法发现更好的催化剂铺平了道路。
腐蚀是材料与环境相互作用而产生的降解,对大多数金属而言,腐蚀是不可避免的 (Barbara et al., 2006)。腐蚀可以定义为金属与周围环境发生化学或电化学反应而产生的破坏性侵蚀。腐蚀是一种代价高昂的自然破坏过程,与地震等自然灾害非常相似 (Winston et al., 2008)。然而,与这些自然灾害不同,腐蚀可以通过适当的措施来控制或预防。金属腐蚀通常通过电化学机制发生,金属原子由于金属与环境之间形成的电路而被去除。此外,腐蚀也可能由于与气体发生反应或暴露于高温、细菌、辐射而发生,
本研究调查了升温速率和充电状态 (SoC) 对软包锂离子电池热失控的影响。热失控是锂离子电池的一个关键安全问题,会导致灾难性的故障和潜在的危害。通过系统地改变升温速率和 SoC 水平,我们分析了热失控事件的起始温度、反应动力学和严重程度。我们的研究结果表明,较高的升温速率会加速热失控的发生,缩短反应时间并增加热事件的严重程度。此外,由于储能增加和电解质分解,SoC 水平较高的电池表现出较低的起始温度和更剧烈的热失控反应。这些结果强调了控制升温速率和 SoC 对提高锂离子电池系统安全性和稳定性的重要性。这为开发更安全的电池管理系统和热安全协议提供了宝贵的见解。
这些速率仅是起点,根据血糖反应,开处方医生必须准备适应个体患者的胰岛素输注率。注意:在启动VRIII时,CBG落入目标范围可能需要3-6小时。胰岛素规模的调整,除非有明确的证据表明稳定改善。如果无法实现和维护目标范围,则应向糖尿病团队寻求建议。如果CBG读数不超出目标,请确保:
图1:Hebbian和稳态可塑性的概述。 (AI)神经网络活动由静态网络中的外部输入驱动。 (AII)Hebbian可塑性通过积极的反馈机制扩大了网络对外部输入的响应。 (AIII)稳态可塑性通过负面反馈机制恢复了设定的活动,这对于保持发射速率稳态至关重要。 (BI)HEBBIAN功能可塑性是突触特异性的,通过增强与神经激活有关的特定突触的重量来增强复发性连通性。 与特定于激活的突触(同性突触抑制)或邻居突触(异质突触抑制)相比,可以在同一激活的突触中诱导突触抑郁症相比,使用特定方案诱导突触抑郁症。 (BII)稳态突触缩放是细胞自主的,涉及对所有输入突触权重的成比例升级或降低降级,以响应神经活动的慢性变化。 (b)稳态结构可塑性也是通过补偿性脊柱损失在突触后神经元的慢性激发期间通过补偿性脊柱损失而产生的。 相反,慢性抑制会引起脊柱密度的发散,通常是非整体的变化。1:Hebbian和稳态可塑性的概述。(AI)神经网络活动由静态网络中的外部输入驱动。(AII)Hebbian可塑性通过积极的反馈机制扩大了网络对外部输入的响应。(AIII)稳态可塑性通过负面反馈机制恢复了设定的活动,这对于保持发射速率稳态至关重要。(BI)HEBBIAN功能可塑性是突触特异性的,通过增强与神经激活有关的特定突触的重量来增强复发性连通性。与特定于激活的突触(同性突触抑制)或邻居突触(异质突触抑制)相比,可以在同一激活的突触中诱导突触抑郁症相比,使用特定方案诱导突触抑郁症。(BII)稳态突触缩放是细胞自主的,涉及对所有输入突触权重的成比例升级或降低降级,以响应神经活动的慢性变化。(b)稳态结构可塑性也是通过补偿性脊柱损失在突触后神经元的慢性激发期间通过补偿性脊柱损失而产生的。相反,慢性抑制会引起脊柱密度的发散,通常是非整体的变化。
