心脏细胞电生理学的建模是系统生物学中最成熟的领域之一。这种扩展的研究工作集中的集中度带来了新的挑战,其中最重要的是选择哪种模型最适合解决特定的科学问题。在上一篇论文中,我们介绍了开发在线资源以在广泛的实验场景中对电生理细胞模型进行表征和比较的最初工作。在这项工作中,我们描述了我们如何开发了一种新颖的协议语言,使我们能够将数学模型的细节(大多数心脏细胞模型采用了普通微分方程的形式)与所模拟的实验协议分开。我们开发了一个完全开放的在线存储库(我们称为心脏电生理网络实验室),该存储库可以允许用户存储和比较将相同的实验协议应用于竞争模型的结果。在当前的论文中,我们描述了这项工作的最新和计划的扩展,重点是支持从实验数据中构建模型的过程。我们概述了开发一种可读性语言的必要工作,以描述从湿实验室数据集中推断参数的过程,并通过使用实验数据拟合HERG通道模型的详细示例来说明我们的方法。我们通过讨论在该领域取得进一步进步的未来挑战,以促进心脏细胞模型开发的完全可重现方法,以进一步的进步。©2018作者。由Elsevier Ltd.这是CC下的开放访问文章(http://creativecommons.org/licenses/4.0/)。
类器官通过在体外准确重现组织和肿瘤的异质性,为推动临床前研究和个性化医疗展现出巨大潜力。然而,缺乏标准化的癌症类器官培养方案阻碍了可重复性。本文全面回顾了当前与癌症类器官培养相关的挑战,并强调了该领域最近的多学科进展,特别关注肝癌类器官培养的标准化。我们讨论了导致技术差异的非标准化方面,包括组织来源、加工技术、培养基配方和基质材料。此外,我们强调需要建立可重复的平台,以准确保留母体肿瘤的遗传、蛋白质组学、形态学和药理学特征。在每个部分的末尾,我们的重点转移到原发性肝癌的类器官培养标准化。通过应对这些挑战,我们可以提高癌症类器官系统的可重复性和临床转化,从而使其在精准医疗、药物筛选和临床前研究中具有潜在应用。
中风是全球残疾和死亡的第二大主要原因,对个人,家庭和社会造成了沉重的负担(1)。中风后认知障碍(PSCI)包括对中风病变部位和中风前可能发生的缺陷的缺陷(2,3)。同时,视觉空间,注意力,助记符和执行功能的缺陷与经典的血管认知障碍(VCI)更加紧密相关,并且经常在冲程后认知筛查中检测到。越来越多地证明,重复的经颅磁刺激(RTMS)可以调节大脑区域的神经兴奋性(4),并且与其他非侵入性刺激技术相比,对认知功能具有较高的影响。但是,RTMS介导的认知功能改善的基础机制在很大程度上尚不清楚可能与血液因子密不可分。
引用:Shaurya Mahajan。等。“与经颅光生物调节(TPBM)相连的个性化重复经颅磁刺激(PRTMS®),用于共发生的创伤性脑损伤(TBI)和创伤后应激障碍(TBI)和创伤后应激障碍(PTSD)”。ACTA科学神经病学8.3(2025):20-27。
在65岁以上的人口中的患病率为2-3%。治疗是有症状的,并且集中在运动症状上,而患者也不受非运动症状(包括认知和情绪问题)的症状。情绪状态已显示出负面影响的生活质量和压力影响运动症状的水平。需要更少的副作用的替代药物也可以改善情绪和认知过程。氯胺酮和迷幻药先前证明可以改善心理健康和情绪,也已被证明可以积极影响免疫系统并增强神经可塑性,这是大脑形成新的神经联系和神经元的能力。在帕金森氏病动物模型(PD)中,已证明神经可塑性增强(BDNF)有助于多巴胺能神经元的生存,从而改善了多巴胺能神经传递和运动性能。最近,我们已经表明,在给药后6小时内,低剂量的LSD将BDNF水平升高。除了增加神经可塑性外,低剂量LSD还增加了积极的情绪,改善了与情绪处理有关的大脑区域的连通性以及提高注意力表现。氯胺酮已显示在抑郁症患者中具有快速的抗抑郁作用。特此提出了BDNF的增加,这是psilocybin和氯胺酮的正效应的基础。因此,提出了低剂量的psilocybin和氯胺酮,以减轻帕金森氏病患者的认知和情绪障碍。
在可靠性研究中,当使用阈值电压 (V th ) 作为指标时,阈值电压 (V th ) 的不稳定性会造成问题,因为它会完全模糊由于实际器件老化而导致的最终漂移。这种不稳定性是在电气特性测量期间观察到的,与晶体管的“偏置历史”有关,这会在结构的不同层中引入载流子捕获/去捕获。因此,需要新的方法来克服这种与捕获相关的不稳定性问题,以便准确监控器件老化。为了解决阈值电压测量的可重复性问题,我们研究了其在 GaN 晶体管上的不稳定性。研究了在实际 V th 测量之前应用的预处理步骤。所提出的预处理方法基于在栅极端子上应用专用的 V GS (t) 偏置,从而导致 V th 的稳定和可重复值。通过分析预处理的 V th 测量后的漏极泄漏测量,可以确定实现观察到的 V th 稳定性的机制。它展示了空穴注入结构的作用。提出预处理 V th 测量方法作为补充测量,以便在未来的可靠性研究中正确跟踪 pGaN HEMT 的老化。
在 GaN HEMT 的可靠性研究中,阈值电压 (V th ) 的波动对监测电漂移提出了挑战。虽然欧姆 p-GaN 等技术可以减轻 V th 波动,但可恢复电荷捕获的问题仍然存在。因此,在进行可靠性研究时采用新颖的特性分析方法至关重要,这样才能测量内在变化而不是即使在未退化的晶体管中也存在的电荷捕获效应。本文阐述的一种方法可以可靠且可重复地测量欧姆 p-GaN 栅极 HEMT GaN 的 V th 。在阈值电压测量之前立即引入专用的栅极偏置曲线以使其稳定。这个预处理阶段需要负偏置电压,然后再施加适当高的电压才能有效。所介绍的新协议也被证明适用于其他 HEMT GaN 结构。
摘要 - 先前的研究表明,只要SC期间消散的能量略低于给定阈值(所谓的临界能量),SI设备可以维持大量的短路(SC)事件。在本文中,我们表明,对于SIC MOSFET来说,这不一定是正确的,这只能承受一些此类SC事件。对重复性短路事件的这种低鲁棒性与氧化物中累积的载体注入和泄漏电流导致的栅极降解有关。为了确保在大量SC事件上进行安全操作,我们引入了一个新参数:“重复的临界能量”,该参数对应于SC能量足够低,以避免温度过高,以限制SC事件期间的瞬态门泄漏电流。在此重复的SC能量值之下,SIC设备能够维持大量SC事件(超过1000)。1。简介
图 1。描述运动排序和装袋程序的示意图。Shen 268 分割方案用于提取所有参与者的 fMRI 时间序列。执行清理时,如果其 rmsFD > 0.20 毫米,则在 fMRI 时间序列中识别出运动损坏的时间点 (T)。审查该时间点后,还会删除其前一个 (T – 1) 和两个后续 (T + 1, T + 2) 时间点。然后根据时间点的 rmsFD 值对其进行排序,并使用顶部 minTP 运动污染最少的时间点来计算功能连接(运动排序功能连接矩阵)。对于每个参与者,使用运动排序时间序列计算功能连接矩阵。使用清理后的时间序列执行装袋,方法是选择与预定义阈值(由 minTP 表示)匹配的受运动破坏最少的时间点(按其 rmsFD 值排序),并从 500 次迭代中的运动受限时间点中引导给定大小 TP 的样本(有替换地)并计算功能连接。对于每个参与者,平均装袋功能连接矩阵是通过对得到的 500 个功能连接矩阵(装袋功能连接矩阵)取平均值来计算的。
有时,我们通过应用简短的脉冲来建立您的“电动机阈值”来解决剂量。您的电动机阈值是使您的拇指抽搐的最小磁能量;这因人而异。我们将使用柔性定位臂将线圈放在目标区域上。