机构名称：
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摘要 - 先前的研究表明，只要SC期间消散的能量略低于给定阈值（所谓的临界能量），SI设备可以维持大量的短路（SC）事件。在本文中，我们表明，对于SIC MOSFET来说，这不一定是正确的，这只能承受一些此类SC事件。对重复性短路事件的这种低鲁棒性与氧化物中累积的载体注入和泄漏电流导致的栅极降解有关。为了确保在大量SC事件上进行安全操作，我们引入了一个新参数：“重复的临界能量”，该参数对应于SC能量足够低，以避免温度过高，以限制SC事件期间的瞬态门泄漏电流。在此重复的SC能量值之下，SIC设备能够维持大量SC事件（超过1000）。1。简介
电路操作：重复的临界能量
主要关键词
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