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World File Search System量子效率
绿色能源和传感器系统卓越中心印度工程科学技术学院，shibpur完整课程结构和
模块1：太阳能单元1半导体和连接的基础，P-N连接的I-V特征。太阳能电池结构，发光电流，光IV特性，太阳能电池参数，光谱响应和量子效率，串联电阻的影响和分流电阻对太阳能电池I-V特性的影响，温度和光强度的影响，阴影的影响，阴影的影响，损失，太阳能细胞中的损失。模块2：半导体中太阳能Cell-2生成重组的基本面； Shockley，阅读和大厅表达；表面和界面重组； Schockley-Queissser效率模块的极限-3：硅太阳能电池的生产，丝网印刷太阳能电池，掩埋的接触太阳能电池，高效率太阳能电池，后方接触太阳能电池。模块4：太阳能电池生产线硅源材料，晶片，清洁，纹理，扩散，等离子体隔离，抗反射涂层，屏幕上打印的前后触点，测试和模块制造模块5：测试和测量量的测试和测量量，测量太阳能电池效率，外部量子效率，IM量度，IM量度（EQE），i QE效率（EQE），EQE，EQE效率，EQE效率，EQE效率，EQE效率，EQE效率，EQE效率，EQE效率（EQE）量子效率分析，终生测量
降低了延长的期限LED的表面重组，朝向电致发冷却的Krabben，L.M。van der； Gruginskie，n。埃尔登（Eerden），马顿·范（Maarten Van）；
摘要：iii-v半导体发光二极管（LED）是证明电致发冷却的有前途的候选人。但是，异常高的内部量子效率设计对于实现这一目标至关重要。可以防止基于GAAS的设备中统一内部量子效率的重要损失机制是周长侧壁的非辐射表面重组。为了解决此问题，提出了非常规的LED设计，其中从中央电流注入区到设备周边的距离延长了，同时保持恒定的前触点网格大小。这种方法有效地将周长移动到电流密度10 1-10 2 A/cm 2的电流密度以外的横向扩散。在P - I-N GAAS/INGAP双重杂结LED中，用不同尺寸和周长扩展制造的LED，通过将外周向接触距离从250μm扩展到250μm的前触点尺寸，可实现19％的外部量子效率。利用内部开发的光子动力学模型，估计内部量子效率的相对相对增加为5％。这些结果归因于由于较低的周边面积（p/a）比，周长重组的重组显着降低。但是，与通过增加LED的前触点网格大小来降低P/A比相反，目前的方法可以改进这些改进，而不会影响前触点网格下显微镜活性LED所需的最大电流密度。这些发现有助于在LED中进行电致发冷却的进步，并可能在其他专用的半导体设备中有用，在这些专用的半导体设备中，在外围重组是限制的。关键字：电致发冷却（ELC），微型LED（发光二极管），III-V半导体，电流扩散，周边重组，表面钝化
量子传感器用于HEP
X射线具有低于10 KEV的能量的X射线具有较弱的穿透能力，因此，只有几微米的厚度的黄金或二晶型X射线可以保证高于70％的量子效率。因此，可以使用微加工过程实现TES X射线检测器的整个结构。但是，对于从10 keV到200 keV的X射线或γ射线，需要使用微分化过程来实现亚毫升吸收层。本文首先简要介绍了一组TES X射线检测器及其辅助系统，然后专注于基于亚毫米型铅荷合金球的吸收剂的TESγ-Ray检测器的引入。检测器在100 keV附近达到了70％以上的量子效率，在59.5 keV时的能量分辨率约为161.5 eV。
![arxiv：2407.20160v3 [physics.optics] 2024年10月30日](/simg/2\2604e6cb2518d42a99c88eb75168a6d779075a26.webp)
arxiv：2407.20160v3 [physics.optics] 2024年10月30日
六角形硝酸硼（HBN）中的颜色中心有利地结合了出色的光物理特性，并具有在高度紧凑的设备中积分的潜力。朝着可扩展集成的进展需要高量子效率和有效的光子收集。在这种情况下，我们比较了在两个不同的电磁环境中由电子辐照产生的单个HBN颜色中心的光学特征。我们跟踪我们在去角质晶体干燥之前和之后表征的良好识别发射器。此比较提供了有关其量子效率的信息 - 我们发现它们接近统一 - 以及它们在晶体中具有纳米精度的垂直位置，我们从薄片表面上发现了它们。我们的工作建议混合介电 - 金属平面结构是一个有效的量子发射器的有效工具，除了提高计数速率外，还可以在2D材料或平面光子结构中推广到其他发射器。
NEA-GAAS的光发射特性
我们已经研究了通过重复热预处理和负电子亲和力（NEA）激活周期制备的GAAS表面的光发射特性。表明，光发射效率随预处理序列发生了巨大变化。我们已经用两个具有不同量子效率的GAAS样品讨论了光发射特性，并发现量子效率随预处理序列的变化与量子效率的绝对值无关。此结果表明电子的发电和传递和发射是独立的过程。我们还讨论了新型的NEA激活方法，该方法有望改善光发射特性。I.引言碱金属在半导体表面上的吸附是从科学和实践的角度来看的重要系统，并且多年来已经对许多人进行了研究。例如，当电子亲和力的GaAS半导体大约为4 eV，因为大量条件会通过CS的交替供应和O 2（或NF 3）的交替激活，其表面的真空水平位于大量导带以下，并且该条件定义为负电子亲和力（NEA）。当光子能量在GAAS带隙能（E G = 1.4 eV）附近的激发灯照亮表面时，Valence Electron会激发到最小的传导带，并可以轻松逃脱到真空中。NEA-GAA具有很大的优势，例如自旋极化，低发射率，短束和高量子效率（QE）电子束，并且NEA-GAAS表面已被用作1970年代1的加速器的光（1）。碱金属在GAAS表面上的吸附已被广泛应用于各种场，但尚未详细阐明其吸附结构和光发射机制。将光发射过程的定性或现象学解释提出为Spicer的三个步骤模型2），并且吸附结构由多种模型（例如Hetero Junction，cluster或偶极模型3,4）预测。很难用碱金属和氧原子的几个单层观察到实际的NEA结构，因为在真空中，热环境和残留气体很容易降解NEA-GAAS表面。这些结构变化降低了NEA-GAAS光电的性能。最后，我们将简要提出新型的NEA激活方法。有可能改善光发性属性。
标题：基于超材料的单光子发射器摘要
标题：基于超材料的单光子发射器 摘要：能够按需工作（即触发时发射）的单光子发射器对于量子信息处理的实际实施至关重要。对于高效的单光子发射器，需要优化包括量子效率和收集效率在内的整体效率。研究了量子点或纳米粒子等 2 级系统的固态等效物以及纳米金刚石、SiC 等材料中的色心作为嵌入不同宿主的偶极子发射器。为了获得更高的量子效率，必须操纵宿主介质中的光子局部态密度以实现最大 Purcell 因子。进一步的设计需要将光子有效地耦合到远场，通常是空气或光纤。在本次演讲中，我将介绍光子晶体微腔中的偶极子发射器以及超材料，以提高它们在特定方向上的整体发射效率。
化学调谐的中间带态在原子薄的Cuxgese/sns量子材料中用于光伏应用
在原子上薄的二维GESE/SNS异质结构的界面处设计了从插入的杂种原子（例如Cu）衍生成的量子材料，并设计了其光电特征，以用于下一代光伏应用。先进的AB始于建模表明，多体效应诱导中间带（IB）状态，子带差距（〜0.78和1.26电子伏特）是下一代太阳能设备的理想选择，这有望比Shockley-Queisser的效率大于〜32％。整个异质结的电荷载体在空间上均具有能量和自发限制，从而降低了非辐射重组并提高量子效率。在太阳能电池中使用这种IB材料可增强在近红外至可见光范围内的吸收和载体的产生。调整活性层的厚度在大于600 nm的波长下增加光活性，在宽太阳波长范围内达到了〜190％的外部量子效率，从而强调了其在高级光伏技术中的潜力。
科学期刊
在原子上薄的二维GESE/SNS异质结构的界面处设计了从插入的杂种原子（例如Cu）衍生成的量子材料，并设计了其光电特征，以用于下一代光伏应用。先进的AB始于建模表明，多体效应诱导中间带（IB）状态，子带差距（〜0.78和1.26电子伏特）是下一代太阳能设备的理想选择，这有望比Shockley-Queisser的效率大于〜32％。整个异质结的电荷载体在空间上均具有能量和自发限制，从而降低了非辐射重组并提高量子效率。在太阳能电池中使用这种IB材料可增强在近红外至可见光范围内的吸收和载体的产生。调整活性层的厚度在大于600 nm的波长下增加光活性，在宽太阳波长范围内达到了〜190％的外部量子效率，从而强调了其在高级光伏技术中的潜力。
在线研究 @ Cardiff - Orca
A：脉冲模式。b：恒定模式。c：打开时间：达到最大亮度的时间。D：生命周期：达到最大亮度的50％的时间。e：总发射能量：根据设备的辐射通量的整合而计算得出的时间从t = 0（偏置应用）到t = t = t 1/5。f：外部量子效率：每个注射电子发射光子的比率。
GSPRINT5514BSI 产品传单
GSPRINT5514BSI 具有 4608 x 3072 像素，每个像素为 5.5 µm 见方 - 4/3 宽高比 4k 传感器，与 APS-C 光学元件兼容。GSPRINT5514BSI 具有 10 位输出，可实现每秒 670 帧。在 12 位模式下，传感器输出 350 fps。使用背面照明技术，对于 UV 应用，传感器在 510 nm 处实现 86% 的量子效率，在 200 nm 处实现 17% 的量子效率。该传感器提供双增益 HDR 读出，最大限度提高 15 ke- 满阱容量，最小 < 2.0 e- 噪声，实现出色的 78.3 dB 动态范围。模拟 1x2 合并将满阱容量增加到 30 ke-。图像数据通过 84 个 sub-LVDS 通道以 1.2 Gbps 的速度输出。对于不需要最大帧速率的应用，可以使用多路复用模式将输出通道数减少 2 的任意倍数。GSPRINT5514BSI 有单色或彩色版本，配有密封或可拆卸盖玻片，并采用 454 针 µPGA 封装。