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我们已经研究了通过重复热预处理和负电子亲和力（NEA）激活周期制备的GAAS表面的光发射特性。表明，光发射效率随预处理序列发生了巨大变化。我们已经用两个具有不同量子效率的GAAS样品讨论了光发射特性，并发现量子效率随预处理序列的变化与量子效率的绝对值无关。此结果表明电子的发电和传递和发射是独立的过程。我们还讨论了新型的NEA激活方法，该方法有望改善光发射特性。I.引言碱金属在半导体表面上的吸附是从科学和实践的角度来看的重要系统，并且多年来已经对许多人进行了研究。例如，当电子亲和力的GaAS半导体大约为4 eV，因为大量条件会通过CS的交替供应和O 2（或NF 3）的交替激活，其表面的真空水平位于大量导带以下，并且该条件定义为负电子亲和力（NEA）。当光子能量在GAAS带隙能（E G = 1.4 eV）附近的激发灯照亮表面时，Valence Electron会激发到最小的传导带，并可以轻松逃脱到真空中。NEA-GAA具有很大的优势，例如自旋极化，低发射率，短束和高量子效率（QE）电子束，并且NEA-GAAS表面已被用作1970年代1的加速器的光（1）。碱金属在GAAS表面上的吸附已被广泛应用于各种场，但尚未详细阐明其吸附结构和光发射机制。将光发射过程的定性或现象学解释提出为Spicer的三个步骤模型2），并且吸附结构由多种模型（例如Hetero Junction，cluster或偶极模型3,4）预测。很难用碱金属和氧原子的几个单层观察到实际的NEA结构，因为在真空中，热环境和残留气体很容易降解NEA-GAAS表面。这些结构变化降低了NEA-GAAS光电的性能。最后，我们将简要提出新型的NEA激活方法。有可能改善光发性属性。
NEA-GAAS的光发射特性
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