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World File Search System钝化层
使用 2D Dion–Jacobson 钝化层稳定无机钙钛矿太阳能电池
无机金属卤化物钙钛矿（如 CsPbI 3）有望成为高性能、可重复且坚固的太阳能电池。然而，无机钙钛矿对湿度敏感，这会导致从黑色相转变为黄色𝜹非钙钛矿相。这种相不稳定性对长期运行稳定性构成了重大挑战。本文报道了一种表面降维策略，使用 2-(4-氨基苯基)乙胺阳离子构建 Dion-Jacobson 2D 相，覆盖 3D 无机钙钛矿结构的表面。Dion-Jacobson 层主要生长在钙钛矿的晶界，有效钝化表面缺陷并提供有利的界面电荷转移。所得无机钙钛矿薄膜在浸没在水溶液（异丙醇：水 = 4:1 v/v）中并暴露于 50% 湿度的空气环境中时表现出优异的抗湿性。 Dion–Jacobson 2D/3D 无机钙钛矿太阳能电池 (PSC) 实现了 19.5% 的功率转换效率 (PCE)，Voc 为 1.197 eV。在 1.2 倍太阳光照下进行 1260 小时的最大功率点跟踪后，其保留了其初始 PCE 的 83%。这项工作展示了一种稳定高效无机钙钛矿太阳能电池的有效方法。
硅光伏超薄钝化层的电子特性
钝化接触迄今已取得一些成功，最有力的候选者是薄氧化硅层上的多晶硅（例如隧道氧化物钝化接触 (TOPCon) 或氧化物上的多晶硅 (POLO)）和非晶硅 (a-Si) 异质结。[3,7,8] TOPCon 是一种高效的电子选择接触，但具有较高的热预算，需要大约 900°C 的温度才能将接触电阻率降低到可接受的水平。[9] 一种可以匹配或超过当前电子选择材料性能的高效空穴选择层将引起相当大的兴趣。迄今为止，使用 SiO 2 为基础的空穴选择接触未能达到同等水平。[10,11] 最有前途的空穴选择接触材料是 p 型 a-Si 和富硅 SiC，但传统的高温 Ag 丝网印刷方法不一定与此类接触兼容。[10]
高-K钝化层对off- ...
砷化甘氨酸（GAAS）是具有高饱和电子速度和高电子迁移率的III-V化合物半导体材料，其电气性能远高于硅材料，该材料已广泛用于高频设备中[5]。GAAS的HEMT正在成为RF组件的最有希望的候选者，例如下一代商业无线通信系统的低噪声或功率放大器[7]。随着新的外延技术和纳米门光刻的开发，基于20 nm GAAS的HEMT设备的最大振荡频率（F MAX）达到了1270 GHz [8]。此外，最大的可用GAAS晶圆可能高达6英寸，这可以降低设备制造成本并进一步促进基于GAA的HEMT设备的广泛使用[5]。但是，当设备应用于各种产品时，可靠性将成为必须解决的最明显问题之一。崩溃电压不仅是影响可靠性的重要因素之一，而且是设备在高功率中的应用。
自对准氧化铜钝化层——可靠性影响研究
用电迁移应力法研究了具有自对准氧化铜钝化层的等离子刻蚀铜线的可靠性。通过等离子氧化制备氧化钝化层，覆盖整个裸露的铜线，防止环境条件下表面氧化。空洞的形成和生长过程反映了线路断线机理。用光学显微镜监测了由晶界耗尽和晶粒变薄形成的空洞，测量了线路故障时间与线宽和电流密度的关系。增加氧化钝化层会缩短寿命，因为传热和铜扩散不良会加速空洞的形成和生长。窄线比宽线具有更长的寿命，因为晶界较少，可供磁通发散形成空洞
在...中创建 pn 结和钝化层
西里西亚理工大学，机械工程学院，工程与生物医学材料研究所，材料加工技术和材料科学计算机技术系电子邮件：marzena.prokopiuk@polsl.pl，leszek.dobrzanski@polsl.pl，aleksandra.drygala@polsl.pl，anna.tomiczek@polsl.pl 摘要：硅是并且将继续是光伏电池生产中使用的基本元素。硅电池占光伏产业80%以上，光伏产业是近年来增长最快的产业之一，其增长动力堪比微电子产业初期的发展。硅光伏电池的基本元件是pn结，它是通过在掺杂气氛中对p型硅进行退火而获得的。为了减少表面复合造成的损失，需要进行钝化处理，可以通过氧化Si表面或沉积SiO 2 层来实现。摘要：硅现在是、现在仍然是光伏电池生产中必不可少的元素。硅电池占光伏产业80%以上，光伏产业是近年来增长最快的产业之一，其增长力度堪比微电子产业繁荣初期的发展。硅太阳能电池的基本元件是pn结，它是通过在掺杂的气氛中加热p型硅获得的。为了减少表面复合造成的损失，通过氧化Si表面或沉积SiO2层来钝化硅表面。关键词：硅光伏电池，pn 结，钝化层 1.引言 臭氧空洞、温室效应和酸雨是现代世界最严重的生态问题，威胁着健康和生命。其原因包括：大量燃烧煤和石油等化石燃料。解决这些问题的关键是可再生能源技术的发展。人们对利用太阳辐射能发电非常感兴趣。由于运行成本低且操作简单，光伏装置非常适合为住宅和商业设施提供能源。