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砷化甘氨酸（GAAS）是具有高饱和电子速度和高电子迁移率的III-V化合物半导体材料，其电气性能远高于硅材料，该材料已广泛用于高频设备中[5]。GAAS的HEMT正在成为RF组件的最有希望的候选者，例如下一代商业无线通信系统的低噪声或功率放大器[7]。随着新的外延技术和纳米门光刻的开发，基于20 nm GAAS的HEMT设备的最大振荡频率（F MAX）达到了1270 GHz [8]。此外，最大的可用GAAS晶圆可能高达6英寸，这可以降低设备制造成本并进一步促进基于GAA的HEMT设备的广泛使用[5]。但是，当设备应用于各种产品时，可靠性将成为必须解决的最明显问题之一。崩溃电压不仅是影响可靠性的重要因素之一，而且是设备在高功率中的应用。
高-K钝化层对off- ...
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