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细间距微铟凸块互连倒装芯片键合
铟凸点阵列在量子计算中的应用越来越广泛，因为其对共面性和键合线厚度控制以及高质量电气互连的要求非常严格，红外焦平面阵列 (IR FPA) 显示出对更高分辨率的持续追求，这意味着更小的凸点、更高的密度和更大的表面积，最后，消费市场对 µLED 或 Micro LED 的需求越来越大，这意味着细间距铟互连需要更高的吞吐量。
垂直网格间距对图标 - 苏普郡全球风暴分辨模型中的气候的影响
摘要。与耦合模型对立面项目（CMIP）中通常使用的气候模型相比，全球风暴解析模型（GSRMS）使用强烈的水平网格，但采用了可比的垂直网格间距。在这里，我们研究了垂直网格间距的变化以及对整合时间步骤的调整如何影响图标 - 苏普郡大气GSRM模拟的基本气候数量。在45 d期间对五个不同的垂直网格进行进行模拟，分别为55至540个垂直层和最大对流层垂直网格间距，分别为800至50 m。 将垂直网格间距变化的影响与将水平网格间距从5公里降低到2.5 km的效果。 对于所考虑的大多数数量，将垂直网格间距减半比将水平网格间距减半的效果较小，但不可忽略。 垂直网格间距的每个截止时间，以及时间步长的必要减少，将云液体水增加约7％，而将水平网格间距减半约为16％。 效果既是由于垂直网格的修复和时间步长还原引起的。 在这里测试的网格间距范围内没有收敛的趋势。 云冰的数量也很折磨，并在垂直网格中进行了重新编写，但几乎不受时间步长的影响，并且确实显示出趋势进行模拟，分别为55至540个垂直层和最大对流层垂直网格间距，分别为800至50 m。将垂直网格间距变化的影响与将水平网格间距从5公里降低到2.5 km的效果。对于所考虑的大多数数量，将垂直网格间距减半比将水平网格间距减半的效果较小，但不可忽略。垂直网格间距的每个截止时间，以及时间步长的必要减少，将云液体水增加约7％，而将水平网格间距减半约为16％。效果既是由于垂直网格的修复和时间步长还原引起的。在这里测试的网格间距范围内没有收敛的趋势。云冰的数量也很折磨，并在垂直网格中进行了重新编写，但几乎不受时间步长的影响，并且确实显示出趋势
X 射线布拉格衍射 - 测量 NaCl 中的晶面间距 Darrel Smith 博士 1
产生 X 射线的第一步是通过 25-35 kV 的大电位差加速电子。当电子撞击钼靶时，它们会通过称为轫致辐射（断裂辐射）的过程减速。当小质量带电粒子（例如电子）经过大质量带电粒子（例如钼原子核）附近时，就会产生 X 射线。电子通过多次散射原子核而快速减速，从而导致发射多条 X 射线，在极少数情况下，当电子将其所有动能都交给单个原子核时，会发射出一条高能 X 射线。最后一个过程对应于 X 射线能谱的终点能量，这可通过查看图 2 中所示的光谱左端来观察。钼表面（阳极）与入射电子束成一定角度，以利于在特定方向产生 X 射线。图 2 显示了钼靶的能量谱。距离其产生点不远处是一个准直管，它允许一条狭窄的水平 X 射线带通过，到达结晶的 NaCl 靶。当 NaCl 靶（搁置在测角仪上）相对于入射 X 射线的角度倾斜刚好正确（θ）时，就会发生建设性干涉，并且在位于 2 θ 角的盖革-穆勒管中可以观察到增加的计数率（计数/秒）。如图 3 所示。
用于超细间距 3D 封装的先进无卤有机层压板的可靠性研究
高 I/O 密度和绿色材料是倒装芯片和 3D IC 封装用封装基板的两大主要驱动力。未来的有机层压基板将需要 5-25 µ m 的线宽和间距以及 50-100 µ m 的封装通孔 (TPV) 间距。这种超细间距要求将因电化学迁移和导电阳极丝 (CAF) 而导致严重的基板故障。因此，有必要开发新型无卤材料并研究其在超细间距应用中的可靠性。这项工作主要集中在四个领域：1) 先进的无卤材料，2) 细线宽和间距中的表面绝缘电阻 (SIR)，3) 细间距 TPV 中的导电阳极丝 (CAF)，以及 4) 倒装芯片互连可靠性。本研究选择的基板材料包括在聚合物主链上加入无卤阻燃剂的树脂配方。在具有 50 µm 间距铜线的基板上研究了 SIR，并在具有 150 µm 和 400 µm 间距 TPV 的基板上研究了 CAF。在这两项测试中，都观察到无卤基板与溴化 FR-4 相比表现出更好的电化学迁移阻力。通过对测试基板进行热循环测试 (TCT)、无偏高加速应力测试 (U-HAST) 和高温存储 (HTS) 测试来研究倒装芯片可靠性。在每次可靠性测试后都进行扫描声学显微镜 (C-SAM) 分析和电阻测量。测试基板分别通过了 200 小时的 HTS、96 小时的 HAST 和 2000 次 TCT 循环。倒装芯片可靠性结果表明，这些材料有可能取代传统的卤化基板用于高密度封装应用。关键词：无卤素基板、表面绝缘电阻、导电阳极丝、倒装芯片可靠性 简介 电子产品向无卤素材料的转变始于 1994 年德国通过的《二恶英法》。从那时起，欧盟 (EU) 制定的生态标签成为印刷线路板采用无卤素材料的驱动力。卤素通常添加到 PWB 中使用的聚合物玻璃复合材料中以达到阻燃效果。然而，卤素材料在特定的燃烧条件下会形成多溴二苯并二恶英 (PBDD) 和多溴二苯并呋喃 (PBDF)，这会对环境和健康造成严重风险。在这方面，无卤材料比卤素材料优越得多，并且在回收过程中也很有用 [1]。印刷电路板研究所
对改变转录因子间距的自然插入和缺失的系统分析可识别耐受性和敏感的转录
基因表达的抽象调节需要在启动子和增强子上对序列特异性转录因子（TFS）的联合结合。先前的研究表明，TF结合位点之间间距的改变会影响启动子和增强子活性。然而，由于自然发生的插入和删除（Indels）导致的TF间距改变的重要性尚未系统地分析。为了解决这个问题，我们首先表征了通过ChIP-Seq（Chro-Matin免疫沉淀测序）确定的人类K562细胞中73 TF的全基因组间距关系。我们发现了协作因素之间放松的间距的主要模式，其中包括45个TFS专门与其结合伴侣展示了放松的间距。接下来，我们利用了遗传多样的小鼠菌株和人个体提供的数百万个indels来研究间距改变对TF结合和局部组蛋白乙酰化的影响。这些分析表明，与直接影响TF结合位点的遗传变异相比，通常可以容忍自然存在的插入的间距改变。为了实验验证这一预测，我们在巨噬细胞系中的六个内源基因组基因座上引入了PU.1和C/EBPβ结合位点之间的合成间距改变。在这些位置，PU.1和C/EBPβ的合作结合明显，可耐受的间距的变化范围从5 bp增加到> 30 bp的降低。总的来说，这些发现对理解增强子选择的机制以及对非编码遗传变异的解释具有影响。
RA2E1 组数据表 | Renesas
■ 工作温度和封装 ● Ta = -40℃ 至 +85℃ – 64 引脚 LQFP（14 mm × 14 mm，间距 0.8 mm） – 64 引脚 LQFP（10 mm × 10 mm，间距 0.5 mm） – 64 引脚 BGA（4 mm × 4 mm，间距 0.4 mm） – 48 引脚 LQFP（7 mm × 7 mm，间距 0.5 mm） – 48 引脚 HWQFN（7 mm × 7 mm，间距 0.5 mm） – 36 引脚 LGA（4 mm × 4 mm，间距 0.5 mm） – 32 引脚 LQFP（7 mm × 7 mm，间距 0.8 mm） – 32 引脚 HWQFN（5 mm × 5 mm，间距 0.5 mm） – 25 引脚 WLCSP（2.14 mm × 2.27 mm，0.4 mm 间距） ● Ta = -40℃ 至 +105℃ – 64 引脚 LQFP（14 mm × 14 mm，0.8 mm 间距） – 64 引脚 LQFP（10 mm × 10 mm，0.5 mm 间距） – 64 引脚 BGA（4 mm × 4 mm，0.4 mm 间距） – 48 引脚 LQFP（7 mm × 7 mm，0.5 mm 间距） – 48 引脚 HWQFN（7 mm × 7 mm，0.5 mm 间距） – 36 引脚 LGA（4 mm × 4 mm，0.5 mm 间距） – 32 引脚 LQFP（7 mm × 7 mm，0.8 mm 间距） – 32 引脚 HWQFN（5 mm × 5 mm，0.5 mm 间距） – 25 引脚 WLCSP（2.14 mm × 2.27 mm，0.4 mm 间距）
28nm 技术的 3D TSV 中介层和细间距焊料微凸块的质量和可靠性
随着互连密度不断缩小，以及制造更细间距基板的成本不断上升，使用传统有机堆积基板的倒装芯片封装在细间距布线方面面临着重大挑战。为了满足这些需求，TSV 中介层应运而生，成为一种良好的解决方案 [1-3]。TSV 中介层提供高布线密度互连，最大限度地减少 Cu/低 k 芯片与铜填充 TSV 中介层之间的热膨胀系数 (CTE) 失配，并由于芯片到基板的互连更短而提高电气性能。TSV 中介层晶圆是通过在硅晶圆上蚀刻通孔并用金属填充通孔来制造的。业界常用的两种 TSV 方法涉及“先通孔/中通孔”和“后通孔”工艺流程。本文中的工作使用“先通孔/中通孔”流程，因为它提供了互连密度的最大优势。通常，使用深反应离子蚀刻 (DRIE) 工艺蚀刻 TSV 通孔以形成高纵横比通孔。 TSV 的直径通常为 10-20 微米，深度为 50-100 微米。TSV 的壁衬有 SiO2 电介质。然后，形成扩散屏障和铜种子层。通过电化学沉积用铜填充通孔。使用化学机械抛光/平坦化 (CMP) 去除铜覆盖层。使用标准后端制造工艺在中介层顶部形成 M1 – Mx 的互连线。中介层顶部涂有钝化层并形成微凸块焊盘。
引线键合技术大辩论：球形键合与楔形键合
图 2：典型球/月牙互连的简化表示 自动引线键合机于 20 世纪 80 年代初推出。当时，大多数互连都是使用铝线制作的。随着对高可靠性需求的增加，金线变得更加普遍。随着封装密度的增加，引线互连键合间距减小。细间距的初始解决方案是楔形键合，因为楔形工具设计允许将引线紧密键合（并排）。 细间距互连 在更小的空间内封装更多元件的需求导致 ASIC 设计变得更加密集。人们曾认为，互连细间距封装的最佳方法是通过楔形键合。在 20 世纪 90 年代后期，典型的键合间距从约 110µm 减小到约 90µm。在此期间，平均楔形工具尖端大约是球键合毛细管工具尖端宽度的三分之一。毛细管材料缺乏支持细间距工艺的稳健性。从那时起，改进的材料使细间距设计成为可能，其中尖端尺寸小于 70µm 的情况并不罕见。更小的特征、更高的密度和更多的 I/O 需要细间距。在当今的细间距环境中，任何使用楔形键合机键合的设备都可以使用球焊设备更快地键合。图 3 和图 4 描绘了使用 1.0 mil 导线通过球焊互连的 55µm 细间距架构。
HEC-RAS 2D 网格细化
• 计算缓冲区内的所有点均被移除。 • 沿着断线的一侧均匀添加单元格。 • 点移除的缓冲区计算如下：近间距 * 近重复 + 近间距大小翻倍 n 次，直到达到远间距大小（但是，取最后一个单元格大小的 75%，以免删除得太远）