此外,通过实施新的关键要素和绩效要求,“确保[SES官员对总统和美国人民都适当责任的新绩效标准。这些新的关键要素和绩效要求评估了高级高级主管是否忠实地管理法律和总统的政策;高级主管是否维持建立原则,包括法律规定的平等和民主自治;高级主管是否表现出与总统的具体政策议程相吻合并提高与之保持一致的具体结果;以及高级主管和高级高管机构在评估总统管理议程,代理商战略计划,国会预算合理/年度绩效计划以及其他组织计划文件时的可衡量结果。
在不同类型的电池中,锂离子电池因其性能和安全特性而成为最受欢迎的类型。需要电池管理系统来从这种电池中获得便捷的性能并尽可能延长电池的使用寿命。因此,良好的电池管理系统需要一个准确的电池模型。在本研究中,以代表开路电压变化的新一代汽车合作伙伴 (PNGV) 等效电路电池模型为基础,并基于 PNGV 等效电路电池模型创建分数阶电池模型。创建电池模型后,最重要的主题之一是模型参数的确定。在此阶段,为了简化问题,使用分层方法将测量的电池数据集划分为子层,并通过对每个子层进行分析和数据提取来确定参数,以反映不同的充电状态水平。这种方法有助于获得准确的电池模型,在每个电流脉冲期间,稳态误差小于 5 mV,瞬态误差小于 30 mV。
经历了不寻常的现场诱导的过渡到另一个高场SC状态的不寻常的野外过渡,从低于t o = 0.55 k的未知有序状态出现了,而已知ce-4 f的阶段是阶段的阶段。 在这里,我们报告了CERH 2中的磁性和SC特性的MUON自旋松弛(µSR)研究,为2个在低温下的2个单晶。 ,我们通过识别下方的自发内部场来揭示了阶序的磁起源。此外,我们发现局部磁性具有大量超导性的局部磁性的证据。 我们的发现打开了阶段涉及偶极子和高阶CE-4 F矩自由度的可能性,并解释了异常的非Fermi液体行为。经历了不寻常的现场诱导的过渡到另一个高场SC状态的不寻常的野外过渡,从低于t o = 0.55 k的未知有序状态出现了,而已知ce-4 f的阶段是阶段的阶段。 在这里,我们报告了CERH 2中的磁性和SC特性的MUON自旋松弛(µSR)研究,为2个在低温下的2个单晶。 ,我们通过识别下方的自发内部场来揭示了阶序的磁起源。此外,我们发现局部磁性具有大量超导性的局部磁性的证据。 我们的发现打开了阶段涉及偶极子和高阶CE-4 F矩自由度的可能性,并解释了异常的非Fermi液体行为。经历了不寻常的现场诱导的过渡到另一个高场SC状态的不寻常的野外过渡,从低于t o = 0.55 k的未知有序状态出现了,而已知ce-4 f的阶段是阶段的阶段。 在这里,我们报告了CERH 2中的磁性和SC特性的MUON自旋松弛(µSR)研究,为2个在低温下的2个单晶。 ,我们通过识别下方的自发内部场来揭示了阶序的磁起源。此外,我们发现局部磁性具有大量超导性的局部磁性的证据。 我们的发现打开了阶段涉及偶极子和高阶CE-4 F矩自由度的可能性,并解释了异常的非Fermi液体行为。经历了不寻常的现场诱导的过渡到另一个高场SC状态的不寻常的野外过渡,从低于t o = 0.55 k的未知有序状态出现了,而已知ce-4 f的阶段是阶段的阶段。 在这里,我们报告了CERH 2中的磁性和SC特性的MUON自旋松弛(µSR)研究,为2个在低温下的2个单晶。 ,我们通过识别下方的自发内部场来揭示了阶序的磁起源。此外,我们发现局部磁性具有大量超导性的局部磁性的证据。 我们的发现打开了阶段涉及偶极子和高阶CE-4 F矩自由度的可能性,并解释了异常的非Fermi液体行为。经历了不寻常的现场诱导的过渡到另一个高场SC状态的不寻常的野外过渡,从低于t o = 0.55 k的未知有序状态出现了,而已知ce-4 f的阶段是阶段的阶段。 在这里,我们报告了CERH 2中的磁性和SC特性的MUON自旋松弛(µSR)研究,为2个在低温下的2个单晶。 ,我们通过识别下方的自发内部场来揭示了阶序的磁起源。此外,我们发现局部磁性具有大量超导性的局部磁性的证据。 我们的发现打开了阶段涉及偶极子和高阶CE-4 F矩自由度的可能性,并解释了异常的非Fermi液体行为。经历了不寻常的现场诱导的过渡到另一个高场SC状态的不寻常的野外过渡,从低于t o = 0.55 k的未知有序状态出现了,而已知ce-4 f的阶段是阶段的阶段。 在这里,我们报告了CERH 2中的磁性和SC特性的MUON自旋松弛(µSR)研究,为2个在低温下的2个单晶。 ,我们通过识别下方的自发内部场来揭示了阶序的磁起源。此外,我们发现局部磁性具有大量超导性的局部磁性的证据。 我们的发现打开了阶段涉及偶极子和高阶CE-4 F矩自由度的可能性,并解释了异常的非Fermi液体行为。经历了不寻常的现场诱导的过渡到另一个高场SC状态的不寻常的野外过渡,从低于t o = 0.55 k的未知有序状态出现了,而已知ce-4 f的阶段是阶段的阶段。 在这里,我们报告了CERH 2中的磁性和SC特性的MUON自旋松弛(µSR)研究,为2个在低温下的2个单晶。 ,我们通过识别下方的自发内部场来揭示了阶序的磁起源。此外,我们发现局部磁性具有大量超导性的局部磁性的证据。 我们的发现打开了阶段涉及偶极子和高阶CE-4 F矩自由度的可能性,并解释了异常的非Fermi液体行为。经历了不寻常的现场诱导的过渡到另一个高场SC状态的不寻常的野外过渡,从低于t o = 0.55 k的未知有序状态出现了,而已知ce-4 f的阶段是阶段的阶段。 在这里,我们报告了CERH 2中的磁性和SC特性的MUON自旋松弛(µSR)研究,为2个在低温下的2个单晶。 ,我们通过识别下方的自发内部场来揭示了阶序的磁起源。此外,我们发现局部磁性具有大量超导性的局部磁性的证据。 我们的发现打开了阶段涉及偶极子和高阶CE-4 F矩自由度的可能性,并解释了异常的非Fermi液体行为。经历了不寻常的现场诱导的过渡到另一个高场SC状态的不寻常的野外过渡,从低于t o = 0.55 k的未知有序状态出现了,而已知ce-4 f的阶段是阶段的阶段。 在这里,我们报告了CERH 2中的磁性和SC特性的MUON自旋松弛(µSR)研究,为2个在低温下的2个单晶。 ,我们通过识别下方的自发内部场来揭示了阶序的磁起源。此外,我们发现局部磁性具有大量超导性的局部磁性的证据。 我们的发现打开了阶段涉及偶极子和高阶CE-4 F矩自由度的可能性,并解释了异常的非Fermi液体行为。经历了不寻常的现场诱导的过渡到另一个高场SC状态的不寻常的野外过渡,从低于t o = 0.55 k的未知有序状态出现了,而已知ce-4 f的阶段是阶段的阶段。 在这里,我们报告了CERH 2中的磁性和SC特性的MUON自旋松弛(µSR)研究,为2个在低温下的2个单晶。 ,我们通过识别下方的自发内部场来揭示了阶序的磁起源。此外,我们发现局部磁性具有大量超导性的局部磁性的证据。 我们的发现打开了阶段涉及偶极子和高阶CE-4 F矩自由度的可能性,并解释了异常的非Fermi液体行为。经历了不寻常的现场诱导的过渡到另一个高场SC状态的不寻常的野外过渡,从低于t o = 0.55 k的未知有序状态出现了,而已知ce-4 f的阶段是阶段的阶段。 在这里,我们报告了CERH 2中的磁性和SC特性的MUON自旋松弛(µSR)研究,为2个在低温下的2个单晶。 ,我们通过识别下方的自发内部场来揭示了阶序的磁起源。此外,我们发现局部磁性具有大量超导性的局部磁性的证据。 我们的发现打开了阶段涉及偶极子和高阶CE-4 F矩自由度的可能性,并解释了异常的非Fermi液体行为。经历了不寻常的现场诱导的过渡到另一个高场SC状态的不寻常的野外过渡,从低于t o = 0.55 k的未知有序状态出现了,而已知ce-4 f的阶段是阶段的阶段。在这里,我们报告了CERH 2中的磁性和SC特性的MUON自旋松弛(µSR)研究,为2个在低温下的2个单晶。,我们通过识别下方的自发内部场来揭示了阶序的磁起源。此外,我们发现局部磁性具有大量超导性的局部磁性的证据。我们的发现打开了阶段涉及偶极子和高阶CE-4 F矩自由度的可能性,并解释了异常的非Fermi液体行为。
摘要。核自旋能级在理解镧系元素单分子磁体中的磁化动力学以及量子比特的实现和控制方面起着重要作用。我们使用包括自旋轨道相互作用在内的多配置从头算方法(超越密度泛函理论)研究了阴离子 DyPc 2(Pc=酞菁)单分子磁体中 161 Dy 和 163 Dy 核的超精细和核四极相互作用。之所以选择 Dy 的两种同位素,是因为其他同位素的核自旋为零。这两种同位素的核自旋 I = 5 / 2,尽管核磁矩的大小和符号彼此不同。电子基态和第一激发的 Kramers 双线之间的巨大能隙使我们能够将微观超精细和四极相互作用汉密尔顿量映射到电子伪自旋 S eeff = 1 / 2 的有效汉密尔顿量上,这对应于基态 Kramers 双线。我们的从头算表明,核自旋和电子轨道角动量之间的耦合对超精细相互作用贡献最大,并且 161 Dy 和 163 Dy 核的超精细和核四极子相互作用都比 TbPc 2 单分子磁体中的 159 Tb 核的要小得多。计算出的电子-核能级分离与 163 DyPc 2 的实验数据相当。我们证明 Dy Kramers 离子的超精细相互作用会导致零场下的隧道分裂(或磁化的量子隧穿)。这种效应不会发生在 TbPc 2 单分子磁体中。发现 161 DyPc 2 和 163 DyPc 2 避免的能级交叉的磁场值明显不同,这可以从实验中观察到。
简介:学习本课程的动机、必修基础数学复习、实线子集上概率与长度的关系、概率形式定义、事件与$\sigma$代数、事件独立性与条件概率、事件序列与Borel-Cantell引理。随机变量:随机变量的定义、随机变量的类型、CDF、PDF及其性质、随机向量与独立性、随机变量变换简介、高斯随机向量简介。数学期望:通过例子了解平均值的重要性、期望的定义、矩与条件期望、MGF、PGF与特征函数的使用、方差与k阶矩、MMSE估计。不等式与收敛概念:马尔可夫、切比雪夫、切尔诺夫与Mcdiarmid不等式、概率收敛、均值与几乎必然、大数定律与中心极限定理。随机过程的简要介绍:示例和正式定义、平稳性、自相关和互相关函数、遍历性的定义。
随机量子电路和随机电路采样 (RCS) 最近引起了量子信息界所有子领域的极大关注,尤其是在谷歌于 2019 年宣布量子霸权之后。虽然 RCS 科学吸收了从纯数学到电子工程等不同学科的思想,但本论文从理论计算机科学的角度探讨了这一主题。我们首先对随机量子电路的 t 设计和反集中特性进行严格处理,以便各种中间引理将在后续讨论中找到进一步的应用。具体而言,我们证明了形式为 EV ⟨ 0 n | V σ p V † | 0 n ⟩ 2 的表达式的新上限,其中 1D 随机量子电路 V 和 n 量子比特泡利算子 σ p 。接下来,我们将从高层次讨论 RCS 至上猜想,该猜想构成了复杂性理论的主要基础,支持了以下观点:深度随机量子电路可能与任意量子电路一样难以进行经典模拟。最后,我们研究了量子和经典欺骗算法在线性交叉熵基准 (XEB) 上的性能,这是 Google 为验证 RCS 实验而提出的统计测试。我们考虑了 Barak、Chou 和 Gao 最近提出的经典算法的扩展,并尝试证明扩展算法可以获得更高的 XEB 分数 [BCG20]。虽然我们无法证明具有 Haar 随机 2 量子比特门的随机量子电路的关键猜想,但我们确实在其他相关设置中建立了结果,包括 Haar 随机幺正、随机 Cliūford 电路和随机费米子高斯幺正。
I. 引言 随着微电子技术和计算能力的不断进步,新一代无线技术的涌现使几代人之前看似未来主义的用例成为可能 [1]。然而,在这些新技术成为商业现实之前,需要彻底评估和评估它们的性能,并且必须充分了解与其性能扩展规律和操作限制相关的见解。深入研究通信理论基础,不可否认的是,渐近分析几十年来一直是评估系统性能的非常有用的工具 [2]。里程碑式的工作 [3] 为无线通信系统的渐近性能分析奠定了基础。在与信噪比 (SNR) 的概率密度函数 (PDF) 的平滑度相关的合理温和条件下,当平均 SNR γ 足够大时,错误概率度量可以表示为 P op ≈ α ( γ th /γ ) b ,其中 γ th 是给定性能所需的阈值 SNR 值。编码增益或功率偏移(由 α 捕获)和分集阶(DO,由 b 捕获)的概念在无线文献中无处不在,作为表征性能缩放定律的一种方式:通过将平均 SNR 增加一定量,我们可以获得多少性能提升?直到今天,Wang 和 Giannakis 的幂律
本研究通过开发分数阶模型,提出了一种解决异质性肺癌动力学复杂性的新方法。该模型专注于联合疗法的优化,将免疫疗法和靶向疗法结合起来,以最大限度地减少副作用为具体目标。值得注意的是,我们的方法巧妙地融合了比例-积分-微分 (PID) 反馈控制和优化过程。与以前的研究不同,我们的模型结合了考虑常规癌细胞和突变癌细胞之间相互作用的基本方程,描述了免疫细胞和突变癌细胞之间的动态,增强了免疫细胞的细胞毒性活性,并阐明了基因突变对癌细胞扩散的影响。这个改进的模型提供了对肺癌进展的全面了解,为制定个性化和有效的治疗策略提供了宝贵的工具。研究结果强调了优化的治疗策略在实现关键治疗目标方面的潜力,包括原发性肿瘤控制、转移限制、免疫反应增强和控制基因突变。该治疗方法的动态和适应性,加上经济考虑和记忆效应,使该研究处于精准和个性化癌症治疗的前沿。
摘要:我们表明,量子极值表面 (QES) 处方的简单应用会导致矛盾的结果,必须在领先阶上进行校正。当存在第二个 QES(领先阶的广义熵严格大于最小 QES)并且两个表面之间存在大量高度不可压缩的体积熵时,就会出现校正。我们将校正的来源追溯到 QES 处方的复制技巧推导中使用的假设失败,并表明更仔细的推导可以正确计算校正。使用一次性量子香农理论(平滑最小和最大熵)的工具,我们将这些结果推广到一组确定 QES 处方是否成立的精炼条件。我们发现了对纠缠楔重构(EWR)所需条件的类似改进,并展示了如何将 EWR 重新解释为一次性量子态合并(使用零位而不是经典位)的任务,重力能够以最佳效率实现这项任务。
为了比较不同尺寸系统中的涨落,应该使用强度量,即对系统体积不敏感的量。此类量通过除以测量分布的累积量 κ i(最高为四阶)得出,其中 i 是累积量的阶数。对于二阶、三阶和四阶累积量,强度量定义为:κ 2 /κ 1、κ 3 /κ 2 和 κ 4 /κ 2。图 1 显示了 150 / 158 A GeV / c 时净电荷三阶和四阶累积量比的系统尺寸依赖性。测量数据与 EPOS 1.99 模型 [5, 6] 的预测一致。对带负电和带正电强子的相同量对系统尺寸依赖性的更详细检查(图 2)表明系统尺寸依赖性非常不同。此外,EPOS 1.99 模型均未重现所测量到的任何 h + 和 h − 量。这种不一致表明我们尚未完全理解引起涨落的底层物理原理。因此,需要进行更详细的研究。在寻找 CP 中,一个可能的工具是质子间歇性,它应该在 CP 附近遵循幂律涨落。可以通过研究二阶阶矩 F 2 ( M ) 随胞元大小或等效地随中速质子 (px , py ) 空间中胞元数量的变化来检查(见参考文献 [7, 8, 9])。对于实验数据,必须用混合事件减去非临界背景。减法后,二阶阶矩 ∆ F 2 ( M ) 应根据 M >> 1 的幂律缩放,得到的临界指数 φ 2 与理论预测相当 [10]。图 3 显示了半中心 Ar + Sc 相互作用中 150 A GeV / c 的 ∆ F 2 ( M )。图左侧和右侧之间的差异是所考虑的统计数据。左侧显示 2018 年发布的结果 [11]。这些结果表明 ∆ F 2 为正值,可能与 CP 有关。右侧显示相同的结果,但统计数据更高(208k